主儲存器概述

（1）主儲存器的兩個重要技術指標

◎讀寫速度：常常用儲存週期來度量，儲存週期是連續啟動兩次獨立的儲存器操作（如讀操作）所必需的時間間隔。

◎儲存容量：通常用構成儲存器的位元組數或字數來計量。

（2）主儲存器與CPU及外圍裝置的連線

是透過地址匯流排、資料匯流排、控制匯流排進行連線，

◎地址匯流排用於選擇主儲存器的一個儲存單元，若地址匯流排的位數k，則最大可定址空間為2k。如k＝20，可訪問1MB的儲存單元。

◎資料匯流排用於在計算機各功能部件之間傳送資料。

◎控制匯流排用於指明匯流排的工作週期和本次輸入／輸出完成的時刻。

（3）主儲存器分類

◎按資訊儲存的長短分：ROM與RAM

ROM在計算機中一般板卡的BIOS都是ROM的如主機板的BIOS。

RAM在計算機中像記憶體，CACHE都是RAM

◎按生產工藝分：靜態儲存器與動態儲存器

靜態儲存器（SRAM）：讀寫速度快，生產成本高，多用於容量較小的高速緩衝儲存器。

動態儲存器（DRAM）：讀寫速度較慢，整合度高，生產成本低，多用於容量較大的主儲存器。

靜態儲存器與動態儲存器主要效能比較如下表：

靜態和動態儲存器晶片特性比較

SRAM DRAM

儲存資訊 觸發器 電容

破壞性讀出 非 是

需要重新整理 不要 需要

送行列地址 同時送 分兩次送

執行速度 快 慢

整合度 低 高

發熱量 大 小

儲存成本 高 低

動態儲存器的定期重新整理：在不進行讀寫操作時，DRAM 儲存器的各單元處於斷電狀態，由於漏電的存在，儲存在電容CS 上的電荷會慢慢地漏掉，為此必須定時予以補充，稱為重新整理操作。