Saber下IGBT的通用模型主要有以下幾個:
1．IGBT,No buffer Layer,Transistor 這個模型來源於美國國家標準與技術研究院(NIST),基於器件的物理模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比較準確的反應IGBT的電流電壓以及充電特性.
2．IGBT Data Sheet Driven,Transistor 這是一個表徵IGBT行為特徵的模型,它需要的引數基本可以從器件的Datasheet上取得,可以反應IGBT的靜態特性,非線性極間電容以及IGBT關斷時的拖尾電流.
3．IGBT Data Sheet Driven,Static thermal 這是一個表徵IGBT行為特徵的模型,它需要的引數基本可以從器件的Datasheet上取得,可以反應IGBT的靜態熱特性,溝道調製效應,非線性極間電容以及IGBT關斷時的拖尾電流.
4．Data Sheet Driven,Dynamic thermal 這是一個表徵IGBT行為特徵的模型,它需要的引數基本可以從器件的Datasheet上取得,可以反應IGBT的動態熱特性,溝道調製效應,非線性極間電容以及IGBT關斷時的拖尾電流.
5．IGBT Buffer Self-Heat,Transistor 這個模型來源於美國國家標準與技術研究院(NIST),基於Henfer帶緩衝層自加熱模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比較準確的反應IGBT的電流、電壓、充電以及動態熱特性.
6．IGBT Buffer Layer,Transistor 這個模型來源於美國國家標準與技術研究院(NIST),基於Henfer帶緩衝層模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比較準確的反應IGBT的電流、電壓以及充電特性.
7．Self-Heat,Transistor 這個模型來源於美國國家標準與技術研究院(NIST),基於Henfer模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比較準確的反應IGBT的電流、電壓以及充電特性. 每個模型所需引數要求不一，具體引數怎麼設定可參照saber中對應IGBT說明，右鍵-view template。
Saber下IGBT的通用模型主要有以下幾個:
1．IGBT,No buffer Layer,Transistor 這個模型來源於美國國家標準與技術研究院(NIST),基於器件的物理模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比較準確的反應IGBT的電流電壓以及充電特性.
2．IGBT Data Sheet Driven,Transistor 這是一個表徵IGBT行為特徵的模型,它需要的引數基本可以從器件的Datasheet上取得,可以反應IGBT的靜態特性,非線性極間電容以及IGBT關斷時的拖尾電流.
3．IGBT Data Sheet Driven,Static thermal 這是一個表徵IGBT行為特徵的模型,它需要的引數基本可以從器件的Datasheet上取得,可以反應IGBT的靜態熱特性,溝道調製效應,非線性極間電容以及IGBT關斷時的拖尾電流.
4．Data Sheet Driven,Dynamic thermal 這是一個表徵IGBT行為特徵的模型,它需要的引數基本可以從器件的Datasheet上取得,可以反應IGBT的動態熱特性,溝道調製效應,非線性極間電容以及IGBT關斷時的拖尾電流.
5．IGBT Buffer Self-Heat,Transistor 這個模型來源於美國國家標準與技術研究院(NIST),基於Henfer帶緩衝層自加熱模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比較準確的反應IGBT的電流、電壓、充電以及動態熱特性.
6．IGBT Buffer Layer,Transistor 這個模型來源於美國國家標準與技術研究院(NIST),基於Henfer帶緩衝層模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比較準確的反應IGBT的電流、電壓以及充電特性.
7．Self-Heat,Transistor 這個模型來源於美國國家標準與技術研究院(NIST),基於Henfer模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比較準確的反應IGBT的電流、電壓以及充電特性. 每個模型所需引數要求不一，具體引數怎麼設定可參照saber中對應IGBT說明，右鍵-view template。