mos管是金屬—氧化物-半導體場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。這樣的器件被認為是對稱的。
雙極型電晶體把輸入端電流的微小變化放大後，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型電晶體的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種電晶體，叫做場效電晶體（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，以下為N溝道和P溝道符號。
N溝道mos管符號
P溝道mos管符號
1、如何快速判斷其好壞及引腳功能
1）用10K檔，內有15伏電池。可提供導通電壓。
2）因為柵極等效於電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來，否則是壞管。
3）利用表筆對柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由於柵極上電荷能保持，上述兩步可分先後，不必同步，方便。但要放電時需短路管腳或反充。
4）大都源漏間有反並二極體，應注意，及幫助判斷。
5）大都封莊為字面對自已時，左柵中漏右源。
以上前三點必需掌握，後兩點靈活運用，很快就能判管腳，分好壞。
如果對新拿到的不明MOS管，可以透過測定來判斷腳極，只有準確判定腳的排列，才能正確使用。
2、管腳測定方法：
①柵極G的測定：用萬用表R&TImes;100檔，測任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為數百Ω），該兩腳是D、S，第三腳為G。
②漏極D、源極S及型別判定：用萬用表R&TImes;10kΩ檔測D、S問正反向電阻，正向電阻約為0.2&TImes;10kΩ，反向電阻（5一∞）X100kΩ。在測反向電阻時，紅表筆不動，黑表筆脫離引腳後，與G碰一下，然後回去再接原引腳，出現兩種情況：
a．若讀數由原來較大值變為0（0&TImes;10kΩ），則紅表筆所接為S，黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω，還可證明該管為N溝道。
b．若讀數仍為較大值，黑表筆不動，改用紅表筆接觸G，碰一下之後立即回到原腳，此時若讀數為0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為P溝道。
mos管是金屬—氧化物-半導體場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。這樣的器件被認為是對稱的。
雙極型電晶體把輸入端電流的微小變化放大後，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型電晶體的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種電晶體，叫做場效電晶體（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，以下為N溝道和P溝道符號。
N溝道mos管符號
P溝道mos管符號
1、如何快速判斷其好壞及引腳功能
1）用10K檔，內有15伏電池。可提供導通電壓。
2）因為柵極等效於電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來，否則是壞管。
3）利用表筆對柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由於柵極上電荷能保持，上述兩步可分先後，不必同步，方便。但要放電時需短路管腳或反充。
4）大都源漏間有反並二極體，應注意，及幫助判斷。
5）大都封莊為字面對自已時，左柵中漏右源。
以上前三點必需掌握，後兩點靈活運用，很快就能判管腳，分好壞。
如果對新拿到的不明MOS管，可以透過測定來判斷腳極，只有準確判定腳的排列，才能正確使用。
2、管腳測定方法：
①柵極G的測定：用萬用表R&TImes;100檔，測任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為數百Ω），該兩腳是D、S，第三腳為G。
②漏極D、源極S及型別判定：用萬用表R&TImes;10kΩ檔測D、S問正反向電阻，正向電阻約為0.2&TImes;10kΩ，反向電阻（5一∞）X100kΩ。在測反向電阻時，紅表筆不動，黑表筆脫離引腳後，與G碰一下，然後回去再接原引腳，出現兩種情況：
a．若讀數由原來較大值變為0（0&TImes;10kΩ），則紅表筆所接為S，黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω，還可證明該管為N溝道。
b．若讀數仍為較大值，黑表筆不動，改用紅表筆接觸G，碰一下之後立即回到原腳，此時若讀數為0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為P溝道。