微星B360迫擊炮只能使用ddr4記憶體，用不了DDR3記憶體。

1、微星b360m迫擊炮兩個M.2 插槽，都支援intel的傲騰技術，其中位於主機板中間位置的M.2插槽相容SATA和PCIE 3.0 x 4模式，支援2242/2260/2280/22110等不同規格的M.2介面固態硬碟。而靠下方的那個M.2插槽只支援PCIE主控的SSD，支援的規格為2242/2260/2280。兩個插口都支援nvme協議，都是滿速的，只不過靠近CPU的插口同時支援pcie通道和SATA通道，另一個只支援PCIE通道，固態裝在第一個時SATA2介面不能用，裝在第二個時主機板上的PCIE×4插槽(短的那倆，不是顯示卡插槽)不能用，因為如果PCIE×4插了裝置，第二個M.2插口將失效。

2、DDR3 SDRAM（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory），是一種電腦儲存器規格。它屬於SDRAM家族的儲存器產品，提供相較於DDR2 SDRAM更高的執行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM（四倍資料率同步動態隨機存取儲存器）的後繼者（增加至八倍）。封裝（Packages）DDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit晶片採用78球FBGA封裝，16bit晶片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。

3、DDR4記憶體是新一代的記憶體規格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4記憶體。DDR4相比DDR3最大的區別有三點：16bit預取機制（DDR3為8bit），同樣核心頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規範，資料可靠性進一步提升；工作電壓降為1.2V，更節能。DDR4記憶體的標準規範仍未最終定奪。三星這條樣品屬於UDIMM型別，容量為2GB，執行電壓只有1.2V，工作頻率為2133MHz，而且憑藉新的電路架構最高可以達到3200MHz。相比之下，DDR3記憶體的標準頻率最高僅為1600MHz，執行電壓一般為1.5V，節能版也有1.35V。僅此一點，DDR4記憶體就可以節能最多40%。根據此前的規劃，DDR4記憶體頻率最高有可能高達4266MHz，電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。