相同頻率的記憶體，時序越低越好。
時序裡的CL-TRCD-TRP(11-11-11)，表示11個時鐘，在1600Mhz的記憶體裡預設時序是11-11-11， 1333Mhz預設是9-9-9.
常見的超頻，除了改頻率1333 到 1600Mhz, 高手還會改時序。
記憶體時序
記憶體時序是描述記憶體條效能的一種引數，一般儲存在記憶體條的SPD中，可透過引數手動設定。
基本解釋
一般數字“A-B-C-D”分別對應的引數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它們的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）記憶體CAS延遲時間，它是記憶體的重要引數之一，某些牌子的記憶體會把CL值印在記憶體條的標籤上; RAS－to－CAS Delay（tRCD），記憶體行地址傳輸到列地址的延遲時間; RAS Precharge Delay（tRP），記憶體行地址選通脈衝預充電時間; Row Active Delay（tRAS），記憶體行地址選通延遲。這是玩家最關注的4項時序調節，在大部分主機板的BIOS中可以設定，記憶體模組廠商也有計劃的推出了低於JEDEC認證標準的低延遲型超頻記憶體模組，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的記憶體模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的記憶體效能，幅度在3至5個百分點。
引數簡介
存取時序上面的表格展示的是一次普通的DRAM儲存週期。首先，行地址資訊會被送到DRAM中，經歷了tRCD這段時間之後，行地址已經進行了“選通”。由於現今的儲存器一般是SDRAM，我們可以一次多多個列提取資訊，而每一次讀取需要tCAS(R)這麼多的時間。當列操作結束時，DRAM需要tRP這麼多的時間進行預充電，以便為下一次存取操作做準備。而一般來說，tRAS>tRCD + tCAS + 2，這是因為需要留足夠的時間給存取的資料去“流動”。經過這樣的瞭解，我們可以通俗的理解這幾個引數：
tCAS：列定址所需要的時鐘週期（週期的數量表示延遲的長短）
tRCD：行定址和列定址時鐘週期的差值
tRP：在下一個儲存週期到來前，預充電需要的時鐘週期
tRAS：對某行的資料進行儲存時，從操作開始到定址結束需要的總時間週期
相同頻率的記憶體，時序越低越好。
時序裡的CL-TRCD-TRP(11-11-11)，表示11個時鐘，在1600Mhz的記憶體裡預設時序是11-11-11， 1333Mhz預設是9-9-9.
常見的超頻，除了改頻率1333 到 1600Mhz, 高手還會改時序。
記憶體時序
記憶體時序是描述記憶體條效能的一種引數，一般儲存在記憶體條的SPD中，可透過引數手動設定。
基本解釋
一般數字“A-B-C-D”分別對應的引數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它們的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）記憶體CAS延遲時間，它是記憶體的重要引數之一，某些牌子的記憶體會把CL值印在記憶體條的標籤上; RAS－to－CAS Delay（tRCD），記憶體行地址傳輸到列地址的延遲時間; RAS Precharge Delay（tRP），記憶體行地址選通脈衝預充電時間; Row Active Delay（tRAS），記憶體行地址選通延遲。這是玩家最關注的4項時序調節，在大部分主機板的BIOS中可以設定，記憶體模組廠商也有計劃的推出了低於JEDEC認證標準的低延遲型超頻記憶體模組，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的記憶體模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的記憶體效能，幅度在3至5個百分點。
引數簡介
存取時序上面的表格展示的是一次普通的DRAM儲存週期。首先，行地址資訊會被送到DRAM中，經歷了tRCD這段時間之後，行地址已經進行了“選通”。由於現今的儲存器一般是SDRAM，我們可以一次多多個列提取資訊，而每一次讀取需要tCAS(R)這麼多的時間。當列操作結束時，DRAM需要tRP這麼多的時間進行預充電，以便為下一次存取操作做準備。而一般來說，tRAS>tRCD + tCAS + 2，這是因為需要留足夠的時間給存取的資料去“流動”。經過這樣的瞭解，我們可以通俗的理解這幾個引數：
tCAS：列定址所需要的時鐘週期（週期的數量表示延遲的長短）
tRCD：行定址和列定址時鐘週期的差值
tRP：在下一個儲存週期到來前，預充電需要的時鐘週期
tRAS：對某行的資料進行儲存時，從操作開始到定址結束需要的總時間週期