磁矩計算公式：m=iSn 平面載流線圈的磁矩定義為m=iSn式中i電流強度；S為線圈面積；n為與電流方向成右手螺旋關係的單位向量。 在均勻外磁場中，平面載流線圈所受合力為零而所受力矩不為零，該力矩使線圈的磁矩m轉向外磁場B的方向；在均勻徑向分佈外磁場中，平面載流線圈受力矩偏轉。許多電機和電學儀表的工作原理即基於此。

擴充套件資料： 在一個載流回路中，磁矩大小是電流乘以迴路面積：u=I×S； 其中，u為磁矩，I 為電流，S 為面積。 磁矩方向則為電流繞行方向右手定則所決定的方向。 載流回路在磁場中所受力矩M與磁矩的關係為： M=u×B 其中，B 為磁感應強度。 粒子磁矩可透過實驗測定。但實驗測定結果並不與此相符，其間差別稱為反常磁矩。對於自旋均為1/2的電子、μ子、質子和中子，精確測定其g因子分別為： 電子 gl2=1.001159652193（10） μ子 gl2=1.001165923（8） 質子 gl2=2.792847386（63） 中子 gl2=－1.91304275（45） 粒子反常磁矩的來源有二： 一是量子電動力學的輻射修正，電子、μ子屬於這種情形，即使是點粒子，粒子產生的電磁場對其自身的作用導致自旋磁矩的微小變化，這一改變可以嚴格地用量子電動力學精確計算，結果與實驗測定符合得很好。 另一是由於粒子有內部結構和強相互作用的影響，質子和中子屬於這種情形，質子和中子的反常磁矩用於分析其內部結構。