1、可控矽中的PN接面——是相臨半導體間的空穴與電子擴散而形成各接觸層間的電勢壘。阻止了電子與空穴的繼續擴散和漂移,達到一個平衡狀態。
2、但PN接面這個電勢壘,並不會對外產生電壓,這是因為原子核與電子的帶電量的中和關係。
3、當PN接面正偏時,外界的電子就能透過PN接面,形成導通壓降(電勢壘壓降和內阻壓降)。
4、當PN接面反偏時,相當於外界電壓增強了PN接面的電勢壘,電子與空穴的擴散更是不容易,但是電子與空穴的漂移將大大增強,至於反偏是否能導通,取決於漂移電子的數量。
知道了上述四點,就可以理解可控矽的關斷條件了。當G極加上觸發電壓後,GK間的PN接面處於正偏正向導通,這時大量的載流體進入第二個PN接面(反偏)正好滿足漂流電子的特性就流過了PN接面,進入第三個PN接面,而這個PN接面是正偏,也就順利導通了,這個PN接面導通還為GK間的PN接面提供了維持導通的電流,使GK間一直處於正偏。所以只要漂流載流體存在,G極接地或加反壓都不能改變GK間的PN接面的正偏狀態。只有當漂流載流體回零後,或者AK間的外加電壓反向時才能破壞載流體的流動,使之回零。
結論:可控矽的關斷是使AK上的電壓反向或電路中的電流過零,才能使可控矽關斷。
福建省柘榮縣華源動力裝置有限公司
1、可控矽中的PN接面——是相臨半導體間的空穴與電子擴散而形成各接觸層間的電勢壘。阻止了電子與空穴的繼續擴散和漂移,達到一個平衡狀態。
2、但PN接面這個電勢壘,並不會對外產生電壓,這是因為原子核與電子的帶電量的中和關係。
3、當PN接面正偏時,外界的電子就能透過PN接面,形成導通壓降(電勢壘壓降和內阻壓降)。
4、當PN接面反偏時,相當於外界電壓增強了PN接面的電勢壘,電子與空穴的擴散更是不容易,但是電子與空穴的漂移將大大增強,至於反偏是否能導通,取決於漂移電子的數量。
知道了上述四點,就可以理解可控矽的關斷條件了。當G極加上觸發電壓後,GK間的PN接面處於正偏正向導通,這時大量的載流體進入第二個PN接面(反偏)正好滿足漂流電子的特性就流過了PN接面,進入第三個PN接面,而這個PN接面是正偏,也就順利導通了,這個PN接面導通還為GK間的PN接面提供了維持導通的電流,使GK間一直處於正偏。所以只要漂流載流體存在,G極接地或加反壓都不能改變GK間的PN接面的正偏狀態。只有當漂流載流體回零後,或者AK間的外加電壓反向時才能破壞載流體的流動,使之回零。
結論:可控矽的關斷是使AK上的電壓反向或電路中的電流過零,才能使可控矽關斷。
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