理論上講，CPU的主頻是沒有上限的。但是現實是，隨著CPU的頻率增加，其功耗與發熱的增加，卻不是線性增加的，目前主流產品的頻率一般小於4GHz。所以，CPU的頻率有極限，但是這個極限，說不好是多少，因為技術在發展。最重要的一點是，現在發展方向，是朝著多核發展，而不是高頻發展，所以，頻率極限不好確定。CPU是在半導體矽片上製造的，矽片上的各個元件之間需要導線將其聯接起來，在高頻狀態下，導線越細、越短越好，這樣才能減小導線分佈電容等雜散干擾以保證CPU運算正確。因此製造工藝的限制，是CPU主頻發展的最大障礙之一。目前的製造工藝，14nm的處理器已經量產，回想整個發展史，在1965年推出的10微米(μm)處理器後， 經歷了6微米、3微米、1微米、0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.13微米（130奈米）、90奈米、65奈米、45奈米、32奈米、22奈米，一直髮展到目前(2015年）最新的14奈米，不過在半導體工藝進入14nm之後，晶片的發展速度有變慢的趨勢，不再按照摩爾定律繼續發展，據說是資金的投入與產出差的太大。但是，最主要的是，這個技術依然在不斷髮展，各種技術手段的發明使得該行業的發展跟上了摩爾定律的步伐。在90奈米時，應變矽發明了；45奈米時，增加每個電晶體電容的分層堆積在矽上的新材料發明了；22奈米時，三柵極電晶體的出現保證了縮小的步伐。那麼相應的，CPU的頻率是可以提升的，因為工藝的提升，極大的降低了CPU的發熱量。拿去年手機界的CPU高通810來說，由於CPU架構與製作工藝不相配，810的發熱量使得它“名噪一時”，大部分810產品比較失敗，今年820採用了更為先進的14nm工藝，發熱量明顯下降。下一代的10nm光刻技術，英特爾繼續逼近矽原子極限，考慮到這個原子半徑問題，可能會有新材料出場，說不定呢！好了，言歸正傳，只要CPU的發熱可以控制住，頻率是可以向上增加的，2014年，AMD FX- 8370突然破紀錄，最高位8722.78 MHz，核心電壓足足有2.004 v，散熱當然用的是液氮啦~~~說了這麼多，跟你問的問題關係也不大，沒有說最高頻率是多少，因為目前來講，這個數字不能確定，CPU的發展不朝高頻發展，而是多核發展，所以這個問題還真不好回答。（部分資訊源自網際網路，未標明作者，如有侵權，請聯絡該知乎使用者喲~）
理論上講，CPU的主頻是沒有上限的。但是現實是，隨著CPU的頻率增加，其功耗與發熱的增加，卻不是線性增加的，目前主流產品的頻率一般小於4GHz。所以，CPU的頻率有極限，但是這個極限，說不好是多少，因為技術在發展。最重要的一點是，現在發展方向，是朝著多核發展，而不是高頻發展，所以，頻率極限不好確定。CPU是在半導體矽片上製造的，矽片上的各個元件之間需要導線將其聯接起來，在高頻狀態下，導線越細、越短越好，這樣才能減小導線分佈電容等雜散干擾以保證CPU運算正確。因此製造工藝的限制，是CPU主頻發展的最大障礙之一。目前的製造工藝，14nm的處理器已經量產，回想整個發展史，在1965年推出的10微米(μm)處理器後， 經歷了6微米、3微米、1微米、0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.13微米（130奈米）、90奈米、65奈米、45奈米、32奈米、22奈米，一直髮展到目前(2015年）最新的14奈米，不過在半導體工藝進入14nm之後，晶片的發展速度有變慢的趨勢，不再按照摩爾定律繼續發展，據說是資金的投入與產出差的太大。但是，最主要的是，這個技術依然在不斷髮展，各種技術手段的發明使得該行業的發展跟上了摩爾定律的步伐。在90奈米時，應變矽發明了；45奈米時，增加每個電晶體電容的分層堆積在矽上的新材料發明了；22奈米時，三柵極電晶體的出現保證了縮小的步伐。那麼相應的，CPU的頻率是可以提升的，因為工藝的提升，極大的降低了CPU的發熱量。拿去年手機界的CPU高通810來說，由於CPU架構與製作工藝不相配，810的發熱量使得它“名噪一時”，大部分810產品比較失敗，今年820採用了更為先進的14nm工藝，發熱量明顯下降。下一代的10nm光刻技術，英特爾繼續逼近矽原子極限，考慮到這個原子半徑問題，可能會有新材料出場，說不定呢！好了，言歸正傳，只要CPU的發熱可以控制住，頻率是可以向上增加的，2014年，AMD FX- 8370突然破紀錄，最高位8722.78 MHz，核心電壓足足有2.004 v，散熱當然用的是液氮啦~~~說了這麼多，跟你問的問題關係也不大，沒有說最高頻率是多少，因為目前來講，這個數字不能確定，CPU的發展不朝高頻發展，而是多核發展，所以這個問題還真不好回答。（部分資訊源自網際網路，未標明作者，如有侵權，請聯絡該知乎使用者喲~）