有時候需要研究在晶體中有個帶電荷的缺陷，比如氧離子是帶-2價的。具體點如MgO中的氧離子跑到間隙裡的情況。俠文介紹如何用VASP模擬這種帶電體系。
比如你要計算MgO中負2價的氧離子這個間隙雜質，此時體系的原子是超原胞含64個，再加一個間隙氧原子。那麼中性時體系的總電子數為N，那麼含-2價氧離子的體系的總電子數為N+2，設定NELECT=N+2。現在不管所謂的Dipolecorrection，你直接算用一個gamma點，設定下面的引數:
LORBIT=1（對USPP）或11（對PAW)
對USPP，再加上設定RWIGS。
然後計算一下態密度，計算完後，你分析一下PROCAR檔案，看gamma點，每個能級的分佈，以及每個能級所對應的態(s,py,pz,px….)等，基本上可以看到你所加上的兩個電子是局域在間隙的氧原子上的。
總的說起來，在計算帶電雜質（或缺陷）的計算，透過NELECT=中性電子數+(-)雜質的電荷數。如果體系夠大以及所帶的電荷在+(-)2以內，不用考慮DipoleCorrection，因為此時DipoleCorrection修正對體系的總能影響很小，對整個能級的影響很少。如果是體系較小（原胞小）、雜質所帶的電荷絕對值較大，需要考慮DipoleCorrection。
有時候需要研究在晶體中有個帶電荷的缺陷，比如氧離子是帶-2價的。具體點如MgO中的氧離子跑到間隙裡的情況。俠文介紹如何用VASP模擬這種帶電體系。
比如你要計算MgO中負2價的氧離子這個間隙雜質，此時體系的原子是超原胞含64個，再加一個間隙氧原子。那麼中性時體系的總電子數為N，那麼含-2價氧離子的體系的總電子數為N+2，設定NELECT=N+2。現在不管所謂的Dipolecorrection，你直接算用一個gamma點，設定下面的引數:
LORBIT=1（對USPP）或11（對PAW)
對USPP，再加上設定RWIGS。
然後計算一下態密度，計算完後，你分析一下PROCAR檔案，看gamma點，每個能級的分佈，以及每個能級所對應的態(s,py,pz,px….)等，基本上可以看到你所加上的兩個電子是局域在間隙的氧原子上的。
總的說起來，在計算帶電雜質（或缺陷）的計算，透過NELECT=中性電子數+(-)雜質的電荷數。如果體系夠大以及所帶的電荷在+(-)2以內，不用考慮DipoleCorrection，因為此時DipoleCorrection修正對體系的總能影響很小，對整個能級的影響很少。如果是體系較小（原胞小）、雜質所帶的電荷絕對值較大，需要考慮DipoleCorrection。