靶材的作用和用途？先解釋Ar原子是如何變成Ar離子的：當電場中陰陽兩極間電位達到臨界電離電壓後，透過其中的氣體分子分發生電離，其氣體分子的最外層電子被剝離出來，其中一部分射向陽極，一部分由於洛倫茲力的作用環繞磁力線運動而被束縛在靶附近，這部分環繞的電子在加速運動中獲得了極大的動能後繼續與氣體分子碰撞，撞擊出更多的電子和Ar正離子。Ar正離子在電場的作用下射向陰極靶材。Ar離子轟擊到靶材後，所帶的正電荷會被靶表面所帶的電子中和，重新變成中性原子，因為Ar在通常狀態下呈氣態，所以絕大部分Ar原子會溢位靶表面，被分子泵抽走。但是也有極少部分Ar原子由於能量過高，嵌入靶材過深，導致難以溢位，就會留在靶的淺表面，一般情況下，這部分Ar原子是不會和金屬靶材發生反應的，它以單質的形式存在，並且會隨著時間的推移慢慢逸出靶表面。你感興趣的話可以去做一個不同工藝條件下隨時間推移靶材表面Ar原子殘留量的成分分析實驗，為了得到一個定量的結果，建議採用EDS或XPS進行。（當然不排除Ar和金屬反應這種可能，由於我知識量有限，尚未查到這方面的介紹，如果有，請補充）..

1、微電子領域

在所有應用產業中，半導體產業對靶材濺射薄膜的品質要求是最苛刻的。如今12英寸（300衄口）的矽晶片已製造出來．而互連線的寬度卻在減小。矽片製造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所製造的靶材具有更好的微觀結構。

2、顯示器用

平面顯示器（FPD)這些年來大幅衝擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機市場，亦將帶動ITO靶材的技術與市場需求。如今的iTO靶材有兩種．一種是採用奈米狀態的氧化銦和氧化錫粉混合後燒結，一種是採用銦錫合金靶材。

3、儲存用

在儲存技術方面，高密度、大容量硬碟的發展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層複合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光碟需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發展，用它製造的磁光碟具有儲存容量大，壽命長，可反覆無接觸擦寫的特點。

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