等離子表面處理利用了等離子體在低溫條件下能夠產生非平衡電子、反應離子和自由基的特性。等離子體中的高能活性基團轟擊表面,會造成濺射、熱蒸發或光致降解。等離子體特有的清洗過程主要是基於等離子體濺射和刻蝕所帶來的物理和化學變化。物理濺射的過程中,等離子體中高能量離子脈衝式的表面轟擊會導致表面原子發生位移,在某些情況下,還會造成濺射、熱蒸發或光致降解。等離子體特有的清洗過程主要是基於等離子體濺射和刻蝕所帶來的物理和化學變化。物理濺射的過程中,等離子體中高能量離子脈衝式的表面轟擊會導致表面原子發生位移,在某些情況下,還會造成次表層上原子的移位,因此物理濺射沒有選擇性。在化學刻蝕的過程中,等離子體中的活性基團和表面原子,分子發生反應,產生的揮發性物質可以透過泵抽走。在等離子刻蝕過程中,透過選擇不同的工藝引數,可以對不同材料實現高選擇性的化學反應刻蝕,然而這種方法對同一種材料的刻蝕是各向同性的。在離子增強刻蝕中,高能粒子撞擊表面時,會在表面形成缺陷、位錯或懸浮,這些缺陷提高了表面的化學反應刻蝕速率,使這種刻蝕過程同時具備可選擇性和方向性。在所有的這些清洗過程中,在碳氫化合物與襯底之間的鍵合被削弱,獲得的能量使這些有機複合物從襯底上脫離。一旦脫離有機化合物分子基團就會被惰性氣體帶走。等離子體所產生的光輻照、中性粒子流和帶電粒子轟擊為結合鍵的斷裂提供了能量。這些能量首先被碳氫化合物吸收後,在各種形式的二次過程中又被消耗掉。正是這些各種形式的二次過程實現了表面清洗的效果。在等離子體中存在大量的紫外線輻照,能量被聚合物吸收後,產生了化學性質非常活躍的自由基,這些自由基和容易與等離子體中的氣體發生發生反應,產生揮發性氣體。在等離子體中,快離子與中性粒子碰撞後產生的中性自由基不斷地轟擊樣品表面,以動能、振動‘解離和激發態的模式在中性粒子之間進行電荷交換和能量傳遞。運動動能和振動動能以一種溫和的方式加熱表面,解離和激發態產生的自由基以平動或振動的方式傳遞熱量。如果能量超過閾值,則可能導致濺射,並伴隨著自由基團的產生。處理明顯的類似於機械的方法去除表面汙染物濺射過程外,等離子體中的自由基是最重要的去除碳氫化合物的因素。這些自由基包括O、OH、H和C自由基。具體的清洗過程與實際存在的碳水化合物特性密切相關。下面是自由基清洗過程的概要方程式RH→P*+H*RO→P*+O*ROH→P*+OH*其中,RH、RO、ROH代表各種碳水化合物,它們與H、OH和O自由基團結合後形成低能的化學鍵,P*代表反應產物。等離子體中的部分能量傳遞給H鍵、OH鍵或者O鍵後,這些化學鍵將被打斷,並形成自由基,一旦這些自由基形成後(H,O,OH),就能夠和其他的元素結合形成氣化的CO、二氧化碳,和水,這些氣體就很容易被氣流從表面帶走。很顯然,在碳氫化合物的分解過程中存在很多的中間步驟,最終,原先的碳氫化合物中所含的C、H、和O都被變成氣體後,也就隨即從樣品表面消失。東信高科等離子表面處理解決方案
等離子表面處理利用了等離子體在低溫條件下能夠產生非平衡電子、反應離子和自由基的特性。等離子體中的高能活性基團轟擊表面,會造成濺射、熱蒸發或光致降解。等離子體特有的清洗過程主要是基於等離子體濺射和刻蝕所帶來的物理和化學變化。物理濺射的過程中,等離子體中高能量離子脈衝式的表面轟擊會導致表面原子發生位移,在某些情況下,還會造成濺射、熱蒸發或光致降解。等離子體特有的清洗過程主要是基於等離子體濺射和刻蝕所帶來的物理和化學變化。物理濺射的過程中,等離子體中高能量離子脈衝式的表面轟擊會導致表面原子發生位移,在某些情況下,還會造成次表層上原子的移位,因此物理濺射沒有選擇性。在化學刻蝕的過程中,等離子體中的活性基團和表面原子,分子發生反應,產生的揮發性物質可以透過泵抽走。在等離子刻蝕過程中,透過選擇不同的工藝引數,可以對不同材料實現高選擇性的化學反應刻蝕,然而這種方法對同一種材料的刻蝕是各向同性的。在離子增強刻蝕中,高能粒子撞擊表面時,會在表面形成缺陷、位錯或懸浮,這些缺陷提高了表面的化學反應刻蝕速率,使這種刻蝕過程同時具備可選擇性和方向性。在所有的這些清洗過程中,在碳氫化合物與襯底之間的鍵合被削弱,獲得的能量使這些有機複合物從襯底上脫離。一旦脫離有機化合物分子基團就會被惰性氣體帶走。等離子體所產生的光輻照、中性粒子流和帶電粒子轟擊為結合鍵的斷裂提供了能量。這些能量首先被碳氫化合物吸收後,在各種形式的二次過程中又被消耗掉。正是這些各種形式的二次過程實現了表面清洗的效果。在等離子體中存在大量的紫外線輻照,能量被聚合物吸收後,產生了化學性質非常活躍的自由基,這些自由基和容易與等離子體中的氣體發生發生反應,產生揮發性氣體。在等離子體中,快離子與中性粒子碰撞後產生的中性自由基不斷地轟擊樣品表面,以動能、振動‘解離和激發態的模式在中性粒子之間進行電荷交換和能量傳遞。運動動能和振動動能以一種溫和的方式加熱表面,解離和激發態產生的自由基以平動或振動的方式傳遞熱量。如果能量超過閾值,則可能導致濺射,並伴隨著自由基團的產生。處理明顯的類似於機械的方法去除表面汙染物濺射過程外,等離子體中的自由基是最重要的去除碳氫化合物的因素。這些自由基包括O、OH、H和C自由基。具體的清洗過程與實際存在的碳水化合物特性密切相關。下面是自由基清洗過程的概要方程式RH→P*+H*RO→P*+O*ROH→P*+OH*其中,RH、RO、ROH代表各種碳水化合物,它們與H、OH和O自由基團結合後形成低能的化學鍵,P*代表反應產物。等離子體中的部分能量傳遞給H鍵、OH鍵或者O鍵後,這些化學鍵將被打斷,並形成自由基,一旦這些自由基形成後(H,O,OH),就能夠和其他的元素結合形成氣化的CO、二氧化碳,和水,這些氣體就很容易被氣流從表面帶走。很顯然,在碳氫化合物的分解過程中存在很多的中間步驟,最終,原先的碳氫化合物中所含的C、H、和O都被變成氣體後,也就隨即從樣品表面消失。東信高科等離子表面處理解決方案