由於鐵電體有剩餘極化強度，因而可用於圖象顯示。當前已經研製出一些透明鐵電陶瓷器件，如顯示器件、光閥，全息照相器件等，就是利用外加電場使鐵電疇作一定的取向，當前得到應用的是摻鑭的鋯鈦酸鉛（PLZT）透明鐵電陶瓷以及Bi4Ti3O12鐵電薄膜。
由於鐵電體的極化隨E而改變。因而晶體的折射率也將隨E改變。這種由於外電場引起晶體折射率的變化稱為電光效應。利用晶體的電光效應可製作光調製器、晶體光閥、電光開關等光器件。當前應用到鐳射技術中的晶體很多是鐵電晶體，如LiNbO3、LiTaO3、KTN（鉭鈮酸鉀）等。 強非線性鐵電陶瓷可以用於製造電壓敏感元件、介質放大器、脈衝發生器、穩壓器、開關、頻率調製等方面。已獲得應用的材料有BaTiO3-BaSnO3，BaTiO3-BaZrO3等。
利用半導體陶瓷的晶界效應，可製造出邊界層（或晶界層）電容器。如將上述兩種半導體BaTiO3陶瓷表面塗以金屬氧化物，如Bi2O3，CuO等，然後在950-1250℃氧化氣氛下熱處理，使金屬氧化物沿晶粒邊界擴散。這樣晶界變成絕緣層，而晶粒內部仍為半導體，晶粒邊界厚度相當於電容器介質層。這樣製作的電容器介電常數可達20000-80000。用很薄的這種陶瓷材料就可以做成擊穿電壓為45伏以上，容量為0.5微法的電容器。它除了體積小，容量大外，還適合於高頻(100兆赫以上)電路使用。在積體電路中是很有前途的。
由於鐵電體有剩餘極化強度，因而可用於圖象顯示。當前已經研製出一些透明鐵電陶瓷器件，如顯示器件、光閥，全息照相器件等，就是利用外加電場使鐵電疇作一定的取向，當前得到應用的是摻鑭的鋯鈦酸鉛（PLZT）透明鐵電陶瓷以及Bi4Ti3O12鐵電薄膜。
由於鐵電體的極化隨E而改變。因而晶體的折射率也將隨E改變。這種由於外電場引起晶體折射率的變化稱為電光效應。利用晶體的電光效應可製作光調製器、晶體光閥、電光開關等光器件。當前應用到鐳射技術中的晶體很多是鐵電晶體，如LiNbO3、LiTaO3、KTN（鉭鈮酸鉀）等。 強非線性鐵電陶瓷可以用於製造電壓敏感元件、介質放大器、脈衝發生器、穩壓器、開關、頻率調製等方面。已獲得應用的材料有BaTiO3-BaSnO3，BaTiO3-BaZrO3等。
利用半導體陶瓷的晶界效應，可製造出邊界層（或晶界層）電容器。如將上述兩種半導體BaTiO3陶瓷表面塗以金屬氧化物，如Bi2O3，CuO等，然後在950-1250℃氧化氣氛下熱處理，使金屬氧化物沿晶粒邊界擴散。這樣晶界變成絕緣層，而晶粒內部仍為半導體，晶粒邊界厚度相當於電容器介質層。這樣製作的電容器介電常數可達20000-80000。用很薄的這種陶瓷材料就可以做成擊穿電壓為45伏以上，容量為0.5微法的電容器。它除了體積小，容量大外，還適合於高頻(100兆赫以上)電路使用。在積體電路中是很有前途的。