記憶體延遲是指等待對系統記憶體中儲存資料的訪問完成時引起的延期。根本問題在於處理器 (如英特爾®至強TM處理器) 的主頻接近4 GHz， 而記憶體晶片速率僅為400 MHz (如DDR 3200記憶體) —時鐘速度之比為10:1。因此，當處理器需要處於記憶體快取記憶體之外的資料項時，每個週期必須等待10個時鐘週期才能使記憶體晶片完成資料的提取和傳送。通常，這些提取需要檢索多個記憶體週期，然後需要更長時間透過到處理器的路徑。這就意味著提取資料會佔用數百個處理器時鐘週期，在此期間應用不能處理其它任何任務。

記憶體延遲表示系統進入資料存取操作就緒狀態前等待記憶體響應的時間，它通常用4個連著的阿拉伯數字來表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四個數中越往後值越大，這4個數字越小，表示記憶體效能越好。由於沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國際記憶體標準組織認為以現在的動態記憶體技術還無法實現0或者1的延遲。但也並非延遲越小記憶體效能越高，因為CL-TRP-TRCD-TRAS這四個數值是配合使用的，相互影響的程度非常大，並且也不是數值最大時其效能也最差，那麼更加合理的配比引數很重要。

第一個數字最為重要，表示註冊讀取命令到第一個輸出資料之間的延遲(CAS Latency)，即CL值，單位是時鐘週期。這是縱向地址脈衝的反應時間。

第二個數字表示 記憶體行地址控制器預充電時間(RAS Precharge)，即tRP。指記憶體從結束一個行訪問到重新開始的間隔時間。

第三個數字表示從記憶體行地址到列地址的延遲時間(RAS to CAS Delay)，即tRCD。

第四個數字表示記憶體行地址控制器啟用時間Act-to-Precharge Precharge Delay(tRAS)。

選擇購買記憶體時，最好選擇同樣CL設定的記憶體，因為不同速度的記憶體混插在系統內，系統會以較慢的速度來執行，也就是當CL2.5和CL2的記憶體同時插在主機內，系統會自動讓兩條記憶體都工作在CL2.5狀態，造成資源浪費。