HY：現代品牌記憶體 128M：容量大小是128M DDR266：標稱速率（參考如下） DDR記憶體 DDR SDRAM最早是由三星公司於1996年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現代等八家公司協議訂立的記憶體規格，並得到了AMD、VIA與SiS等主要晶片組廠商的支援。它是SDRAM 的升級版本，因此也稱為「SDRAM II」。其最重要的改變是在介面資料傳輸上，他在時鐘訊號的上升沿與下降沿均可進行資料處理，使資料傳輸率達到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至於定址與控制訊號則與SDRAM相同，僅在時鐘上升沿傳送。 DDR SDRAM模組部份與SDRAM模組相比，改為採用184針(pin)，4～6 層印刷電路板，電氣介面則由「LVTTL」改變為「SSTL2」。在其它元件或封裝上則與SDRAM模組相同。DDR SDRAM模組一共有184個接腳，且只有一個缺槽，與SDRAM的模組並不相容。 DDR SDRAM在命名原則上也與SDRAM不同。SDRAM的命名是按照時鐘頻率來命名的，例如PC100與PC133。而DDR SDRAM則是以資料傳輸量作為命名原則，例如PC1600以及PC2100，單位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其實與 PC1600 是相同的規格，資料傳輸量為 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8＝1600MBytes/s)，而 DDR266與PC2100 也是一樣的情形(64bit×133MHz×2÷8＝2128MBytes/s)。 DDR SDRAM 在規格上按訊號延遲時間(CL；CAS Latency，CL是指記憶體在收到訊號後，要等待多少個系統時鐘週期後才進行讀取的動作。一般而言是越短越好，不過這還要看記憶體顆粒的原始設定值，否則會造成系統的不穩定)也有所區別。按照電子工程設計發展聯合協會（JEDEC）的定義(規格書編號為JESD79)：DDR SDRAM一共有兩種CAS延遲，分為2ns以及2.5ns(ns為十億分之一秒)。較快的 CL= 2 加上 PC 2100 規格的 DDR SDRAM稱作 DDR 266A，而較慢的 CL= 2.5 加上PC 2100規格的DDR SDRAM 則稱作 DDR 266B。另外，較慢的 PC1600 DDR SDRAM 在這方面則是沒有特別的編號。
HY：現代品牌記憶體 128M：容量大小是128M DDR266：標稱速率（參考如下） DDR記憶體 DDR SDRAM最早是由三星公司於1996年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現代等八家公司協議訂立的記憶體規格，並得到了AMD、VIA與SiS等主要晶片組廠商的支援。它是SDRAM 的升級版本，因此也稱為「SDRAM II」。其最重要的改變是在介面資料傳輸上，他在時鐘訊號的上升沿與下降沿均可進行資料處理，使資料傳輸率達到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至於定址與控制訊號則與SDRAM相同，僅在時鐘上升沿傳送。 DDR SDRAM模組部份與SDRAM模組相比，改為採用184針(pin)，4～6 層印刷電路板，電氣介面則由「LVTTL」改變為「SSTL2」。在其它元件或封裝上則與SDRAM模組相同。DDR SDRAM模組一共有184個接腳，且只有一個缺槽，與SDRAM的模組並不相容。 DDR SDRAM在命名原則上也與SDRAM不同。SDRAM的命名是按照時鐘頻率來命名的，例如PC100與PC133。而DDR SDRAM則是以資料傳輸量作為命名原則，例如PC1600以及PC2100，單位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其實與 PC1600 是相同的規格，資料傳輸量為 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8＝1600MBytes/s)，而 DDR266與PC2100 也是一樣的情形(64bit×133MHz×2÷8＝2128MBytes/s)。 DDR SDRAM 在規格上按訊號延遲時間(CL；CAS Latency，CL是指記憶體在收到訊號後，要等待多少個系統時鐘週期後才進行讀取的動作。一般而言是越短越好，不過這還要看記憶體顆粒的原始設定值，否則會造成系統的不穩定)也有所區別。按照電子工程設計發展聯合協會（JEDEC）的定義(規格書編號為JESD79)：DDR SDRAM一共有兩種CAS延遲，分為2ns以及2.5ns(ns為十億分之一秒)。較快的 CL= 2 加上 PC 2100 規格的 DDR SDRAM稱作 DDR 266A，而較慢的 CL= 2.5 加上PC 2100規格的DDR SDRAM 則稱作 DDR 266B。另外，較慢的 PC1600 DDR SDRAM 在這方面則是沒有特別的編號。