霍爾感測器的工作原理是：磁場中有一個霍爾半導體片，恆定電流I從A到B透過該片。在洛侖茲力的作用下，I的電子流在透過霍爾半導體時向一側偏移，使該片在CD方向上產生電位差，這就是所謂的霍爾電壓。霍爾電壓隨磁場強度的變化而變化，磁場越強，電壓越高，磁場越弱，電壓越低，霍爾電壓值很小，通常只有幾個毫伏，但經積體電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強的訊號。若使霍爾積體電路起感測作用，需要用機械的方法來改變磁感應強度。下圖所示的方法是用一個轉動的葉輪作為控制磁通量的開關，當葉輪葉片處於磁鐵和霍爾積體電路之間的氣隙中時，磁場偏離整合片，霍爾電壓消失。這樣，霍爾積體電路的輸出電壓的變化，就能表示出葉輪驅動軸的某一位置，利用這一工作原理，可將霍爾積體電路片用作用點火正時感測器。霍爾效應感測器屬於被動型感測器，它要有外加電源才能工作，這一特點使它能檢測轉速低的運轉情況。霍爾效應感測器：

1-霍爾半導體元件

2-永久磁鐵

3-擋隔磁力線的葉片。霍爾感測器是根據霍爾效應制作的一種磁場感測器。霍爾效應是磁電效應的一種，這一現象是霍爾(A.H.Hall，1855-1938)於1879年在研究金屬的導電機構時發現的。後來發現半導體、導電流體等也有這種效應，而半導體的霍爾效應比金屬強得多，利用這現象製成的各種霍爾元件，廣泛地應用於工業自動化技術、檢測技術及資訊處理等方面。霍爾效應是研究半導體材料效能的基本方法。透過霍爾效應實驗測定的霍爾係數，能夠判斷半導體材料的導電型別、載流子濃度及載流子遷移率等重要引數。由霍爾效應的原理知，霍爾電勢的大小取決於:Rh為霍爾常數，它與半導體材質有關;I為霍爾元件的偏置電流;B為磁場強度;d為半導體材料的厚度。對於一個給定的霍爾器件，當偏置電流 I 固定時，UH將完全取決於被測的磁場強度B。