三極體上標識LY是體效應整流三極體，NPN鍺材料 ； 三極體上標識SY體效應隧道三極體，PNP型矽材料； 三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型電晶體、晶體三極體，是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號， 也用作無觸點開關。晶體三極體，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN接面，兩個PN接面把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。 半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、複合管、PIN型管、鐳射器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下： 第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極體、3-三極體 第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極體時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型矽材料、D-P型矽材料。表示三極體時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型矽材料、D-NPN型矽材料。 第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F3MHz,Pc1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體閘流體（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效電晶體、BT-半導體特殊器件、FH-複合管、PIN-PIN型管、JG-鐳射器件。 第四部分：用數字表示序號 第五部分：用漢語拼音字母表示規格號
三極體上標識LY是體效應整流三極體，NPN鍺材料 ； 三極體上標識SY體效應隧道三極體，PNP型矽材料； 三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型電晶體、晶體三極體，是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號， 也用作無觸點開關。晶體三極體，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN接面，兩個PN接面把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。 半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、複合管、PIN型管、鐳射器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下： 第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極體、3-三極體 第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極體時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型矽材料、D-P型矽材料。表示三極體時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型矽材料、D-NPN型矽材料。 第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F3MHz,Pc1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體閘流體（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效電晶體、BT-半導體特殊器件、FH-複合管、PIN-PIN型管、JG-鐳射器件。 第四部分：用數字表示序號 第五部分：用漢語拼音字母表示規格號