常用小功率場效電晶體有：

IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS場效應

IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS場效應

IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS場效應

IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS場效應

IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS場效應

IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS場效應

IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS場效應

IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS場效應

IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS場效應

IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS場效應

IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS場效應

IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS場效應

IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS場效應

IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS場效應

IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS場效應

場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。