英文是FlashMemory

一種即便切斷電源也可以儲存已記錄的資料的非易失性儲存器。這是一種由EEPROM改進而來儲存介質，不過，EEPROM是以位元組為單位進行資料更新，而快閃記憶體則以塊為單位。由於快閃記憶體可以比EEPROM具有更小的電路，這使其能夠達到更高的整合度，有利於降低價格。計算機的BIOS、數字照相機等的儲存卡中都使用快閃記憶體

是一種電子式可清除程式化只讀儲存器的形式，允許在一次程式操作中被多次擦或寫的記憶體。在外行的術語中，它是一種不需要電力就能儲存資料的可重寫的記憶體晶片。市面上的儲存卡、隨身碟、MP3播放器、數碼相機和部分手機就用快閃記憶體。

概要

快閃記憶體不需電力來儲存資料，而且快閃記憶體可以有很快的讀取時間和很高的震動免疫力。所以快閃記憶體經常用在用電池的電器，例如手機和PDA.

普通EEPROM只允許單執行緒重寫資料，但是快閃記憶體允許多執行緒重寫（同時在多個地方重寫資料），所以快閃記憶體可以比普通EEPROM快。所有EEPROM（包括快閃記憶體）會隨著擦除資料的次數增加而變得不能使用。那是因為電流儲存單元周圍的絕緣氧化膜被破壞而造成的。典型快閃記憶體會在10,000個擦除操作之後變得無法使用。

快閃記憶體用FAMOS(Floating-GateAvalanche-InjectionMetalOxideSemiconductor)三極體來儲存資料。快閃記憶體可以用NAND或NOR邏輯閘來製造，但是市面上大多數都是用NAND邏輯閘，因為NAND邏輯閘比較便宜來製造。

工作原理

　　快閃記憶體用一個陣列浮門三極體來儲存資料。一個陣列儲存一個二進位制數位（bit），但是新的快閃記憶體可以用電子數量得多少來分級，也就可以用一個陣列儲存多於1個bit。

歷史

　　NOR快閃記憶體是最早開發的快閃記憶體，在1988年為Intel所發明，有高寫入和擦除時間，但是有完整地址/資料介面、並可以隨機讀取，所以NOR快閃記憶體合適用於儲存程式碼不需要經常更新，例如BIOS或韌體。它有10,000到1,000,000個擦除週期的壽命。

NAND快閃記憶體由三星和日立在1989年發明。它有更低的寫入和擦除時間、高密度、10倍的壽命和比NOR快閃記憶體低的製造成本。但是它的I/O介面只允許連續讀取，所以NAND快閃記憶體不適合計算機記憶體，但是卻很適合儲存卡。