人們已經知道，載流子就是電荷的載體（電荷的運輸者），也就是能夠移動的荷電粒子。在半導體的導電過程中運載電流的粒子，同時，可以是帶負電的電子，也可以是帶正電的空穴，帶電荷的電子或空穴就叫載流子。

由於載流子的移動，輸運電荷，就產生了電流。具有眾多個載流子的物質就是導體，相反，載流子少，甚至沒有載流子的物質就是絕緣體，而可以改變載流子數量的物質就是半導體。 每立方厘米中電子或空穴的數目就叫載流子濃度。

載流子的濃度是決定半導體電導率大小的主要因素，其單位是原子/cm3。在本徵半導體中，電子和空穴的濃度是相等的。而在含有雜質和晶格缺陷的半導體中，電子和空穴的濃度不相等。把數目較多的載流子叫多數載流子，把數目較少的載流子叫少數載流子，例如，N型半導體中，電子是多數載流子，空穴就是少數載流子，而在P型半導體中正好相反，空穴是多數載流子，電子是少數載流子。

溫度對半導體的載流子濃度有很大影響，無論是本徵型還是N型或P型半導體，裡面的載流子主要是靠熱運動激發而產生，所以溫度變化會使載流子濃度變化。其實，溫度對載流子濃度不僅有影響，而且影響是非常強烈的。

當溫度不高時，載流子主要由雜質產生，第二個來源是次要的，當溫度增加很高時，雜質原子可以釋放的電子或空穴全部釋放出來，第一個來源停止產生載流子，第二個來源產生的載流子可以趕上並大大超過第一來源，此時半導體將失去電子或空穴導電性，開始呈本徵導電性（即同時由電子和空穴產生導電）。