三星電子剛剛宣佈，其已開始生產業界首批 100 層 V-NAND 快閃記憶體，並計劃在企業級 PC SSD 上採用。

這家南韓科技巨頭稱，基於 256Gb 3-bit V-NAND 快閃記憶體的 SSD，已開始向全球 PC 製造商供貨。

鑑於 100 層 V-NAND 快閃記憶體單元只需經過單次蝕刻，新產品可兼顧速度、產量和能源效率，在市場上佔據領先優勢。

【資料圖，來自：Samsung】

該公司將在今年下半年提升產能，並使用 512Gb 3-bit V-NAND 快閃記憶體來生產 SSD 和 eUFS 產品，以滿足各種規格的新需求。

三星表示，其 100 層或第 6 代 V-NAND 快閃記憶體的寫入延遲低至 450μs、讀取響應時間為 45 μs 。

與 90 層 V-NAND 快閃記憶體相比，100 層 V-NAND 快閃記憶體不僅效能提升 10％，功耗還降低了 15% 。此外新工藝減少了生產步驟、縮減了晶片尺寸、並提升了 20% 的產量。

展望未來，三星計劃在移動和汽車領域部署全新的 V-NAND 快閃記憶體，以鞏固其在快閃記憶體市場的領導地位。

此前，這家南韓科技巨頭曾警告，在 2 季度財報釋出前，該公司業績表現仍存在著持續的不確定性，其中就包括日韓之間貿易摩擦所帶來的緊張局勢。

本週早些時候，日本將南韓從其貿易伙伴白名單中剔除，並於上月對用於半導體生產的關鍵材料實施貿易限制。

儘管同在南韓的 SK 海力士，其領導層曾下令企業制定應急方案。但三星似乎並沒有那麼慌張，而是決定繼續在今年下半年進一步投資生產。

最後，鑑於記憶體業務利潤和需求的大幅下滑，預計該公司二季度運營利潤會較去年同期削減一半。