鎧俠（Kioxia）宣佈，其已開發出一種名叫“Twin BiCS FLASH”的新式半圓形 3D 儲存單元結構。
與傳統迴圈設計的電荷陷阱單元相比，鎧俠首創的這種半圓形 3D 浮柵單元結構，具有更大的程式設計 / 擦除視窗和斜率，且單元尺寸做到了更小。
展望未來，這種設計有望在超越 4-bit（QLC）的儲存裝置中發揮巨大作用 —— 減少堆疊層數、或提供更高的儲存密度。
（題圖 via Kitguru）
在本月早些時候於舊金山舉辦的 IEEE 國際電子裝置會議上，鎧俠宣佈了這項新技術。近年來，隨著 3D 堆疊層數的增加，廠商得以透過更低的成本來實現更高的位密度。
然而在層數超過 100 之後，工藝的複雜程度也迅速提升，對產品的良率和一致性提出了更大的挑戰。為了克服這些問題，鎧俠提出了全新的半圓形單元設計。
其在傳統圓形單元的基礎上，對柵電極進行了分割，從而減少單元的尺寸，以實現在較少單元層數的情況下，帶來高密度的儲存。
鎧俠稱，半圓形浮柵（FG）單元具有出色的程式設計 / 可擦寫特性，有望獲得緊密的 QLC Vt 分佈和較小的單元尺寸。
作為行業向前發展、追求更高位元密度的一個可行選項，該公司將繼續致力於 Twin BiCS FLASH 的研發，並將之投入實際應用。
鎧俠（Kioxia）宣佈，其已開發出一種名叫“Twin BiCS FLASH”的新式半圓形 3D 儲存單元結構。
與傳統迴圈設計的電荷陷阱單元相比，鎧俠首創的這種半圓形 3D 浮柵單元結構，具有更大的程式設計 / 擦除視窗和斜率，且單元尺寸做到了更小。
展望未來，這種設計有望在超越 4-bit（QLC）的儲存裝置中發揮巨大作用 —— 減少堆疊層數、或提供更高的儲存密度。
（題圖 via Kitguru）
在本月早些時候於舊金山舉辦的 IEEE 國際電子裝置會議上，鎧俠宣佈了這項新技術。近年來，隨著 3D 堆疊層數的增加，廠商得以透過更低的成本來實現更高的位密度。
然而在層數超過 100 之後，工藝的複雜程度也迅速提升，對產品的良率和一致性提出了更大的挑戰。為了克服這些問題，鎧俠提出了全新的半圓形單元設計。
其在傳統圓形單元的基礎上，對柵電極進行了分割，從而減少單元的尺寸，以實現在較少單元層數的情況下，帶來高密度的儲存。
鎧俠稱，半圓形浮柵（FG）單元具有出色的程式設計 / 可擦寫特性，有望獲得緊密的 QLC Vt 分佈和較小的單元尺寸。
作為行業向前發展、追求更高位元密度的一個可行選項，該公司將繼續致力於 Twin BiCS FLASH 的研發，並將之投入實際應用。