今年的智慧手機除了5G、AI這兩個大熱點之外，在效能上還會再進一步，記憶體會升級到LPDDR5標準，快閃記憶體也會有UFS 3.0新一代標準，該規範去年初就制定完成了，此前爆料稱三星的Galaxy S10手機就會用上自家的UFS 3.0快閃記憶體。至於其他廠商，那就要依靠東芝等NAND廠商了，日前東芝就首發了UFS 3.0快閃記憶體，容量128/256/512GB，使用的是自家96層堆疊的3D TLC快閃記憶體，具體效能沒公版，只說比前代讀寫提升70%、80%，但這個效能追上一些NVMe硬碟還是可以的。
去年這個時候，JEDEC組織正式釋出UFS 3.0標準（JESD220D），一道被髮布的還有更新後的介面標準（UFSHCI）：JESD223D，以及適用於拓展儲存卡標準的UFS Card Extension 1.1（JESD220-2A。過去UFS 2.0採用的HS-Gear2（G2）規範是單通道單向理論頻寬1.45Gbps，雙通道雙向理論頻寬就是5.8Gabps；隨後UFS 2.1採用的HS-Gear3（G3）理論頻寬翻倍達到11.6Gbps，而今天剛剛釋出的UFS 3.0標準採用的頻寬規範是HS-Gear4（G4），再次實現頻寬翻倍，也就是單通道雙向11.6Gpps，因此雙通道雙向頻寬的理論最高值就是23.2Gbps，大約是2.9GB/s。
東芝的UFS 3.0快閃記憶體採用了自家BiCS 4技術的96層堆疊3D TLC快閃記憶體，標準11.5x13mm封裝，容量128GB、256GB及512GB，不過後兩種容量暫時還沒出樣，現在只有128GB版出樣給客戶了。
效能方面，東芝沒有透露具體的指標，只說比UFS 2.1快閃記憶體的讀寫速度提升了70%、80%，找了下東芝官網，東芝此前釋出的了64層堆疊的UFS 2.1快閃記憶體的讀取速度可達900MB/s，寫入為180MB/s，按照這個資料來看UFS 3.0的讀取速度約為1.5GB/s，寫入速度324MB/s，這個速度跟一些低端NVMe硬碟的效能有得一拼了，畢竟手機UFS快閃記憶體在DDR快取方面會吃虧一些，不然寫入速度也可以更好看一些。
至於哪款手機能夠首發UFS 3.0快閃記憶體，MWC 2019展會上就能見分曉了。
今年的智慧手機除了5G、AI這兩個大熱點之外，在效能上還會再進一步，記憶體會升級到LPDDR5標準，快閃記憶體也會有UFS 3.0新一代標準，該規範去年初就制定完成了，此前爆料稱三星的Galaxy S10手機就會用上自家的UFS 3.0快閃記憶體。至於其他廠商，那就要依靠東芝等NAND廠商了，日前東芝就首發了UFS 3.0快閃記憶體，容量128/256/512GB，使用的是自家96層堆疊的3D TLC快閃記憶體，具體效能沒公版，只說比前代讀寫提升70%、80%，但這個效能追上一些NVMe硬碟還是可以的。
去年這個時候，JEDEC組織正式釋出UFS 3.0標準（JESD220D），一道被髮布的還有更新後的介面標準（UFSHCI）：JESD223D，以及適用於拓展儲存卡標準的UFS Card Extension 1.1（JESD220-2A。過去UFS 2.0採用的HS-Gear2（G2）規範是單通道單向理論頻寬1.45Gbps，雙通道雙向理論頻寬就是5.8Gabps；隨後UFS 2.1採用的HS-Gear3（G3）理論頻寬翻倍達到11.6Gbps，而今天剛剛釋出的UFS 3.0標準採用的頻寬規範是HS-Gear4（G4），再次實現頻寬翻倍，也就是單通道雙向11.6Gpps，因此雙通道雙向頻寬的理論最高值就是23.2Gbps，大約是2.9GB/s。
東芝的UFS 3.0快閃記憶體採用了自家BiCS 4技術的96層堆疊3D TLC快閃記憶體，標準11.5x13mm封裝，容量128GB、256GB及512GB，不過後兩種容量暫時還沒出樣，現在只有128GB版出樣給客戶了。
效能方面，東芝沒有透露具體的指標，只說比UFS 2.1快閃記憶體的讀寫速度提升了70%、80%，找了下東芝官網，東芝此前釋出的了64層堆疊的UFS 2.1快閃記憶體的讀取速度可達900MB/s，寫入為180MB/s，按照這個資料來看UFS 3.0的讀取速度約為1.5GB/s，寫入速度324MB/s，這個速度跟一些低端NVMe硬碟的效能有得一拼了，畢竟手機UFS快閃記憶體在DDR快取方面會吃虧一些，不然寫入速度也可以更好看一些。
至於哪款手機能夠首發UFS 3.0快閃記憶體，MWC 2019展會上就能見分曉了。