1、容量變化
DDR4記憶體採用了差分訊號技(DiffrentialSignaling)術和三維堆疊技術(3DS)。DDR4記憶體既採用了傳統的SE訊號，還採用了差分訊號技術，傳統的SE訊號傳輸機制在高頻率下訊號容易受到干擾，而差分訊號技術採用兩條線路來傳送一個訊號，大大增加了抗干擾能力。它用來增大單顆晶片的容量。在使用了3DS堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到DDR3產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量記憶體單條容量為8GB（單顆晶片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。
2、記憶體功耗
記憶體功耗方面，DDR4記憶體的工作電壓進一步降低達到了1.2V，相比DDR3記憶體的1.5V工作電壓也降低了不少。功耗的降低能夠使得記憶體降低用電量和發熱，以達到提升記憶體條的穩定性，基本不會出現發熱引起的降頻現象。
3、記憶體頻率與頻寬
DDR4記憶體的工作頻率從2133MHZ起步，最高可達4266MHZ，相比DDR3記憶體工作頻率、記憶體時序有著較大的提升。DDR4記憶體的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的頻寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。
4、外觀變化
歷代記憶體金手指一直都是直線型的，直到DDR4記憶體之後，金手指的設計為中間稍突出，而邊緣收矮的形狀，這種設計的好處局勢，以保障DDR4記憶體金手指與記憶體插槽觸點有足夠的接觸面，確保訊號傳輸穩定，同時也解決了記憶體難以拔出和難以插入的問題。而DDR4記憶體金手指中間的缺口（防呆口）位置相比DDR3更加靠近中間。
在金手指觸點數量方面，DDR4記憶體有284個，而DDR3記憶體則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。
1、容量變化
DDR4記憶體採用了差分訊號技(DiffrentialSignaling)術和三維堆疊技術(3DS)。DDR4記憶體既採用了傳統的SE訊號，還採用了差分訊號技術，傳統的SE訊號傳輸機制在高頻率下訊號容易受到干擾，而差分訊號技術採用兩條線路來傳送一個訊號，大大增加了抗干擾能力。它用來增大單顆晶片的容量。在使用了3DS堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到DDR3產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量記憶體單條容量為8GB（單顆晶片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。
2、記憶體功耗
記憶體功耗方面，DDR4記憶體的工作電壓進一步降低達到了1.2V，相比DDR3記憶體的1.5V工作電壓也降低了不少。功耗的降低能夠使得記憶體降低用電量和發熱，以達到提升記憶體條的穩定性，基本不會出現發熱引起的降頻現象。
3、記憶體頻率與頻寬
DDR4記憶體的工作頻率從2133MHZ起步，最高可達4266MHZ，相比DDR3記憶體工作頻率、記憶體時序有著較大的提升。DDR4記憶體的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的頻寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。
4、外觀變化
歷代記憶體金手指一直都是直線型的，直到DDR4記憶體之後，金手指的設計為中間稍突出，而邊緣收矮的形狀，這種設計的好處局勢，以保障DDR4記憶體金手指與記憶體插槽觸點有足夠的接觸面，確保訊號傳輸穩定，同時也解決了記憶體難以拔出和難以插入的問題。而DDR4記憶體金手指中間的缺口（防呆口）位置相比DDR3更加靠近中間。
在金手指觸點數量方面，DDR4記憶體有284個，而DDR3記憶體則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。