找了半天，算是找到了hy57v561620ct-h 的相關資料。 1、HY代表是現代的產品 2、記憶體晶片型別：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、晶片容量和重新整理速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref 5、代表晶片輸出的資料位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位 6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關係 7、I/O介面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2 8、晶片核心版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表核心越新 9、代表功耗：L=低功耗晶片，空白=普通晶片 10、記憶體晶片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A 現代內SDRAM 3.3V工作電壓 256M 8K重新整理 16bit 位寬 4bank 133Mhz cl＝3 單面應該是128M
找了半天，算是找到了hy57v561620ct-h 的相關資料。 1、HY代表是現代的產品 2、記憶體晶片型別：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、晶片容量和重新整理速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref 5、代表晶片輸出的資料位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位 6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關係 7、I/O介面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2 8、晶片核心版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表核心越新 9、代表功耗：L=低功耗晶片，空白=普通晶片 10、記憶體晶片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A 現代內SDRAM 3.3V工作電壓 256M 8K重新整理 16bit 位寬 4bank 133Mhz cl＝3 單面應該是128M