1:空穴與電子帶相等的電荷量，並且一個帶正電一個帶負電。 2：平衡，不動 在3給 講原理就知道了 3：原理：pn結是由p型半導體和n型半導體構成的，這些 不講，書上 有 定義。 重點說下形成過程。 p區載流子包括：多子（空穴）少子（電子） n區載流子包括：多子（電子）少子（空穴） p區多子（空穴）濃度高於n區，所以p區空穴向n區擴散，p區空穴擴散到n區與n區的電子中和，在p區留下不可移動的負離子，同理n區也留下不可移動的正離子。n區正離子與p區負離子之間有電勢差，叫做勢磊。電場的方向是n區指向p區的，阻礙多子的擴散，卻有利於少子的運動，少子的運動叫做漂移，飄逸與擴散都產生電流。隨著擴散的進行，勢磊增大，漂移增強，擴散減弱，最後飄逸電流與擴散電流相等。達到平衡，流過pn結的淨電流為0，達到平衡。 4：此時空間電荷區沒有載流子了，叫做耗盡層。耗盡層中沒有空穴。 但是p區和n區還是有空穴的，空穴在負離子附近運動，但強調不在空間電荷區。 5補充一點，萬物都在運動中的，再說參照物不同，也不同。

1:空穴與電子帶相等的電荷量，並且一個帶正電一個帶負電。2：平衡，不動 在3給 講原理就知道了3：原理：pn結是由p型半導體和n型半導體構成的，這些 不講，書上 有 定義。 重點說下形成過程。p區載流子包括：多子（空穴）少子（電子）n區載流子包...