在原理上，半導體的製冷片只能算是一個熱傳遞的工具，雖然製冷片會主動為晶片散熱，但依然要將熱端的高於晶片的發熱量散發掉。在製冷片工作期間，只要冷熱端出現溫差，熱量便不斷地透過晶格的傳遞，將熱量移動到熱端並透過散熱裝置散發出去。因此，製冷片對於晶片來說是主動製冷的裝置，而對於整個系統來說，只能算是主動的導熱裝置，因此，採用半導體制冷裝置的ZENO96智冷版，依然要採取主動散熱的方式對製冷片的熱端進行降溫。 風扇以及散熱片的作用主要是為製冷片的熱端散熱，通常熱端的溫度在沒有散熱裝置的時候會達到100度左右，極易超過製冷片的承受極限，而且半導體制冷效率的關鍵就是要儘快降低熱端溫度以增大兩端溫差，提高製冷效果，因此在熱端採用大型的散熱片以及主動的散熱風扇將有助於散熱系統的優良工作。在正常使用情況下，冷熱端的溫差將保持在40～65度之間。 當一塊N型半導體材料和一塊P型半導體材料聯結成電偶對時，在這個電路中接通直流電流後，就能產生能量的轉移，電流由N型元件流向P型元件的接頭吸收熱量，成為冷端由P型元件流向N型元件的接頭釋放熱量，成為熱端。吸熱和放熱的大小是透過電流的大小以及半導體材料N、P的元件對數來決定，以下三點是熱電製冷的溫差電效應。

1、塞貝克效應

（SEEBECKEFFECT） 一八二二年德華人塞貝克發現當兩種不同的導體相連線時，如兩個連線點保持不同的溫差，則在導體中產生一個溫差電動勢：ES=S.△T 式中：ES為溫差電動勢 S為溫差電動勢率（塞貝克係數） △T為接點之間的溫差

2、珀爾帖效應

（PELTIEREFFECT） 一八三四年法華人珀爾帖發現了與塞貝克效應的效應，即當電流流經兩個不同導體形成的接點時，接點處會產生放熱和吸熱現象，放熱或吸熱大小由電流的大小來決定。 Qл=л

.I

л=aTc 式中：Qπ為放熱或吸熱功率 π為比例係數，稱為珀爾帖係數 I為工作電流 a為溫差電動勢率 Tc為冷接點溫度

3、湯姆遜效應

（THOMSONEFFECT） 當電流流經存在溫度梯度的導體時，除了由導體電阻產生的焦耳熱之外，導體還要放出或吸收熱量，在溫差為△T的導體兩點之間，其放熱量或吸熱量為： Qτ=τ.I.△T Qτ為放熱或吸熱功率 τ為湯姆遜係數 I為工作電流 △T為溫度梯度 以上的理論直到本世紀五十年代，蘇聯科學院半導體研究所約飛院士對半導體進行了大量研究，於一九五四年發表了研究成果，表明碲化鉍化合物固溶體有良好的製冷效果，這是最早的也是最重要的熱電半導體材料，至今還是溫差製冷中半導體材料的一種主要成份。 約飛的理論得到實踐應用後，有眾多的學者進行研究到六十年代半導體制冷材料的優值係數，才達到相當水平，得到大規模的應用，也就是我們現在的半導體制冷片件。 中國在半導體制冷技術開始於50年代末60年代初，當時在國際上也是比較早的研究單位之一，60年代中期，半導體材料的效能達到了國際水平，60年代末至80年代初是中國技術發展的一個臺階。在此期間，一方面半導體制冷材料的優值係數提高，另一方面拓寬其應用領域。投入了大量的人力和物力，獲得了，因而才有了現在的半導體制冷片的生產及其兩次產品的開發和應用。

在原理上，半導體的製冷片只能算是一個熱傳遞的工具，雖然製冷片會主動為晶片散熱，但依然要將熱端的高於晶片的發熱量散發掉。在製冷片工作期間，只要冷熱端出現溫差，熱量便不斷地透過晶格的傳遞，將熱量移動到熱端並透過散熱裝置散發出去。因此，製冷片對於晶片來說是主動製冷的裝置，而對於整個系統來說，只能算是主動的導熱裝置，因此，採用半導體制冷裝置的ZENO96智冷版，依然要採取主動散熱的方式對製冷片的熱端進行降溫。 風扇以及散熱片的作用主要是為製冷片的熱端散熱，通常熱端的溫度在沒有散熱裝置的時候會達到100度左右，極易超過製冷片的承受極限，而且半導體制冷效率的關鍵就是要儘快降低熱端溫度以增大兩端溫差，提高製冷效果，因此在熱端採用大型的散熱片以及主動的散熱風扇將有助於散熱系統的優良工作。在正常使用情況下，冷熱端的溫差將保持在40～65度之間。 當一塊N型半導體材料和一塊P型半導體材料聯結成電偶對時，在這個電路中接通直流電流後，就能產生能量的轉移，電流由N型元件流向P型元件的接頭吸收熱量，成為冷端由P型元件流向N型元件的接頭釋放熱量，成為熱端。吸熱和放熱的大小是透過電流的大小以及半導體材料N、P的元件對數來決定，以下三點是熱電製冷的溫差電效應。

1、塞貝克效應

（SEEBECKEFFECT） 一八二二年德華人塞貝克發現當兩種不同的導體相連線時，如兩個連線點保持不同的溫差，則在導體中產生一個溫差電動勢：ES=S.△T 式中：ES為溫差電動勢 S為溫差電動勢率（塞貝克係數） △T為接點之間的溫差

2、珀爾帖效應

（PELTIEREFFECT） 一八三四年法華人珀爾帖發現了與塞貝克效應的效應，即當電流流經兩個不同導體形成的接點時，接點處會產生放熱和吸熱現象，放熱或吸熱大小由電流的大小來決定。 Qл=л

.I

л=aTc 式中：Qπ為放熱或吸熱功率 π為比例係數，稱為珀爾帖係數 I為工作電流 a為溫差電動勢率 Tc為冷接點溫度

3、湯姆遜效應

（THOMSONEFFECT） 當電流流經存在溫度梯度的導體時，除了由導體電阻產生的焦耳熱之外，導體還要放出或吸收熱量，在溫差為△T的導體兩點之間，其放熱量或吸熱量為： Qτ=τ.I.△T Qτ為放熱或吸熱功率 τ為湯姆遜係數 I為工作電流 △T為溫度梯度 以上的理論直到本世紀五十年代，蘇聯科學院半導體研究所約飛院士對半導體進行了大量研究，於一九五四年發表了研究成果，表明碲化鉍化合物固溶體有良好的製冷效果，這是最早的也是最重要的熱電半導體材料，至今還是溫差製冷中半導體材料的一種主要成份。 約飛的理論得到實踐應用後，有眾多的學者進行研究到六十年代半導體制冷材料的優值係數，才達到相當水平，得到大規模的應用，也就是我們現在的半導體制冷片件。 中國在半導體制冷技術開始於50年代末60年代初，當時在國際上也是比較早的研究單位之一，60年代中期，半導體材料的效能達到了國際水平，60年代末至80年代初是中國技術發展的一個臺階。在此期間，一方面半導體制冷材料的優值係數提高，另一方面拓寬其應用領域。投入了大量的人力和物力，獲得了，因而才有了現在的半導體制冷片的生產及其兩次產品的開發和應用。

以上內容來自

在原理上，半導體的製冷片只能算是一個熱傳遞的工具，雖然製冷片會主動為晶片散熱，但依然要將熱端的高於晶片的發熱量散發掉。在製冷片工作期間，只要冷熱端出現溫差，熱量便不斷地透過晶格的傳遞，將熱量移動到熱端並透過散熱裝置散發出去。因此，製冷片對於晶片來說是主動製冷的裝置，而對於整個系統來說，只能算是主動的導熱裝置，因此，採用半導體制冷裝置的ZENO96智冷版，依然要採取主動散熱的方式對製冷片的熱端進行降溫。 風扇以及散熱片的作用主要是為製冷片的熱端散熱，通常熱端的溫度在沒有散熱裝置的時候會達到100度左右，極易超過製冷片的承受極限，而且半導體制冷效率的關鍵就是要儘快降低熱端溫度以增大兩端溫差，提高製冷效果，因此在熱端採用大型的散熱片以及主動的散熱風扇將有助於散熱系統的優良工作。在正常使用情況下，冷熱端的溫差將保持在40～65度之間。 當一塊N型半導體材料和一塊P型半導體材料聯結成電偶對時，在這個電路中接通直流電流後，就能產生能量的轉移，電流由N型元件流向P型元件的接頭吸收熱量，成為冷端由P型元件流向N型元件的接頭釋放熱量，成為熱端。吸熱和放熱的大小是透過電流的大小以及半導體材料N、P的元件對數來決定，以下三點是熱電製冷的溫差電效應。1、塞貝克效應 （SEEBECKEFFECT） 一八二二年德華人塞貝克發現當兩種不同的導體相連線時，如兩個連線點保持不同的溫差，則在導體中產生一個溫差電動勢：ES=S.△T 式中：ES為溫差電動勢 S為溫差電動勢率（塞貝克係數） △T為接點之間的溫差2、珀爾帖效應 （PELTIEREFFECT） 一八三四年法華人珀爾帖發現了與塞貝克效應的效應，即當電流流經兩個不同導體形成的接點時，接點處會產生放熱和吸熱現象，放熱或吸熱大小由電流的大小來決定。 Qл=л

.I

л=aTc 式中：Qπ為放熱或吸熱功率 π為比例係數，稱為珀爾帖係數 I為工作電流 a為溫差電動勢率 Tc為冷接點溫度3、湯姆遜效應 （THOMSONEFFECT） 當電流流經存在溫度梯度的導體時，除了由導體電阻產生的焦耳熱之外，導體還要放出或吸收熱量，在溫差為△T的導體兩點之間，其放熱量或吸熱量為： Qτ=τ.I.△T Qτ為放熱或吸熱功率 τ為湯姆遜係數 I為工作電流 △T為溫度梯度 以上的理論直到本世紀五十年代，蘇聯科學院半導體研究所約飛院士對半導體進行了大量研究，於一九五四年發表了研究成果，表明碲化鉍化合物固溶體有良好的製冷效果，這是最早的也是最重要的熱電半導體材料，至今還是溫差製冷中半導體材料的一種主要成份。 約飛的理論得到實踐應用後，有眾多的學者進行研究到六十年代半導體制冷材料的優值係數，才達到相當水平，得到大規模的應用，也就是我們現在的半導體制冷片件。 中國在半導體制冷技術開始於50年代末60年代初，當時在國際上也是比較早的研究單位之一，60年代中期，半導體材料的效能達到了國際水平，60年代末至80年代初是中國半導體制冷片技術發展的一個臺階。在此期間，一方面半導體制冷材料的優值係數提高，另一方面拓寬其應用領域。中國科學院半導體研究所投入了大量的人力和物力，獲得了半導體制冷片，因而才有了現在的半導體制冷片的生產及其兩次產品的開發和應用。 以上內容來自