記憶體標註是由四段字母或數字組成的:1部分標明的是生產此顆粒企業的名稱、2部分標明的是該記憶體模組的生產日期、3部分表示該記憶體顆粒的頻率、延遲引數、第4部分編號實際上是由12個小部分組成：記憶體模組的容量、顆粒的位寬、工作電壓等資訊 你的記憶體顆粒上：HY64T3200HDL-3.7-A 表示： 第1部分代表該顆粒的生產企業。“HY”是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現代生產製造。第2部分代表產品家族，由兩位數字或字母組成，“5D”表示為DDR記憶體，“57”表示為SDRAM記憶體。 第3部分代表工作電壓，由一個字母組成。其中含義為V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V來分別代表不同的工作電壓。 第4部分代表記憶體模組的容量和重新整理設定，由兩位數字或字母組成。對於DDR記憶體，分別由“64、66、28、32、56、57、12、1G”來代表不同的容量和重新整理設定。其中含義為：64代表64MB容量，4K重新整理；66代表64MB容量，2K重新整理； 28代表128MB容量，4K重新整理；56代表256MB容量，8K重新整理；57代表256MB容量，4K重新整理；12代表512MB容量，8K重新整理；1G代表1GB容量，8K重新整理。 第5部分代表該記憶體顆粒的位寬，由1個或2個數字組成。分為4種情況，分別用“4、8、16、32”來分別代表4bit、8bit、16bit和32bit。 第6部分表示的是Bank數，由1個數字組成。有三種情況，分別是“1”代表2 bank，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank。 第7部分代表介面型別，由一個數字組成。分為三種情況，分別是“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2；“3”代表SSTL_18。 第8部分代表該顆粒的版本，由一個字母組成，這部分的字母在26個字母中的位置越靠後，說明該記憶體顆粒的版本越新，目前為止HY記憶體共有5個版本，表現在編號上，空白表示第一版，“A”表示第二版，依次類推，到第5版則有“D”來代表。購買記憶體的時候版本越說明新電器效能越好。 第9部分代表的是功耗，如果該部分是空白，則說明該顆粒的功耗為普通，如果該部分出現了“L”字母，則代表該記憶體顆粒為低功耗。 第10部分代表記憶體的封裝型別，由一個或兩個字母組成。由“T”代表TOSP封裝，“Q”代表LOFP封裝，“F”代表FBGA封裝，“FC”代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封裝。 第11部分代表堆疊封裝，由一個或兩個字母組成。空白代表普通；S代表Hynix；K代表M&T；J代表其它；M代表MCP（Hynix）；MU代表MCP（UTC）。 第12部分代表封裝材料，由一個字母組成。空白表示普通，“P”代表鉛，“H”代表鹵素，“L”代表鉛和鹵素。