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  • 1 # iaodl19325

    顧名思義:導電效能介於導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料,叫做半導體(semiconductor).  物質存在的形式多種多樣,固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性和導電導熱性差或不好的材料,如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等,稱為絕緣體。而把導電、導熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介於導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。與導體和絕緣體相比,半導體材料的發現是最晚的,直到20世紀30年代,當材料的提純技術改進以後,半導體的存在才真正被學術界認可。  半導體的分類,按照其製造技術可以分為:分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類,一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類,最近雖然不常用,單還是按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其規模進行分類的方法。此外,還有按照其所處理的訊號,可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。[編輯本段]半導體定義  電阻率介於金屬和絕緣體之間並有負的電阻溫度係數的物質。  半導體室溫時電阻率約在10E-5~10E7歐·米之間,溫度升高時電阻率指數則減小。  半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。  鍺和矽是最常用的元素半導體;化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體(鎵鋁砷、鎵砷磷等)。除上述晶態半導體外,還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。  半導體(東北方言):意指半導體收音機,因收音機中的電晶體由半導體材料製成而得名。  本徵半導體  不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本徵半導體。在極低溫度下,半導體的價帶是滿帶(見能帶理論),受到熱激發後,價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶,空帶中存在電子後成為導帶,價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位,稱為空穴。導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子 - 空穴對,均能自由移動,即載流子,它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流,分別稱為電子導電和空穴導電。這種由於電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本徵導電。導帶中的電子會落入空穴,電子-空穴對消失,稱為複合。複合時釋放出的能量變成電磁輻射(發光)或晶格的熱振動能量(發熱)。在一定溫度下,電子 - 空穴對的產生和複合同時存在並達到動態平衡,此時半導體具有一定的載流子密度,從而具有一定的電阻率。溫度升高時,將產生更多的電子 - 空穴對,載流子密度增加,電阻率減小。無晶格缺陷的純淨半導體的電阻率較大,實際應用不多。[編輯本段]半導體特點  半導體三大特性∶攙雜性、熱敏性和光敏性。  ★在形成晶體結構的半導體中,人為地摻入特定的雜質元素,導電效能具有可控性。  ★在光照和熱輻射條件下,其導電性有明顯的變化。  晶格:晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣,稱為晶格。  共價鍵結構:相鄰的兩個原子的一對最外層電子(即價電子)不但各自圍繞自身所屬的原子核運動,而且出現在相鄰原子所屬的軌道上,成為共用電子,構成共價鍵。  自由電子的形成:在常溫下,少數的價電子由於熱運動獲得足夠的能量,掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子。  空穴:價電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。  電子電流:在外加電場的作用下,自由電子產生定向移動,形成電子電流。  空穴電流:價電子按一定的方向依次填補空穴(即空穴也產生定向移動),形成空穴電流。  本徵半導體的電流:電子電流+空穴電流。自由電子和空穴所帶電荷極性不同,它們運動方向相反。  載流子:運載電荷的粒子稱為載流子。  導體電的特點:導體導電只有一種載流子,即自由電子導電。  本徵半導體電的特點:本徵半導體有兩種載流子,即自由電子和空穴均參與導電。  本徵激發:半導體在熱激發下產生自由電子和空穴的現象稱為本徵激發。  複合:自由電子在運動的過程中如果與空穴相遇就會填補空穴,使兩者同時消失,這種現象稱為複合。  動態平衡:在一定的溫度下,本徵激發所產生的自由電子與空穴對,與複合的自由電子與空穴對數目相等,達到動態平衡。  載流子的濃度與溫度的關係:溫度一定,本徵半導體中載流子的濃度是一定的,並且自由電子與空穴的濃度相等。當溫度升高時,熱運動加劇,掙脫共價鍵束縛的自由電子增多,空穴也隨之增多(即載流子的濃度升高),導電效能增強;當溫度降低,則載流子的濃度降低,導電效能變差。  結論:本徵半導體的導電效能與溫度有關。半導體材料效能對溫度的敏感性,可製作熱敏和光敏器件,又造成半導體器件溫度穩定性差的原因。  雜質半導體:透過擴散工藝,在本徵半導體中摻入少量合適的雜質元素,可得到雜質半導體。  N型半導體:在純淨的矽晶體中摻入五價元素(如磷),使之取代晶格中矽原子的位置,就形成了N型半導體。  多數載流子:N型半導體中,自由電子的濃度大於空穴的濃度,稱為多數載流子,簡稱多子。  少數載流子:N型半導體中,空穴為少數載流子,簡稱少子。  施子原子:雜質原子可以提供電子,稱施子原子。  N型半導體的導電特性:它是靠自由電子導電,摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電效能也就越強。  P型半導體:在純淨的矽晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代晶格中矽原子的位置,形成P型半導體。  多子:P型半導體中,多子為電子。  少子:P型半導體中,少子為空穴。  受主原子:雜質原子中的空位吸收電子,稱受主原子。  P型半導體的導電特性:摻入的雜質越多,多子(空穴)的濃度就越高,導電效能也就越強。  結論:  多子的濃度決定於雜質濃度。  少子的濃度決定於溫度。  PN接面的形成:將P型半導體與N型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成PN接面。  PN接面的特點:具有單向導電性。  擴散運動:物質總是從濃度高的地方向濃度低的地方運動,這種由於濃度差而產生的運動稱為擴散運動。  空間電荷區:擴散到P區的自由電子與空穴複合,而擴散到N區的空穴與自由電子複合,所以在交介面附近多子的濃度下降,P區出現負離子區,N區出現正離子區,它們是不能移動,稱為空間電荷區。  電場形成:空間電荷區形成內電場。  空間電荷加寬,內電場增強,其方向由N區指向P區,阻止擴散運動的進行。  漂移運動:在電場力作用下,載流子的運動稱漂移運動。  PN接面的形成過程:如圖所示,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊矽片上,在無外電場和其它激發作用下,參與擴散運動的多子數目等於參與漂移運動的少子數目,從而達到動態平衡,形成PN接面。

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