隔值電容選擇舉例：
如果訊號頻率為2500MHz-2570MHz，檢視電容的自諧振頻率：
1、6.8pF：2821MHz
2、7pF：2793MHz
3、7.5pF：2631MHz
4、8pF：2563MHz
應用準則電容自諧振頻率略大於訊號頻率（或者在自諧振頻率大於訊號頻率的電容中，選擇容值最大的那個），上面四個電容中，7.5pF電容是最理想的隔直電容。
不同容值的電容，其自諧振頻率不同。在自諧振頻率處，電容的容抗最小；低於自諧振頻率，電容工作在容性狀態；高於自諧振頻率，電容工作在感性狀態。
以muRata GRM155系列電容為例，1pF、10pF、100pF、1000pF、10nF電容的自諧振頻率分別為7054MHz、2240MHz、678.6MHz、245MHz、77.35MHz，容值越高，其自諧振頻率越低。
擴充套件資料
在實際應用中，電容器的電容量往往比1法拉小得多，常用較小的單位，如毫法（mF）、微法(μF)、納法（nF）、皮法(pF)等，它們的關係是：1微法等於百萬分之一法拉；1皮法等於百萬分之一微法，即：
1法拉(F)=1000毫法(mF)；1毫法(mF)=1000微法(μF)；1微法(μF)=1000納法（nF）；1納法（nF）=1000皮法(pF)；即：1F=1000000μF；1μF=1000000pF。
(1)額定電壓，為在最低環境溫度和額定環境溫度下可連續加在電容器的最高直流電壓。如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器將被擊穿，造成損壞。在實際中，隨著溫度的升高，耐壓值將會變低。
(2)絕緣電阻。直流電壓加在電容上，產生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻。當電容較小時，其值主要取決於電容的表面狀態；容量大於0.1時，其值主要取決於介質。通常情況，絕緣電阻越大越好。
(3)損耗。電容在電場作用下，在單位時間內因發熱所消耗的能量稱做損耗。損耗與頻率範圍、介質、電導、電容金屬部分的電阻等有關。
(4)頻率特性。隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現下降的規律。當電容工作在諧振頻率以下時，表現為容性；當超過其諧振頻率時，表現為感性，此時就不是一個電容而是一個電感了。所以一定要避免電容工作於諧振頻率以上。
隔值電容選擇舉例：
如果訊號頻率為2500MHz-2570MHz，檢視電容的自諧振頻率：
1、6.8pF：2821MHz
2、7pF：2793MHz
3、7.5pF：2631MHz
4、8pF：2563MHz
應用準則電容自諧振頻率略大於訊號頻率（或者在自諧振頻率大於訊號頻率的電容中，選擇容值最大的那個），上面四個電容中，7.5pF電容是最理想的隔直電容。
不同容值的電容，其自諧振頻率不同。在自諧振頻率處，電容的容抗最小；低於自諧振頻率，電容工作在容性狀態；高於自諧振頻率，電容工作在感性狀態。
以muRata GRM155系列電容為例，1pF、10pF、100pF、1000pF、10nF電容的自諧振頻率分別為7054MHz、2240MHz、678.6MHz、245MHz、77.35MHz，容值越高，其自諧振頻率越低。
擴充套件資料
在實際應用中，電容器的電容量往往比1法拉小得多，常用較小的單位，如毫法（mF）、微法(μF)、納法（nF）、皮法(pF)等，它們的關係是：1微法等於百萬分之一法拉；1皮法等於百萬分之一微法，即：
1法拉(F)=1000毫法(mF)；1毫法(mF)=1000微法(μF)；1微法(μF)=1000納法（nF）；1納法（nF）=1000皮法(pF)；即：1F=1000000μF；1μF=1000000pF。
(1)額定電壓，為在最低環境溫度和額定環境溫度下可連續加在電容器的最高直流電壓。如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器將被擊穿，造成損壞。在實際中，隨著溫度的升高，耐壓值將會變低。
(2)絕緣電阻。直流電壓加在電容上，產生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻。當電容較小時，其值主要取決於電容的表面狀態；容量大於0.1時，其值主要取決於介質。通常情況，絕緣電阻越大越好。
(3)損耗。電容在電場作用下，在單位時間內因發熱所消耗的能量稱做損耗。損耗與頻率範圍、介質、電導、電容金屬部分的電阻等有關。
(4)頻率特性。隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現下降的規律。當電容工作在諧振頻率以下時，表現為容性；當超過其諧振頻率時，表現為感性，此時就不是一個電容而是一個電感了。所以一定要避免電容工作於諧振頻率以上。