問題一——濾波：多用於直流電路中，引入濾波電容的原因是要獲得平滑穩定的電壓，因為電容兩端的電壓不能突變，所以它能抑制電壓的波動，使電壓變得平穩光滑。
去耦：也叫退耦，主要作用有兩個：1、去除器件之間的交流射頻耦合。它能將器件的電源端上瞬間的尖峰、毛刺對地短路掉。理論上，頻率越高，需要的去耦電容越小。
旁路：旁路電容的作用是將回路中不需要的交流訊號對地短路掉。
問題二——你的說法理論上沒有錯，但是幾乎沒有人去這麼說。
電容在耦合的時候當然是串聯在電路中的，如果它並聯在器件之間，那到底是誰和誰耦合？去耦當然是並聯在器件的兩端，註明：電源端和地線，在具體運用的時候記得電容要儘量靠近電源端，去耦效果好，這是經驗。旁路一般是把電阻和電容並聯在一起，然後串聯在某個迴路中，通常這麼用。
問題三：這個問題沒有具體的答案。很難計算。但理論上肯定是頻率越高需要的電容越小的，因為頻率越高，電容的容抗越小，電路中的交流乾擾成分對地短路的程度越高，也就是衰減越大，這是我們想要的，但在實際的運用中，同樣的頻率，用0.1uF的電容和用0.01uF的電容效果幾乎是一樣的，誰也沒辦法解釋，但通常有經驗的工程師都喜歡用0.1uF，記住就可以了。
問題四：在晶振兩端對地接電容是為了校正時鐘波形。晶振和積體電路內部的電路組成震盪器，這兩個小電容就是配合這個振盪器工作用的，也可以說是振盪器的一部分。12M的晶振不一定非要用20P的，具體用多大的電容取決於你的晶片，比如51微控制器要30pF，AVR微控制器要22pF，這個和晶振的頻率沒有關係的。
問題四後面的那句話沒有分析明白，請說的清楚一點，你模擬的電路中有晶振麼？有晶振的話就不用任何輸入波形，沒有的話直接給12M的方波訊號源就可以了，但是要在XTAL1和XTAL2中選一個，這兩個中肯定有一個可以直接輸入外部之中頻率，具體哪一個，你需要查一下器件資料，直接用12M方波的訊號源接到這個引腳上就可以了。
說的夠明白了。
問題一——濾波：多用於直流電路中，引入濾波電容的原因是要獲得平滑穩定的電壓，因為電容兩端的電壓不能突變，所以它能抑制電壓的波動，使電壓變得平穩光滑。
去耦：也叫退耦，主要作用有兩個：1、去除器件之間的交流射頻耦合。它能將器件的電源端上瞬間的尖峰、毛刺對地短路掉。理論上，頻率越高，需要的去耦電容越小。
旁路：旁路電容的作用是將回路中不需要的交流訊號對地短路掉。
問題二——你的說法理論上沒有錯，但是幾乎沒有人去這麼說。
電容在耦合的時候當然是串聯在電路中的，如果它並聯在器件之間，那到底是誰和誰耦合？去耦當然是並聯在器件的兩端，註明：電源端和地線，在具體運用的時候記得電容要儘量靠近電源端，去耦效果好，這是經驗。旁路一般是把電阻和電容並聯在一起，然後串聯在某個迴路中，通常這麼用。
問題三：這個問題沒有具體的答案。很難計算。但理論上肯定是頻率越高需要的電容越小的，因為頻率越高，電容的容抗越小，電路中的交流乾擾成分對地短路的程度越高，也就是衰減越大，這是我們想要的，但在實際的運用中，同樣的頻率，用0.1uF的電容和用0.01uF的電容效果幾乎是一樣的，誰也沒辦法解釋，但通常有經驗的工程師都喜歡用0.1uF，記住就可以了。
問題四：在晶振兩端對地接電容是為了校正時鐘波形。晶振和積體電路內部的電路組成震盪器，這兩個小電容就是配合這個振盪器工作用的，也可以說是振盪器的一部分。12M的晶振不一定非要用20P的，具體用多大的電容取決於你的晶片，比如51微控制器要30pF，AVR微控制器要22pF，這個和晶振的頻率沒有關係的。
問題四後面的那句話沒有分析明白，請說的清楚一點，你模擬的電路中有晶振麼？有晶振的話就不用任何輸入波形，沒有的話直接給12M的方波訊號源就可以了，但是要在XTAL1和XTAL2中選一個，這兩個中肯定有一個可以直接輸入外部之中頻率，具體哪一個，你需要查一下器件資料，直接用12M方波的訊號源接到這個引腳上就可以了。
說的夠明白了。