肖特基二極體主要優點：1、正向壓降低，約只有一般矽二極體的一半。在下向導通時由於正向電壓低消耗的二極體上的功耗也小。2、反向恢復時間小，比超快速恢復管還要小得多。在高頻電路中除了正向導通功耗外還有較大的功耗就是開關功耗，反向恢復時間越小開關功耗也就越小。

肖特基二極體是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極體 肖特基二極體結構原理圖（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN接面原理製作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理製作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極體或表面勢壘二極體，它是一種熱載流子二極體。 　　 是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千毫安。這些優良特性是快恢復二極體所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極體大多采用封裝形式。 SBD的主要特點包括兩個方面： 　　1）由於肖特基勢壘高度低於PN接面勢壘高度，故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN接面二極體低（約低0.2V）。 　　2）由於SBD是一種多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。SBD的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同於PN接面二極體的反向恢復時間。由於SBD的反向恢復電荷非常少，故開關速度非常快，開關損耗也特別小，尤其適合於高頻應用。 　　但是，由於SBD的反向勢壘較薄，並且在其表面極易發生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由於SBD比PN接面二極體更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN接面二極體大。