1. 是用N溝道還是P溝道
。選擇好MOS管器件的第一步是決定採用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連線到幹線電壓上時，該MOS管就構
成了低壓側開關。在低壓側開關中，應採用N溝道MOS管，這是出於對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOS管連線到匯流排及負載接地時，就要用高壓側開
關。通常會在這個拓撲中採用P溝道MOS管，這也是出於對電壓驅動的考慮。確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大，器件
的成本就越高。根據實踐經驗，額定電壓應當大於幹線電壓或匯流排電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOS管不會失效。就選擇MOS管而言，必須確定漏極至源
極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。我們須在整個工作溫度範圍內測試電壓的變化範圍。額定
電壓必須有足夠的餘量覆蓋這個變化範圍，確保電路不會失效。需要考慮的其他安全因素包括由開關電子裝置（如電機或變壓器）誘發的電壓瞬變。不同應用的額定
電壓也有所不同；通常，行動式裝置為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。
2.
確定MOS管的額定電流。該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個額定電流，即使在系統產生
尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈衝尖峰。在連續導通模式下，MOS管處於穩態，此時電流連續透過器件。脈衝尖峰是指有大量電湧（或尖峰電
流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。選好額定電流後，還必須計算導通損耗。在實際情況
下，MOS管並不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOS管在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確
定，並隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由於導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOS管施
加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越小；反之RDS（ON）就會越高。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微上升。關於RDS（ON）電阻的各種電
氣引數變化可在製造商提供的技術資料表中查到。
3. 選擇MOS管的下一步是系統的散熱要求。須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議採用針對最壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的安全餘量，能確保系統不會失效。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測量資料；器件的結溫等於最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積（結溫=最大環境溫度+［熱阻×功率耗散］）。根據這個式子可解出系統的最大功率耗散，即按定義相等於I2×RDS（ON）。我們已將要透過器件的最大電流，可以計算出不同溫度下的RDS（ON）。另外，還要做好電路板
及其MOS管的散熱。雪崩擊穿是指半導體器件上的反向電壓超過最大值，並形成強電場使器件內電流增加。晶片尺寸的增加會提高抗雪崩能力，最終提高器件的穩健性。因此選擇更大的封裝件可以有效防止雪崩。
4.
選擇MOS管的最後一步是決定MOS管的開關效能。影響開關效能的引數有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/
源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。MOS管的開關速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關過
程中器件的總損耗，要計算開透過程中的損耗（Eon）和關閉過程中的損壞（Eoff）。MOSFET開關的總功率可用如下方程表達：Psw=
（Eon+Eoff）×開關頻率。而柵極電荷（Qgd）對開關效能的影響最大。
1. 是用N溝道還是P溝道
。選擇好MOS管器件的第一步是決定採用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連線到幹線電壓上時，該MOS管就構
成了低壓側開關。在低壓側開關中，應採用N溝道MOS管，這是出於對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOS管連線到匯流排及負載接地時，就要用高壓側開
關。通常會在這個拓撲中採用P溝道MOS管，這也是出於對電壓驅動的考慮。確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大，器件
的成本就越高。根據實踐經驗，額定電壓應當大於幹線電壓或匯流排電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOS管不會失效。就選擇MOS管而言，必須確定漏極至源
極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。我們須在整個工作溫度範圍內測試電壓的變化範圍。額定
電壓必須有足夠的餘量覆蓋這個變化範圍，確保電路不會失效。需要考慮的其他安全因素包括由開關電子裝置（如電機或變壓器）誘發的電壓瞬變。不同應用的額定
電壓也有所不同；通常，行動式裝置為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。
2.
確定MOS管的額定電流。該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個額定電流，即使在系統產生
尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈衝尖峰。在連續導通模式下，MOS管處於穩態，此時電流連續透過器件。脈衝尖峰是指有大量電湧（或尖峰電
流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。選好額定電流後，還必須計算導通損耗。在實際情況
下，MOS管並不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOS管在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確
定，並隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由於導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOS管施
加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越小；反之RDS（ON）就會越高。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微上升。關於RDS（ON）電阻的各種電
氣引數變化可在製造商提供的技術資料表中查到。
3. 選擇MOS管的下一步是系統的散熱要求。須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議採用針對最壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的安全餘量，能確保系統不會失效。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測量資料；器件的結溫等於最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積（結溫=最大環境溫度+［熱阻×功率耗散］）。根據這個式子可解出系統的最大功率耗散，即按定義相等於I2×RDS（ON）。我們已將要透過器件的最大電流，可以計算出不同溫度下的RDS（ON）。另外，還要做好電路板
及其MOS管的散熱。雪崩擊穿是指半導體器件上的反向電壓超過最大值，並形成強電場使器件內電流增加。晶片尺寸的增加會提高抗雪崩能力，最終提高器件的穩健性。因此選擇更大的封裝件可以有效防止雪崩。
4.
選擇MOS管的最後一步是決定MOS管的開關效能。影響開關效能的引數有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/
源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。MOS管的開關速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關過
程中器件的總損耗，要計算開透過程中的損耗（Eon）和關閉過程中的損壞（Eoff）。MOSFET開關的總功率可用如下方程表達：Psw=
（Eon+Eoff）×開關頻率。而柵極電荷（Qgd）對開關效能的影響最大。