等離子體刻蝕（也稱幹法刻蝕）是積體電路製造中的關鍵工藝之一，其目的是完整地將掩膜圖形複製到矽片表面，其範圍涵蓋前端CMOS柵極（Gate）大小的控制，以及後端金屬鋁的刻蝕及Via和Trench的刻蝕。在今天沒有一個積體電路晶片能在缺乏等離子體刻蝕技術情況下完成。刻蝕裝置的投資在整個晶片廠的裝置投資中約佔10%~12%比重，它的工藝水平將直接影響到最終產品質量及生產技術的先進性。最早報道等離子體刻蝕的技術文獻於1973年在日本發表，並很快引起了工業界的重視。至今還在積體電路製造中廣泛應用的平行電極刻蝕反應室（Reactive Ion Etch-RIE）是在1974年提出的設想。圖1顯示了這種反應室的剖面示意圖和重要的實驗引數，它是由下列幾項組成：一個真空腔體和真空系統，一個氣體系統用於提供精確的氣體種類和流量，射頻電源及其調節匹配電路系統。等離子刻蝕的原理可以概括為以下幾個步驟：● 在低壓下，反應氣體在射頻功率的激發下，產生電離並形成等離子體，等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應腔體中 的氣體在電子的撞擊下，除了轉變成離子外，還能吸收能量並形成大量的活性基團（Radicals）● 活性反應基團和被刻蝕物質表面形成化學反應並形成揮發性的反應生成物● 反應生成物脫離被刻蝕物質表面，並被真空系統抽出腔體。在平行電極等離子體反應腔體中，被刻蝕物是被置於面積較小的電極上，在這種情況，一個直流偏壓會在等離子體和該電極間形成，並使帶正電的反應氣體離子加速撞擊被刻蝕物質表面，這種離子轟擊可大大加快表面的化學反應，及反應生成物的脫附，從而導致很高的刻蝕速率，正是由於離子轟擊的存在才使得各向異性刻蝕得以實現。資料來自：
www.uniplasma.com
等離子體刻蝕（也稱幹法刻蝕）是積體電路製造中的關鍵工藝之一，其目的是完整地將掩膜圖形複製到矽片表面，其範圍涵蓋前端CMOS柵極（Gate）大小的控制，以及後端金屬鋁的刻蝕及Via和Trench的刻蝕。在今天沒有一個積體電路晶片能在缺乏等離子體刻蝕技術情況下完成。刻蝕裝置的投資在整個晶片廠的裝置投資中約佔10%~12%比重，它的工藝水平將直接影響到最終產品質量及生產技術的先進性。最早報道等離子體刻蝕的技術文獻於1973年在日本發表，並很快引起了工業界的重視。至今還在積體電路製造中廣泛應用的平行電極刻蝕反應室（Reactive Ion Etch-RIE）是在1974年提出的設想。圖1顯示了這種反應室的剖面示意圖和重要的實驗引數，它是由下列幾項組成：一個真空腔體和真空系統，一個氣體系統用於提供精確的氣體種類和流量，射頻電源及其調節匹配電路系統。等離子刻蝕的原理可以概括為以下幾個步驟：● 在低壓下，反應氣體在射頻功率的激發下，產生電離並形成等離子體，等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應腔體中 的氣體在電子的撞擊下，除了轉變成離子外，還能吸收能量並形成大量的活性基團（Radicals）● 活性反應基團和被刻蝕物質表面形成化學反應並形成揮發性的反應生成物● 反應生成物脫離被刻蝕物質表面，並被真空系統抽出腔體。在平行電極等離子體反應腔體中，被刻蝕物是被置於面積較小的電極上，在這種情況，一個直流偏壓會在等離子體和該電極間形成，並使帶正電的反應氣體離子加速撞擊被刻蝕物質表面，這種離子轟擊可大大加快表面的化學反應，及反應生成物的脫附，從而導致很高的刻蝕速率，正是由於離子轟擊的存在才使得各向異性刻蝕得以實現。資料來自：
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