（以N管為例）簡單來說就是：1. 柵極加正電壓（VGS>VTH），形成縱向電場，吸引電子、排斥空穴，在柵氧化層下形成電子導電溝道，將源極和漏極連起來。2. 漏極加正電壓(VDS>0)，形成橫向電場，電子逆著電場方向漂移到漏極，形成漏極到源極的電流。深入瞭解：1. 如果柵極家的電壓不夠大，即VGS<VTH，則無法形成導電溝道，不能即源極和漏極連線起來，此時即使加上漏極電壓，也不會有電流因此，導電溝道的形成，是MOS工作的基礎。（注：忽略亞閾區導電）。2. 柵極電壓越大，縱向電場就越強，吸引的電子就越多，導電溝道中的電子濃度也就越大，在相同的漏極電壓下，產生的電流也越大。因此MOS管是壓控器件，透過柵極電壓來控制電流的大小。3. 由於漏極電壓是比源極電壓高的（VD>VS，VDS=VD-VS>0），因而VGD<VGS，如果漏極電壓高到使使VGD<VTH，那麼柵極下方靠近漏極的導電溝道便會消失。4. 在連線漏極的導電溝道沒有被夾斷之前，改變漏極電壓也能控制電流大小，但是夾斷之後，電流就只由柵極電壓控制了。（注：忽略溝道長度調製效應）5. 之所以會發生4中所描述的現象，是因為，在連線漏極的導電溝道沒有被夾斷之前，整個導電溝道被視作一個橫向的電阻，加大橫向的電壓，電流當然會變大。但是在夾斷之後，無論漏極的電壓多大，由於柵極到夾斷點的電壓都是VTH，因而橫向導電溝道上（源極到夾斷點）所加的電壓都只有VGS-VTH那麼大，所以多餘的電壓全部加在漏極和導電溝道之間的耗盡區（電阻非常大，因為沒有載流子）；而電流大小是取決於導電溝道的電子濃度（由柵極電壓控制）和加在導電溝道上的電壓（此時恆定）的，因而此時電流不受漏極電壓控制，只受柵極電壓控制。（注：不考慮漏極擊穿和漏源穿通）前面一個是線性區，後面一個是飽和區，這是根據漏極電壓對電流的控制效果來命名的，即受控與不受控。還有一些二階效應（襯底偏置效應，溝道長度調製效應），我就不講了，把前面的基礎的理解了，後面的這些一學就懂了。

（以N管為例）簡單來說就是：1. 柵極加正電壓（VGS>VTH），形成縱向電場，吸引電子、排斥空穴，在柵氧化層下形成電子導電溝道，將源極和漏極連起來。2. 漏極加正電壓(VDS>0)，形成橫向電場，電子逆著電場方向漂移到漏極，形成漏極到源極的電流。深入瞭解：1. 如果柵極家的電壓不夠大，即VGS<VTH，則無法形成導電溝道，不能即源極和漏極連線起來，此時即使加上漏極電壓，也不會有電流因此，導電溝道的形成，是MOS工作的基礎。（注：忽略亞閾區導電）。2. 柵極電壓越大，縱向電場就越強，吸引的電子就越多，導電溝道中的電子濃度也就越大，在相同的漏極電壓下，產生的電流也越大。因此MOS管是壓控器件，透過柵極電壓來控制電流的大小。3. 由於漏極電壓是比源極電壓高的（VD>VS，VDS=VD-VS>0），因而VGD<VGS，如果漏極電壓高到使使VGD<VTH，那麼柵極下方靠近漏極的導電溝道便會消失。4. 在連線漏極的導電溝道沒有被夾斷之前，改變漏極電壓也能控制電流大小，但是夾斷之後，電流就只由柵極電壓控制了。（注：忽略溝道長度調製效應）5. 之所以會發生4中所描述的現象，是因為，在連線漏極的導電溝道沒有被夾斷之前，整個導電溝道被視作一個橫向的電阻，加大橫向的電壓，電流當然會變大。但是在夾斷之後，無論漏極的電壓多大，由於柵極到夾斷點的電壓都是VTH，因而橫向導電溝道上（源極到夾斷點）所加的電壓都只有VGS-VTH那麼大，所以多餘的電壓全部加在漏極和導電溝道之間的耗盡區（電阻非常大，因為沒有載流子）；而電流大小是取決於導電溝道的電子濃度（由柵極電壓控制）和加在導電溝道上的電壓（此時恆定）的，因而此時電流不受漏極電壓控制，只受柵極電壓控制。（注：不考慮漏極擊穿和漏源穿通）前面一個是線性區，後面一個是飽和區，這是根據漏極電壓對電流的控制效果來命名的，即受控與不受控。還有一些二階效應（襯底偏置效應，溝道長度調製效應），我就不講了，把前面的基礎的理解了，後面的這些一學就懂了。