早在1907年開始，人們就發現某些半導體材料製成的二極體在正向導通時有發光的物理現象，但生產出有一定發光效率的紅光LED已是1969年了。1994-1995年人們開發成功了藍光LED，並在1998年實現了真正商品化。2000-2002年間，研發人員不斷追求成本效益，使LED成功打入手機背光源市場。到今天，LED已生產了30多年，各種型別的LED、利用LED作二次開發的產品及與LED配套的產品(如白光LED驅動器)發展迅速，新產品不斷上市，並已發展成為一種新型產業。LED技術研發之路，最為人津津樂道的故事，就是開發藍光LED時，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩大門派之爭。這也是許多研發團隊辛勤投入開發藍光LED元件時，必須痛苦抉擇的兩條截然不同的道路。之前，全球許多大公司皆投入SiC研發，結果日本一家專門做熒光粉業務的公司——日本日亞化工公司(NichiaChemicalIndustriesLtd.)的研發人員中村修二先生(ShujNakamura)於1994年和1995年，在氮化鎵(GaN)研究方面獲得重大突破，並取得震驚全球的專利。這位研發人員的重大突破，引發了包括Sony及Toshiba等大廠的最高主管都出面為自己所做的錯誤決策導致技術落後而道歉。這位Nakamura的技術突破，讓氮化鎵(GaN)陣營正式快速超越SiC。原本做熒光粉業務的Nichia由於在藍光LED技術上的成功，使其年營業額從約1億美元快速發展到2003年的9億美元。而原本該公司準備發給Nakamura的專利獎勵金是日幣200萬元，經過一場官司後，Nichia被判定應該給這位研究人員日幣2億元。繼藍光LED技術突破後，白光LED正式啟動了廣泛的LED應用風潮，從顯示、指示及手機光源，到正在醞釀中的LCD-TV背光源，各種新機會的大門不斷被創意敲開。LED是繼1950年代矽(Si)半導體技術後，由三五族(III-V族)化合物半導體發展的半導體器件。LED的發光原理是利用半導體中的電子和空穴結合而發出光子，不同於燈泡需要在3000度以上的高溫下操作，也不必像日光燈需使用高電壓激發電子束，LED和一般的電子元件相同，只需要2-4V的電壓，在常溫下就可以正常動作，因此其壽命也比傳統光源來得更長。LED所發出的顏色，主要是取決於電子與空穴結合所釋放出來的能量高低，也就是由所用的半導體材料的能隙所決定。同一種材料的波長都很接近，因此每一顆LED的光色都很純正，與傳統光源都混有多種顏色相比，LED可說是一種數字化的光源。LED晶片大小可以因用途而隨意切割，常用的大小為0.3-1.0mm左右，跟傳統的燈泡或日光燈相比，體積相對小得多。為了使用方便，LED通常都使用樹脂包裝，做成5mm左右的各種形狀，十分堅固耐震。