主要區別是金屬的電阻率隨溫度升高而增大。而半導體的電阻率在低溫、室溫和高溫情況下，變化情況各不相同。

一、金屬電阻率與溫度的關係：

金屬材料在溫度不高，溫度變化不大的範圍內：幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化，即ρ與溫度t(℃)的關係是ρt=ρ0(1+at)，式中ρ1與ρ0分別是t℃和0℃時的電阻率;α是電阻率的溫度係數，與材料有關。錳銅的α約為1×10-1/℃(其數值極小)，用其製成的電阻器的電阻值在常溫範圍下隨溫度變化極小，適合於作標準電阻。已知材料的ρ值隨溫度而變化的規律後，可製成電阻式溫度計來測量溫度。

二、半導體電阻率與溫度的關係：

決定電阻率溫度關係的主要因素是載流子濃度和遷移率隨溫度的變化關係。

在低溫下：由於載流子濃度指數式增大（施主或受主雜質不斷電離），而遷移率也是增大的（電離雜質散射作用減弱之故），所以這時電阻率隨著溫度的升高而下降。

在室溫下：由於施主或受主雜質已經完全電離，則載流子濃度不變，但遷移率將隨著溫度的升高而降低（晶格振動加劇，導致聲子散射增強所致），所以電阻率將隨著溫度的升高而增大。

在高溫下：這時本徵激發開始起作用，載流子濃度將指數式地很快增大，雖然這時遷移率仍然隨著溫度的升高而降低（晶格振動散射散射越來越強），但是這種遷移率降低的作用不如載流子濃度增大的強，所以總的效果是電阻率隨著溫度的升高而下降。