vdss 600v;電源電壓600伏
rds(on) 0.29ohm;電阻0.29歐姆
id +/-21a; 電流強度21安培
pd 160W/A; 電位差 160
vgs +/-30v ；柵極電壓±30伏
型號/規格 2SK3528
種類 結型(JFET) 溝道型別 N溝道
導電方式 增強型 用途 L/功率放大
封裝外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 MES金屬半導體
三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型電晶體、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件·其作用是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號， 也用作無觸點開關。晶體三極體，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN接面，兩個PN接面把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。
原理理論
晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和矽管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是矽NPN和鍺PNP兩種三極體，（其中，N表示在高純度矽中加入磷，是指取代一些矽原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代矽，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN矽管的電流放大原理。
對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN接面稱為發射結,而集電區與基區形成的PN接面稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。
當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Eb。
在製造三極體時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源後，由於發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以透過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流了。
由於基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被複合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得：
Ie=Ib+Ic
這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關係，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--稱為直流放大倍數，
集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：
β= △Ic/△Ib
式中β--稱為交流電流放大倍數，由於低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。
α1=Ic/Ie(Ic與Ie是直流通路中的電流大小)
式中：α1也稱為直流放大倍數，一般在共基極組態放大電路中使用，描述了射極電流與集電極電流的關係。
α =△Ic/△Ie
表示式中的α為交流共基極電流放大倍數。同理α與α1在小訊號輸入時相差也不大。
對於兩個描述電流關係的放大倍數有以下關係
三極體的電流放大作用實際上是利用基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化。
三極體是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三極體的電流放大作用，透過電阻轉變為電壓放大作用。
分類
a.按材質分: 矽管、鍺管；
b.按結構分: NPN 、 PNP。如圖所示；
c.按功能分: 開關管、功率管、達林頓管、光敏管等.；
d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管；
e.按工作頻率分：低頻管、高頻管、超頻管；
f.按結構工藝分：合金管、平面管；
g.按安裝方式:外掛三極體、貼片三極體。
vdss 600v;電源電壓600伏
rds(on) 0.29ohm;電阻0.29歐姆
id +/-21a; 電流強度21安培
pd 160W/A; 電位差 160
vgs +/-30v ；柵極電壓±30伏
型號/規格 2SK3528
種類 結型(JFET) 溝道型別 N溝道
導電方式 增強型 用途 L/功率放大
封裝外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 MES金屬半導體
三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型電晶體、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件·其作用是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號， 也用作無觸點開關。晶體三極體，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN接面，兩個PN接面把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。
原理理論
晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和矽管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是矽NPN和鍺PNP兩種三極體，（其中，N表示在高純度矽中加入磷，是指取代一些矽原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代矽，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN矽管的電流放大原理。
對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN接面稱為發射結,而集電區與基區形成的PN接面稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。
當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Eb。
在製造三極體時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源後，由於發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以透過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流了。
由於基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被複合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得：
Ie=Ib+Ic
這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關係，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--稱為直流放大倍數，
集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：
β= △Ic/△Ib
式中β--稱為交流電流放大倍數，由於低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。
α1=Ic/Ie(Ic與Ie是直流通路中的電流大小)
式中：α1也稱為直流放大倍數，一般在共基極組態放大電路中使用，描述了射極電流與集電極電流的關係。
α =△Ic/△Ie
表示式中的α為交流共基極電流放大倍數。同理α與α1在小訊號輸入時相差也不大。
對於兩個描述電流關係的放大倍數有以下關係
三極體的電流放大作用實際上是利用基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化。
三極體是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三極體的電流放大作用，透過電阻轉變為電壓放大作用。
分類
a.按材質分: 矽管、鍺管；
b.按結構分: NPN 、 PNP。如圖所示；
c.按功能分: 開關管、功率管、達林頓管、光敏管等.；
d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管；
e.按工作頻率分：低頻管、高頻管、超頻管；
f.按結構工藝分：合金管、平面管；
g.按安裝方式:外掛三極體、貼片三極體。