三極體飽和後C、E 間視為短路.三極體截止後C、E 間視為開路.三極體構成的放大電路，在實際應用中，除了用做放大器外（在放大區），三極體還有兩種工作狀態，即飽和與截止狀態。 三極體飽和狀態下的特點:要使三極體處於飽和狀態，必須基極電流足夠大，即IB≥IBS。三極體在飽和時，集電極與發射極間的飽和電壓（UCES）很小，根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式UCE＝EC－ICRC，所以IBS＝ICS／β＝EC－UCES／β≈EC／βRC。三極體飽和時，基極電流很大，對矽管來說，發射結的飽和壓降UBES＝0.7V（鍺管UBES＝－0.3V），而UCES＝0.3V，可見，UBE＞0，UBC＞0，也就是說，發射結和集電結均為正偏。三極體飽和後，C、E 間的飽和電阻RCE＝UCES／ICS，UCES 很小，ICS 最大，故飽和電阻RCES很小。.飽和後IC不會隨著IB的增加再增加，三極體飽和後C、E 間視為短路。三極體截止狀態下的特點:要使三極體處於截止狀態，必須基極電流IB＝0，此時集電極IC＝ICEO≈0（ICEO 為穿透電流，極小），根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式UCE＝EC－ICRC，集電極與發射極間的電壓UCE≈EC。三極體截止時，基極電流IB＝0，而集電極與發射極間的電壓UCE≈ECO 可見，UBE≤0，UBC＜0，也就是說，發射結和集電結均為反偏。三極體截止後，C、E 間的截止電阻RCE＝UCE／IC，UCES 很大，等於電源電壓，ICS 極小，C、E 間電阻RCE 很大，所以，三極體截止後C、E 間視為開路..三極體放大狀態下的特點:要使三極體處於放大狀態，基極電流必須為：0＜IB＜IBS。三極體放大時，基極電流IB＞0，對矽管來說，發射結的壓降UBE＝0.7V（鍺管UBE＝－0.3V），三極體在放大狀態時，集電極與發射極間的電壓UCE＞1V 以上，UBE＞0，UBC＜0，也就是說，發射結正偏，集電結反偏。三極體在放大狀態時，IB 與IC 成唯一對應關係。當IB 增大時，IC 也增大，並且1B 增大一倍，IC 也增大一倍。所以，IC 主要受IB 控制而變化，且IC 的變化比IB 的變化大得多，即集電極電流IC＝β×IB。
三極體飽和後C、E 間視為短路.三極體截止後C、E 間視為開路.三極體構成的放大電路，在實際應用中，除了用做放大器外（在放大區），三極體還有兩種工作狀態，即飽和與截止狀態。 三極體飽和狀態下的特點:要使三極體處於飽和狀態，必須基極電流足夠大，即IB≥IBS。三極體在飽和時，集電極與發射極間的飽和電壓（UCES）很小，根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式UCE＝EC－ICRC，所以IBS＝ICS／β＝EC－UCES／β≈EC／βRC。三極體飽和時，基極電流很大，對矽管來說，發射結的飽和壓降UBES＝0.7V（鍺管UBES＝－0.3V），而UCES＝0.3V，可見，UBE＞0，UBC＞0，也就是說，發射結和集電結均為正偏。三極體飽和後，C、E 間的飽和電阻RCE＝UCES／ICS，UCES 很小，ICS 最大，故飽和電阻RCES很小。.飽和後IC不會隨著IB的增加再增加，三極體飽和後C、E 間視為短路。三極體截止狀態下的特點:要使三極體處於截止狀態，必須基極電流IB＝0，此時集電極IC＝ICEO≈0（ICEO 為穿透電流，極小），根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式UCE＝EC－ICRC，集電極與發射極間的電壓UCE≈EC。三極體截止時，基極電流IB＝0，而集電極與發射極間的電壓UCE≈ECO 可見，UBE≤0，UBC＜0，也就是說，發射結和集電結均為反偏。三極體截止後，C、E 間的截止電阻RCE＝UCE／IC，UCES 很大，等於電源電壓，ICS 極小，C、E 間電阻RCE 很大，所以，三極體截止後C、E 間視為開路..三極體放大狀態下的特點:要使三極體處於放大狀態，基極電流必須為：0＜IB＜IBS。三極體放大時，基極電流IB＞0，對矽管來說，發射結的壓降UBE＝0.7V（鍺管UBE＝－0.3V），三極體在放大狀態時，集電極與發射極間的電壓UCE＞1V 以上，UBE＞0，UBC＜0，也就是說，發射結正偏，集電結反偏。三極體在放大狀態時，IB 與IC 成唯一對應關係。當IB 增大時，IC 也增大，並且1B 增大一倍，IC 也增大一倍。所以，IC 主要受IB 控制而變化，且IC 的變化比IB 的變化大得多，即集電極電流IC＝β×IB。