場效電晶體引數是:N一M0SFET/耐壓600V/電流9A/功率50W/。

可以替換的如下：K2645:600V,1.2Ω,9A,50WK2141:600V,1.1Ω,6A,35WK3326:500V,0.85Ω,10A,40WK1388:30V,0.022Ω,35A,60WK1101:450V,0.5Ω,10A,50W場效應電晶體(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效電晶體。主要有兩種型別(junction FET-JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET)。組成：由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(10~10Ω)、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。場效電晶體(FET)是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。歷史：場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的器件一直到1952年才被製造出來（結型場效電晶體）。1960年Dawan Kahng發明了金氧半導體場效應電晶體，從而大部分代替了JFET，對電子行業的發展有著深遠的意義。