EVGA的G1系列電源早在2013年已經推出市場，隨後我們還看見了G2以及G3系列電源，不過這並不意味著G1系列會被後來者取代，因為在今年EVGA就對G1系列進行的更新，推出了G1+也就是G+系列電源。與G1系列相比，G+系列電源不僅架構上作出了調整，從多路+12V輸出改為單路+12V輸出，而且長度有所縮短，整體更為緊湊，執行更加安靜的同時效能也有了進一步的改善。目前EVGA G+系列電源已經有多款型號的產品在售，其中起始型號為SUPERNOVA 650 G+，也就是我們今天要看的產品。
EVGA SUPERNOVA650 G+電源
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的外觀設計與其它同門產品如出一轍， 是一款長度為425px的ATX結構電源，相比G1系列同瓦數的產品要縮短了25px，磨砂質感的外殼加上全模組線材設計，配置350px直徑散熱風扇，額定功率為650W，通過了80Plus金牌認證。目前電源售價為749元，享受10年質保服務。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源
磨砂質感的外殼
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源支援100V至240V交流輸入，採用單路+12V設計，輸出電流最高可達54A；+5V和+3.3V為DC to DC設計，輸出電流均為最高24A，聯合輸出功率為120W；+5V待機輸出則為最高為3.0A。
電源採用全模組介面設計
電源採用全模組線材設計，所有線材均採用編織網包線設計，提供有1個24pin主供電、2個4+4pin CPU供電、4個6+2pin PCI-E供電、3個SATA供電以及2個D型4pin供電介面 ，另有一條單D型4pin轉雙小4pin的轉接線，能在這個瓦數的電源上提供兩個CPU供電介面值得給好評。所有線材的長度都超過1500px，其中顯示卡與CPU供電線材的長度均在1625px以上。
電源輸入介面配置有獨立開關
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源配置有350px靜音型散熱風扇
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源包裝
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源拆解賞析
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源使用的風扇是永立電機的MGA13512XF-O25型風扇，FDB流體動態軸承，規格為DC 12V/0.38A，7扇葉設計，採用調整輸入電壓的方式實現轉速控制。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源有全漢代工，目前比較少見的有源箝位正激拓撲(Active Clamp Reset Forward，即ACRF)架構，一次側採用主動 式PFC，+12V輸出為同步整流，+5V與+3.3V則是DC to DC結構，模組介面PCB則採用飛線式設計，即其與主PCB之間是透過線材連線的。
電源PCB背面的焊接工藝比較優秀，焊點整齊且飽滿均勻，看上去還是很舒服的。+5V與+3.3V輸出的開關管也佈置在主PCB的底部，不過沒有使用導熱貼與外殼貼合。
AC插座上有一對Y電容
電源的AC插座上有一對Y電容，其餘EMI電路則配置在主PCB上，依序是一個X電容、一個共模電感、一個X電容和一對Y電容、一個共模電感和一個差模電感，保險管 位於AC輸出端的旁邊，NTC則在PFC電感與整流橋之間，但沒有配置繼電器，也沒有看到MOV。整流橋採用獨立的散熱片，然而由於其他元件的阻擋我們並不能看到它的具體型號。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的主電容為日化KMR系列，規格為390μF/450V/105℃，對於額定功率為650W的電源來說容量只能算夠用但說不上充足。
電源採用主動式PFC
電源的PFC開關管、有源箝位正激主管、有源箝位正激輔管以及+5V待機輸出開關管共用一個散熱片，其中PFC開關管為2個IPA60R125P6，規格為650V/19A@100℃/125mΩ；有源箝位正激主管是一個STF25N80K5，規格為800V/12.3A@100℃/260mΩ；有源箝位正激輔管是一個CEF03N8，規格為800V/2A@100℃/4.8Ω；+5V待機開關管位於散熱片的另一面，型號為CEF02N7G，規格為700V/1.3A@100℃/6.75Ω。
PFC二極體為STTH8R06FP，規格為600V/8A@100℃，採用獨立散熱片
+5V待機的開關管位於一次側散熱片的另一面
FSP6600是全漢自行研發的PFC+PWM級主控
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源採用定製的主變壓器，頂部有EVGA的標誌，待機變壓器則位於隔壁，配有一個規格為60V/20A的STPS20L60CT整流管。+12V輸出採用同步整流設計， 配置有2枚公用鋁製散熱片的開關管，但由於元件阻擋看不到具體型號。
+5V與+3.3V的控制IC採用獨立PCB
開關管則位於主PCB的底面
電源+5V與+3.3V採用的是DC to DC設計，主控佈置在獨立的子PCB上，均使用全漢自行研發的FSP6601晶片，每路輸出配置有兩枚MosFET，均為IR的LR4132，規格是30V/100A@100℃。
輸出濾波電路採用的均為日系電容
電源的模組接口布置在獨立的子PCB上，配置有固態電容進行濾波
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源測試
均衡負載測試資料彙總
轉換效率：
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源通過了80Plus金牌認證，在我們的測試環境下，其115V輸入電壓下的低載轉換效率甚至比230V輸入電壓下 的更高，後者直至輸出功率超過200W後才實現反超。在230V輸入電壓下，電源的轉換效率最高達到92.7%的水平，整體平均效率 接近91%，表現與80Plus金牌認證電源相符。
待機效率
按Intel ATX12V 2.31規範中的推薦值，5Vsb在100mA/250mA/1A的負載下轉換效率應該高於50%、60%、70%，待機空載輸入小於1W。
5Vsb功耗及效率
5Vsb實際輸出電壓
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的待機輸出效率以及電壓都非常優秀，空載輸入0.25W也是很不錯的表現，基本上沒有什麼可以挑剔的地方。
散熱風扇轉速：
在風扇轉速與噪音控制方面，EVGA SUPERNOVA 650 G+電源支援智慧溫控，雖然沒有提供低負載風扇停轉的功能，但是執行噪音依然控制 得很好。從我們的測試可以看出，當電源輸出功率小於等於500W的時候，其散熱風扇是處於低轉速狀態，轉速不超過800RPM，而後風扇轉速會隨著輸出功率的提升而逐步增加 ，滿載轉速在1200RPM左右，噪音依然很低。
電壓穩定性：
+12V電壓曲線
+5V電壓曲線
+3.3V電壓曲線
在EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的輸出電壓穩定性表現值得稱讚的，+12V/+3.3V輸出的電壓偏離度與調整率都可以控制在±1%以內，+5V的電壓偏離度則可以控制在2%以內，但調整率表現依然優秀，因此在這方面EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的表現可以算是頂級產品的水平。
紋波測試：
紋波和噪聲是電源直流輸出裡夾雜的交流成分，如果用示波器觀察，就會看到電壓上下輕微波動，像水波紋一樣，所以稱之為紋波。按照Intel ATX12V 2.3.1規定，+12V、+5V、+3.3V的輸出紋波與噪聲的Vp-p（峰-峰值）分別不得超過120mV、50mV、50mV。過高的紋波會干擾數位電路，影響電路工作的穩定性。
我們使用數字示波器在20MHz模擬頻寬下按照Intel規範給治具板測量點處並接去耦電容，對電源進行滿載紋波的測量。示波器截圖分為低頻下和電源開關頻率下的波形，低頻下的紋波峰峰值作為打分基準，開關頻率下的紋波波形及測量值作為參考。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源在滿載時的+12V、+5V、+3.3V低頻紋波為34mV、24mV和23mV，三組主要輸出的紋波控制 全部達標，其中+12V的表現屬於優秀水平，而+5V與+3.3V的成績則屬於中等偏上，以這個級別的電源來說仍然有可以最佳化的空間。
交叉負載測試：
交叉負載測試專案我們按照Intel ATX12V 2.3和SSI EPS12V 2.92電源設計指導的要求， 選擇其中比較有實際意義的4個測試點，並制定出制定出850W電源交叉負載圖表。
這四個點的意義分別為：
左下角（A點）：整機最小負載； 左上角（B點）：輔路最大負載、12V最小負載，例如多個機械硬碟同時啟動的情況； 右上角（C點）：輔路最大負載、整機滿載； 右下角（D點）：12V最大負載、輔路最小負載，例如使用單個固態硬碟執行3D遊戲的情況；
測試點的X座標表示總的+12V的輸出功率，Y座標表示+5V和+3.3V的輸出功率之和，交叉負載的測試與前面的均勻負載測試的評判標準一致。
650W交叉負載載入圖表
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源在+5V和+3.3V輸出上使用了DC to DC設計，因此其在交叉負載（拉偏測試）中的表現全部達標，其中+12V與+3.3V的電壓偏離度全程可以控制在±1%之內，+5電壓 的電壓偏離度則可以控制在-2%以內，是比較優秀的成績。
保持時間測試：
掉電保持時間（Hold-up Time）是指電源掉電之後電壓輸出值跌出範圍允許的5%的時間，我們測量的是+12V、+5V和Power-OK（Power-Good）訊號的保持時間。
SSI EPS12V 2.92伺服器電源設計指導中對輸出電壓保持時間的要求是電源在75%的負載下保持時間應該大於18ms，而Power-OK訊號的保持時間要求是大於17ms。
掉電保持時間如此受關注，是因為其很大程度上關係到硬體的壽命，Power-OK保持17ms意味著面臨17ms以內的掉電情況時電腦能持續執行而不出現關機、重啟的狀況，而各路電壓保持18ms或者更長的時間，是為了在掉電發生時各個硬體能夠做出應急處理，比如機械硬碟的磁頭歸位 、SSD的掉電保護。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的保持時間是在75%負載（DC輸出487.5W）的情況下測得。
對於+12V和+5V，合格的標準是保持時間等於或者大於18ms，Power-OK（或者稱PG，Power-Good）時間應該等於或者大於17ms。 EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的+12V為24.4ms，+5V為27.2ms，Power-OK為22.4ms，三路主要輸出的保持時間全部達標 且有一定的餘量。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源得分及點評
EVGA SUPERNOVA 650 G+超能指數
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源在測試中得到的超能指數為89.29分，按照我們目前的評分標準， 這個成績屬於優秀電源，而且距離頂級電源的水平僅有一線之差，以人民幣749元的價格以及10年的質保服務來看是一個適合中高階玩家入手的好選擇。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源在各個測試專案都有很不錯的表現，特別是在電壓穩定性的相關專案中都展現出了很不錯的效能，轉換效率也確實達到了80Plus金牌認證的水平，紋波雖然稱不上是出眾，但也有中等以上水平的表現，其中+12V的輸出紋波還是很優秀的，保持時間的餘量也算充足，可以說是一個整體表現優秀且均衡的電源產品，此外在這個瓦數的電源上依然提供有兩個CPU供電介面也是可以給好評的。
√ 優點：
- 全模組設計- 80Plus金牌級別效率- 電壓穩定性表現優秀- +12V紋波抑制表現優秀- 噪音控制優秀- 提供兩個CPU 4+4pin介面
× 缺點：
- +5V與+3.3V輸出紋波仍有最佳化空間
EVGA的G1系列電源早在2013年已經推出市場，隨後我們還看見了G2以及G3系列電源，不過這並不意味著G1系列會被後來者取代，因為在今年EVGA就對G1系列進行的更新，推出了G1+也就是G+系列電源。與G1系列相比，G+系列電源不僅架構上作出了調整，從多路+12V輸出改為單路+12V輸出，而且長度有所縮短，整體更為緊湊，執行更加安靜的同時效能也有了進一步的改善。目前EVGA G+系列電源已經有多款型號的產品在售，其中起始型號為SUPERNOVA 650 G+，也就是我們今天要看的產品。
EVGA SUPERNOVA650 G+電源
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的外觀設計與其它同門產品如出一轍， 是一款長度為425px的ATX結構電源，相比G1系列同瓦數的產品要縮短了25px，磨砂質感的外殼加上全模組線材設計，配置350px直徑散熱風扇，額定功率為650W，通過了80Plus金牌認證。目前電源售價為749元，享受10年質保服務。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源
磨砂質感的外殼
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源支援100V至240V交流輸入，採用單路+12V設計，輸出電流最高可達54A；+5V和+3.3V為DC to DC設計，輸出電流均為最高24A，聯合輸出功率為120W；+5V待機輸出則為最高為3.0A。
電源採用全模組介面設計
電源採用全模組線材設計，所有線材均採用編織網包線設計，提供有1個24pin主供電、2個4+4pin CPU供電、4個6+2pin PCI-E供電、3個SATA供電以及2個D型4pin供電介面 ，另有一條單D型4pin轉雙小4pin的轉接線，能在這個瓦數的電源上提供兩個CPU供電介面值得給好評。所有線材的長度都超過1500px，其中顯示卡與CPU供電線材的長度均在1625px以上。
電源輸入介面配置有獨立開關
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源配置有350px靜音型散熱風扇
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源包裝
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源拆解賞析
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源使用的風扇是永立電機的MGA13512XF-O25型風扇，FDB流體動態軸承，規格為DC 12V/0.38A，7扇葉設計，採用調整輸入電壓的方式實現轉速控制。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源有全漢代工，目前比較少見的有源箝位正激拓撲(Active Clamp Reset Forward，即ACRF)架構，一次側採用主動 式PFC，+12V輸出為同步整流，+5V與+3.3V則是DC to DC結構，模組介面PCB則採用飛線式設計，即其與主PCB之間是透過線材連線的。
電源PCB背面的焊接工藝比較優秀，焊點整齊且飽滿均勻，看上去還是很舒服的。+5V與+3.3V輸出的開關管也佈置在主PCB的底部，不過沒有使用導熱貼與外殼貼合。
AC插座上有一對Y電容
電源的AC插座上有一對Y電容，其餘EMI電路則配置在主PCB上，依序是一個X電容、一個共模電感、一個X電容和一對Y電容、一個共模電感和一個差模電感，保險管 位於AC輸出端的旁邊，NTC則在PFC電感與整流橋之間，但沒有配置繼電器，也沒有看到MOV。整流橋採用獨立的散熱片，然而由於其他元件的阻擋我們並不能看到它的具體型號。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的主電容為日化KMR系列，規格為390μF/450V/105℃，對於額定功率為650W的電源來說容量只能算夠用但說不上充足。
電源採用主動式PFC
電源的PFC開關管、有源箝位正激主管、有源箝位正激輔管以及+5V待機輸出開關管共用一個散熱片，其中PFC開關管為2個IPA60R125P6，規格為650V/19A@100℃/125mΩ；有源箝位正激主管是一個STF25N80K5，規格為800V/12.3A@100℃/260mΩ；有源箝位正激輔管是一個CEF03N8，規格為800V/2A@100℃/4.8Ω；+5V待機開關管位於散熱片的另一面，型號為CEF02N7G，規格為700V/1.3A@100℃/6.75Ω。
PFC二極體為STTH8R06FP，規格為600V/8A@100℃，採用獨立散熱片
+5V待機的開關管位於一次側散熱片的另一面
FSP6600是全漢自行研發的PFC+PWM級主控
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源採用定製的主變壓器，頂部有EVGA的標誌，待機變壓器則位於隔壁，配有一個規格為60V/20A的STPS20L60CT整流管。+12V輸出採用同步整流設計， 配置有2枚公用鋁製散熱片的開關管，但由於元件阻擋看不到具體型號。
+5V與+3.3V的控制IC採用獨立PCB
開關管則位於主PCB的底面
電源+5V與+3.3V採用的是DC to DC設計，主控佈置在獨立的子PCB上，均使用全漢自行研發的FSP6601晶片，每路輸出配置有兩枚MosFET，均為IR的LR4132，規格是30V/100A@100℃。
輸出濾波電路採用的均為日系電容
電源的模組接口布置在獨立的子PCB上，配置有固態電容進行濾波
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源測試
均衡負載測試資料彙總
轉換效率：
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源通過了80Plus金牌認證，在我們的測試環境下，其115V輸入電壓下的低載轉換效率甚至比230V輸入電壓下 的更高，後者直至輸出功率超過200W後才實現反超。在230V輸入電壓下，電源的轉換效率最高達到92.7%的水平，整體平均效率 接近91%，表現與80Plus金牌認證電源相符。
待機效率
按Intel ATX12V 2.31規範中的推薦值，5Vsb在100mA/250mA/1A的負載下轉換效率應該高於50%、60%、70%，待機空載輸入小於1W。
5Vsb功耗及效率
5Vsb實際輸出電壓
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的待機輸出效率以及電壓都非常優秀，空載輸入0.25W也是很不錯的表現，基本上沒有什麼可以挑剔的地方。
散熱風扇轉速：
在風扇轉速與噪音控制方面，EVGA SUPERNOVA 650 G+電源支援智慧溫控，雖然沒有提供低負載風扇停轉的功能，但是執行噪音依然控制 得很好。從我們的測試可以看出，當電源輸出功率小於等於500W的時候，其散熱風扇是處於低轉速狀態，轉速不超過800RPM，而後風扇轉速會隨著輸出功率的提升而逐步增加 ，滿載轉速在1200RPM左右，噪音依然很低。
電壓穩定性：
+12V電壓曲線
+5V電壓曲線
+3.3V電壓曲線
在EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的輸出電壓穩定性表現值得稱讚的，+12V/+3.3V輸出的電壓偏離度與調整率都可以控制在±1%以內，+5V的電壓偏離度則可以控制在2%以內，但調整率表現依然優秀，因此在這方面EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的表現可以算是頂級產品的水平。
紋波測試：
紋波和噪聲是電源直流輸出裡夾雜的交流成分，如果用示波器觀察，就會看到電壓上下輕微波動，像水波紋一樣，所以稱之為紋波。按照Intel ATX12V 2.3.1規定，+12V、+5V、+3.3V的輸出紋波與噪聲的Vp-p（峰-峰值）分別不得超過120mV、50mV、50mV。過高的紋波會干擾數位電路，影響電路工作的穩定性。
我們使用數字示波器在20MHz模擬頻寬下按照Intel規範給治具板測量點處並接去耦電容，對電源進行滿載紋波的測量。示波器截圖分為低頻下和電源開關頻率下的波形，低頻下的紋波峰峰值作為打分基準，開關頻率下的紋波波形及測量值作為參考。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源在滿載時的+12V、+5V、+3.3V低頻紋波為34mV、24mV和23mV，三組主要輸出的紋波控制 全部達標，其中+12V的表現屬於優秀水平，而+5V與+3.3V的成績則屬於中等偏上，以這個級別的電源來說仍然有可以最佳化的空間。
交叉負載測試：
交叉負載測試專案我們按照Intel ATX12V 2.3和SSI EPS12V 2.92電源設計指導的要求， 選擇其中比較有實際意義的4個測試點，並制定出制定出850W電源交叉負載圖表。
這四個點的意義分別為：
左下角（A點）：整機最小負載； 左上角（B點）：輔路最大負載、12V最小負載，例如多個機械硬碟同時啟動的情況； 右上角（C點）：輔路最大負載、整機滿載； 右下角（D點）：12V最大負載、輔路最小負載，例如使用單個固態硬碟執行3D遊戲的情況；
測試點的X座標表示總的+12V的輸出功率，Y座標表示+5V和+3.3V的輸出功率之和，交叉負載的測試與前面的均勻負載測試的評判標準一致。
650W交叉負載載入圖表
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源在+5V和+3.3V輸出上使用了DC to DC設計，因此其在交叉負載（拉偏測試）中的表現全部達標，其中+12V與+3.3V的電壓偏離度全程可以控制在±1%之內，+5電壓 的電壓偏離度則可以控制在-2%以內，是比較優秀的成績。
保持時間測試：
掉電保持時間（Hold-up Time）是指電源掉電之後電壓輸出值跌出範圍允許的5%的時間，我們測量的是+12V、+5V和Power-OK（Power-Good）訊號的保持時間。
SSI EPS12V 2.92伺服器電源設計指導中對輸出電壓保持時間的要求是電源在75%的負載下保持時間應該大於18ms，而Power-OK訊號的保持時間要求是大於17ms。
掉電保持時間如此受關注，是因為其很大程度上關係到硬體的壽命，Power-OK保持17ms意味著面臨17ms以內的掉電情況時電腦能持續執行而不出現關機、重啟的狀況，而各路電壓保持18ms或者更長的時間，是為了在掉電發生時各個硬體能夠做出應急處理，比如機械硬碟的磁頭歸位 、SSD的掉電保護。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的保持時間是在75%負載（DC輸出487.5W）的情況下測得。
對於+12V和+5V，合格的標準是保持時間等於或者大於18ms，Power-OK（或者稱PG，Power-Good）時間應該等於或者大於17ms。 EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的+12V為24.4ms，+5V為27.2ms，Power-OK為22.4ms，三路主要輸出的保持時間全部達標 且有一定的餘量。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源得分及點評
EVGA SUPERNOVA 650 G+超能指數
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源在測試中得到的超能指數為89.29分，按照我們目前的評分標準， 這個成績屬於優秀電源，而且距離頂級電源的水平僅有一線之差，以人民幣749元的價格以及10年的質保服務來看是一個適合中高階玩家入手的好選擇。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源在各個測試專案都有很不錯的表現，特別是在電壓穩定性的相關專案中都展現出了很不錯的效能，轉換效率也確實達到了80Plus金牌認證的水平，紋波雖然稱不上是出眾，但也有中等以上水平的表現，其中+12V的輸出紋波還是很優秀的，保持時間的餘量也算充足，可以說是一個整體表現優秀且均衡的電源產品，此外在這個瓦數的電源上依然提供有兩個CPU供電介面也是可以給好評的。
√ 優點：
- 全模組設計- 80Plus金牌級別效率- 電壓穩定性表現優秀- +12V紋波抑制表現優秀- 噪音控制優秀- 提供兩個CPU 4+4pin介面
× 缺點：
- +5V與+3.3V輸出紋波仍有最佳化空間