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  • 1 # 使用者805432797258

    利用區熔單晶爐進行以下操作:

    1.清爐、裝爐;

    2.抽空、充氣、預熱;

    3.化料、引晶;

    4.生長細頸;

    5.擴肩及氮氣的充入;

    6. 轉肩、保持及夾持器釋放;

    7.收尾、停爐 清爐、裝爐:清洗整個爐室內壁及加熱線圈、反射器、晶體夾持器、上軸、下軸,調整加熱線圈和反射器的水平及與上軸、下軸的對中;將多晶料夾具固定到多晶料尾部的刻槽處,然後將其安裝到上軸末端,進行多晶料的對中;將籽晶裝入籽晶夾頭上,然後將其安裝到下軸頂端;關閉各個爐門,擰緊各緊固螺栓; (2)抽空、充氣,預熱:開啟真空泵及抽氣管道閥門,對爐室進行抽真空,真空度達到所要求值時,關閉抽氣管道閥門及真空泵,向爐膛內快速充入氬氣;當充氣壓力達到相對壓力 1bar-6bar時,停止快速充氣,改用慢速充氣,同時開啟排氣閥門進行流氬;充氣完畢後,對多晶矽棒料進行預熱,預熱使用石墨預熱環,使用電流檔,預熱設定點25-40%,預熱時間為10-20分鐘; (3)化料、引晶:預熱結束後,進行化料,化料時轉入電壓檔,發生器設定點在40-60%;多晶料熔化後,將籽晶與熔矽進行熔接,熔接後對熔區進行整形,引晶; (4)生長細頸:引晶結束後,進行細頸的生長,細頸的直徑在2-6mm,長度在30-60mm; (5)擴肩及氮氣的充入:細頸生長結束後,進行擴肩,緩慢減少下速至3±2mm/min,同時隨著擴肩直徑的增大不斷減少下轉至8±4rpm,另外還要緩慢減小上轉至1±0.5rpm;為了防止高壓電離,在氬氣保護氣氛中充入一定比例的氮氣,氮氣的摻入比例相對於氬氣的 0.01%-5%; (6)轉肩、保持及夾持器釋放:在擴肩直徑與單晶保持直徑相差3-20mm時,擴肩的速度要放慢一些,進行轉肩,直至達到所需直徑,單晶保持,等徑保持直徑在75mm-220mm,單晶生長速度1mm/分-5mm/分,在擴肩過程中,當單晶的肩部單晶夾持器的銷子的距離小於2mm時釋放夾持器,將單晶夾住; (7)收尾、停爐:當單晶拉至尾部,開始進行收尾,收尾到單晶的直徑達到Φ10-80mm,將熔區拉開,這時使下軸繼續向下運動,上軸改向上運動,同時功率保持在40±10%,對晶體進行緩慢降溫。一種直拉單晶生長裝置,屬於半導體生長裝置技術領域。它包括液壓伺服系統調節坩堝杆;在加熱控制單元中,三相平衡變壓器、濾波電容器、電抗器和電阻器組合連線而成,與諧波源並聯;它還具有變頻充氣裝置。本發明克服現有的坩堝軸升降驅動裝置不能有效的保證生產操控穩定性及精確度不夠精確不足,克服現有的加熱控制單元不能消除諧波的不足,同時也克服現有的坩堝軸升降驅動裝置不能有效的保證生產操控穩定性及精確度不夠精確不足。1、 目的為正確、規範地操作單晶爐,確保生產作業正常,特制訂本規範。2、 適用範圍適用於TDR-70A/B和JRDL-800型單晶爐的操作。3、 單晶爐操作工藝流程作業準備→熱態檢漏→取單晶和籽晶→石墨件取出冷卻→真空過濾器清洗→真空泵油檢查更換→石墨件清洗→單晶爐室清洗→石墨件安裝→石英坩堝安裝→矽料安裝→籽晶安裝→抽空、檢漏→充氬氣、升功率、熔料→引晶、縮頸、放肩、轉肩→等徑生長→收尾→降功率、停爐冷卻4、 主要內容A. 作業準備a. 進入單晶車間須穿戴好潔淨工作服、鞋。b. 開爐前,按工藝要求檢查水、電、氣,確認無誤後方能開爐。c. 準備好一次性潔淨手套、耐高溫手套、毛巾、紙巾、研磨布、酒精、吸塵刷、吸塵管、防塵口罩。d. 準備好鉗子、扳手和各類裝拆爐專用工具。e. 取單晶的架子、裝石墨件的不鏽鋼小車、裝堝底

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