1.pn結的基本特性：
從PN接面的形成原理可以看出，要想讓PN接面導通形成電流，必須消除其空間電荷區的內部電場的阻力。很顯然，給它加一個反方向的更大的電場，即P區接外加電源的正極，N區結負極，就可以抵消其內部自建電場，使載流子可以繼續運動，從而形成線性的正向電流。而外加反向電壓則相當於內建電場的阻力更大，PN接面不能導通，僅有極微弱的反向電流（由少數載流子的漂移運動形成，因少子數量有限，電流飽和）。當反向電壓增大至某一數值時，因少子的數量和能量都增大，會碰撞破壞內部的共價鍵，使原來被束縛的電子和空穴被釋放出來，不斷增大電流，最終PN接面將被擊穿（變為導體）損壞，反向電流急劇加大。
這就是PN接面的特性（單向導通、反向飽和漏電或擊穿導體），也是電晶體和積體電路最基礎、最重要的物理原理，所有以電晶體為基礎的複雜電路的分析都離不開它。比如二極體就是基於PN接面的單向導通原理工作的；而一個PNP結構則可以形成一個三極體，裡面包含了兩個PN接面。二極體和三極體都是電子電路里面最基本的元件。
2.PN接面：
採用不同的摻雜工藝，透過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是矽或鍺）基片上，在它們的交介面就形成空間電荷區稱為PN接面（英語：PN junction）。PN接面具有單向導電性，是電子技術中許多器件所利用的特性，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
拓展資料：
PN接面的形成：
PN接面是由一個N型摻雜區和一個P型摻雜區緊密接觸所構成的，其接觸介面稱為冶金結介面。
在一塊完整的矽片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導體，另一邊形成P型半導體，我們稱兩種半導體的交介面附近的區域為PN接面。
在P型半導體和N型半導體結合後，由於N型區內自由電子為多子空穴幾乎為零稱為少子，而P型區內空穴為多子自由電子為少子，在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差。由於自由電子和空穴濃度差的原因，有一些電子從N型區向P型區擴散，也有一些空穴要從P型區向N型區擴散。它們擴散的結果就使P區一邊失去空穴，留下了帶負電的雜質離子，N區一邊失去電子，留下了帶正電的雜質離子。開路中半導體中的離子不能任意移動，因此不參與導電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區交介面附近，形成了一個空間電荷區，空間電荷區的薄厚和摻雜物濃度有關。
在空間電荷區形成後，由於正負電荷之間的相互作用，在空間電荷區形成了內電場，其方向是從帶正電的N區指向帶負電的P區。顯然，這個電場的方向與載流子擴散運動的方向相反，阻止擴散。
另一方面，這個電場將使N區的少數載流子空穴向P區漂移，使P區的少數載流子電子向N區漂移，漂移運動的方向正好與擴散運動的方向相反。從N區漂移到P區的空穴補充了原來交介面上P區所失去的空穴，從P區漂移到N區的電子補充了原來交介面上N區所失去的電子，這就使空間電荷減少，內電場減弱。因此，漂移運動的結果是使空間電荷區變窄，擴散運動加強。
最後，多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。在P型半導體和N型半導體的結合面兩側，留下離子薄層，這個離子薄層形成的空間電荷區稱為PN接面。PN接面的內電場方向由N區指向P區。在空間電荷區，由於缺少多子，所以也稱耗盡層。
1.pn結的基本特性：
從PN接面的形成原理可以看出，要想讓PN接面導通形成電流，必須消除其空間電荷區的內部電場的阻力。很顯然，給它加一個反方向的更大的電場，即P區接外加電源的正極，N區結負極，就可以抵消其內部自建電場，使載流子可以繼續運動，從而形成線性的正向電流。而外加反向電壓則相當於內建電場的阻力更大，PN接面不能導通，僅有極微弱的反向電流（由少數載流子的漂移運動形成，因少子數量有限，電流飽和）。當反向電壓增大至某一數值時，因少子的數量和能量都增大，會碰撞破壞內部的共價鍵，使原來被束縛的電子和空穴被釋放出來，不斷增大電流，最終PN接面將被擊穿（變為導體）損壞，反向電流急劇加大。
這就是PN接面的特性（單向導通、反向飽和漏電或擊穿導體），也是電晶體和積體電路最基礎、最重要的物理原理，所有以電晶體為基礎的複雜電路的分析都離不開它。比如二極體就是基於PN接面的單向導通原理工作的；而一個PNP結構則可以形成一個三極體，裡面包含了兩個PN接面。二極體和三極體都是電子電路里面最基本的元件。
2.PN接面：
採用不同的摻雜工藝，透過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是矽或鍺）基片上，在它們的交介面就形成空間電荷區稱為PN接面（英語：PN junction）。PN接面具有單向導電性，是電子技術中許多器件所利用的特性，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
拓展資料：
PN接面的形成：
PN接面是由一個N型摻雜區和一個P型摻雜區緊密接觸所構成的，其接觸介面稱為冶金結介面。
在一塊完整的矽片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導體，另一邊形成P型半導體，我們稱兩種半導體的交介面附近的區域為PN接面。
在P型半導體和N型半導體結合後，由於N型區內自由電子為多子空穴幾乎為零稱為少子，而P型區內空穴為多子自由電子為少子，在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差。由於自由電子和空穴濃度差的原因，有一些電子從N型區向P型區擴散，也有一些空穴要從P型區向N型區擴散。它們擴散的結果就使P區一邊失去空穴，留下了帶負電的雜質離子，N區一邊失去電子，留下了帶正電的雜質離子。開路中半導體中的離子不能任意移動，因此不參與導電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區交介面附近，形成了一個空間電荷區，空間電荷區的薄厚和摻雜物濃度有關。
在空間電荷區形成後，由於正負電荷之間的相互作用，在空間電荷區形成了內電場，其方向是從帶正電的N區指向帶負電的P區。顯然，這個電場的方向與載流子擴散運動的方向相反，阻止擴散。
另一方面，這個電場將使N區的少數載流子空穴向P區漂移，使P區的少數載流子電子向N區漂移，漂移運動的方向正好與擴散運動的方向相反。從N區漂移到P區的空穴補充了原來交介面上P區所失去的空穴，從P區漂移到N區的電子補充了原來交介面上N區所失去的電子，這就使空間電荷減少，內電場減弱。因此，漂移運動的結果是使空間電荷區變窄，擴散運動加強。
最後，多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。在P型半導體和N型半導體的結合面兩側，留下離子薄層，這個離子薄層形成的空間電荷區稱為PN接面。PN接面的內電場方向由N區指向P區。在空間電荷區，由於缺少多子，所以也稱耗盡層。