大致說下。
三極體在導通的時候兩個PN接面一個正偏一個反偏。從二極體傳統理論角度理解,反偏的PN接面是不導通的。而再看細節,其實PN接面反偏的時候也是有微小電流(漏電流)的。原因是製作工藝問題,P或N型半導體中除了多數載流子之外總會混合少數載流子,它們導電形成電流。
那麼給反偏的那個PN接面提供更多的少數載流子也就能增加反偏電流。集電極電流就是靠這個。
發射結正偏條件下,射極給基極不斷提供少數載流子,這些載流子注入到基極後有一部分穿越反偏的發射結進入到集電極去形成電流。而集電極的多數載流子因為集電結反偏形成的高勢壘阻隔不能進入到基極。
β值的關鍵就是這個“一部分”和射極輸出多數載流子總量。基極有和射極相反的載流子。從射極出來的多數載流子會被基極的多數載流子中和形成電流(基極電流),沒中和掉的擴散到集電極去(集電極電流)。
基極本身的厚薄程度和材料雜化度決定基極含有和射極相反的多數載流子量,量越小和射極過來的載流子中和的量越小(基極電流越小),而剩下擴散到集電極去的少數載流子越大(集電極電流越大)。通常為了提高β值,基極做得很薄。
很明顯,射極出來進入到基極的載流子總數和發射結正偏電壓(體現為基極電流)有關,而和集電極電位(或三極體壓降)無關。
綜上,三極體製作完成,β值為一定值。
大致說下。
三極體在導通的時候兩個PN接面一個正偏一個反偏。從二極體傳統理論角度理解,反偏的PN接面是不導通的。而再看細節,其實PN接面反偏的時候也是有微小電流(漏電流)的。原因是製作工藝問題,P或N型半導體中除了多數載流子之外總會混合少數載流子,它們導電形成電流。
那麼給反偏的那個PN接面提供更多的少數載流子也就能增加反偏電流。集電極電流就是靠這個。
發射結正偏條件下,射極給基極不斷提供少數載流子,這些載流子注入到基極後有一部分穿越反偏的發射結進入到集電極去形成電流。而集電極的多數載流子因為集電結反偏形成的高勢壘阻隔不能進入到基極。
β值的關鍵就是這個“一部分”和射極輸出多數載流子總量。基極有和射極相反的載流子。從射極出來的多數載流子會被基極的多數載流子中和形成電流(基極電流),沒中和掉的擴散到集電極去(集電極電流)。
基極本身的厚薄程度和材料雜化度決定基極含有和射極相反的多數載流子量,量越小和射極過來的載流子中和的量越小(基極電流越小),而剩下擴散到集電極去的少數載流子越大(集電極電流越大)。通常為了提高β值,基極做得很薄。
很明顯,射極出來進入到基極的載流子總數和發射結正偏電壓(體現為基極電流)有關,而和集電極電位(或三極體壓降)無關。
綜上,三極體製作完成,β值為一定值。