以非晶態半導體材料為主體制成的固態電子器件。非晶態半導體雖然在整體上分子排列無序，但是仍具有單晶體的微觀結構，因此具有許多特殊的性質。1975年，英國W.G.斯皮爾在輝光放電分解矽烷法制備的非晶矽薄膜中摻雜成功，使非晶矽薄膜的電阻率變化10個數量級，促進非晶態半導體器件的開發和應用。同單晶材料相比，非晶態半導體材料製備工藝簡單，對襯底結構無特殊要求，易於大面積生長，摻雜後電阻率變化大，可以製成多種器件。非晶矽太陽能電池吸收係數大，轉換效率高，面積大，已應用到計算器、電子錶等商品中。非晶矽薄膜場效電晶體陣列可用作大面積液晶平面顯示屏的定址開關。利用某些硫系非晶態半導體材料的結構轉變來記錄和儲存光電資訊的器件已應用於計算機或控制系統中。利用非晶態薄膜的電荷儲存和光電導特性可製成用於靜態影象光電轉換的靜電覆印機感光體和用於動態影象光電轉換的電視攝像管的靶面。
具有半導體性質的非晶態材料。非晶態半導體是半導體的一個重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人開始了對硫系玻璃的研究，當時很少有人注意，直到1968年S.R.奧弗申斯基關於用硫系薄膜製作開關器件的專利發表以後，才引起人們對非晶態半導體的興趣。1975年W.E.斯皮爾等人在矽烷輝光放電分解制備的非晶矽中實現了摻雜效應，使控制電導和製造PN接面成為可能，從而為非晶矽材料的應用開闢了廣闊的前景。在理論方面，P.W.安德森和莫脫，N.F.建立了非晶態半導體的電子理論，並因而榮獲1977年的諾貝爾物理學獎。目前無論在理論方面，還是在應用方面，非晶態半導體的研究正在很快地發展著。
分類目前主要的非晶態半導體有兩大類。
硫系玻璃。含硫族元素的非晶態半導體。例如As-Se、As-S，通常的製備方法是熔體冷卻或汽相沉積。
四面體鍵非晶態半導體。如非晶Si、Ge、GaAs等，此類材料的非晶態不能用熔體冷卻的辦法來獲得，只能用薄膜澱積的辦法(如蒸發、濺射、輝光放電或化學汽相澱積等)，只要襯底溫度足夠低，澱積的薄膜就是非晶態結構。四面體鍵非晶態半導體材料的性質，與製備的工藝方法和工藝條件密切相關。圖1不同方法制備非晶矽的光吸收係數給出了不同製備工藝的非晶矽光吸收係數譜，其中a、b製備工藝是矽烷輝光放電分解，襯底溫度分別為500K和300K，c製備工藝是濺射，d製備工藝為蒸發。非晶矽的導電性質和光電導性質也與製備工藝密切相關。其實，矽烷輝光放電法制備的非晶矽中，含有大量H，有時又稱為非晶的矽氫合金；不同工藝條件，氫含量不同，直接影響到材料的性質。與此相反，硫系玻璃的性質與製備方法關係不大。圖2汽相澱積濺射薄膜和熔體急冷成塊體AsSeTe的光吸收係數譜給出了一個典型的例項，用熔體冷卻和濺射的辦法制備的AsSeTe樣品，它們的光吸收係數譜具有相同的曲線。
非晶態半導體的電子結構非晶態與晶態半導體具有類似的基本能帶結構，也有導帶、價帶和禁帶(見固體的能帶)。材料的基本能帶結構主要取決於原子附近的狀況，可以用化學鍵模型作定性的解釋。以四面體鍵的非晶Ge、Si為例，Ge、Si中四個價電子經sp雜化，近鄰原子的價電子之間形成共價鍵，其成鍵態對應於價帶；反鍵態對應於導帶。無論是Ge、Si的晶態還是非晶態，基本結合方式是相同的，只是在非晶態中鍵角和鍵長有一定程度的畸變，因而它們的基本能帶結構是相類似的。然而，非晶態半導體中的電子態與晶態比較也有著本質的區別。晶態半導體的結構是週期有序的，或者說具有平移對稱性，電子波函式是布洛赫函式，波矢是與平移對稱性相聯絡的量子數，非晶態半導體不存在有周期性，不再是好的量子數。晶態半導體中電子的運動是比較自由的，電子運動的平均自由程遠大於原子間距；非晶態半導體中結構缺陷的畸變使得電子的平均自由程大大減小，當平均自由程接近原子間距的數量級時，在晶態半導體中建立起來的電子漂移運動的概念就變得沒有意義了。非晶態半導體能帶邊態密度的變化不像晶態那樣陡，而是拖有不同程度的帶尾(如圖3非晶態半導體的態密度與能量的關係所示)。非晶態半導體能帶中的電子態分為兩類：一類稱為擴充套件態，另一類為局域態。處在擴充套件態的每個電子，為整個固體所共有，可以在固體整個尺度內找到；它在外場中運動類似於晶體中的電子；處在局域態的每個電子基本侷限在某一區域，它的狀態波函式只能在圍繞某一點的一個不大尺度內顯著不為零，它們需要靠聲子的協助，進行跳躍式導電。在一個能帶中，帶中心部分為擴充套件態，帶尾部分為局域態，它們之間有一分界處，如圖4非晶態半導體的擴充套件態、局域態和遷移率邊中的和，這個分界處稱為遷移率邊。1960年莫脫首先提出了遷移率邊的概念。如果把遷移率看成是電子態能量的函式，莫脫認為在分界處和存在有遷移率的突變。局域態中的電子是跳躍式導電的，依靠與點陣振動交換能量，從一個局域態跳到另一個局域態，因而當溫度趨向0K時，局域態電子遷移率趨於零。擴充套件態中電子導電類似於晶體中的電子，當趨於0K時，遷移率趨向有限值。莫脫進一步認為遷移率邊對應於電子平均自由程接近於原子間距的情況，並定義這種情況下的電導率為最小金屬化電導率。然而，目前圍繞著遷移率邊和最小金屬化電導率仍有爭論。
缺陷非晶態半導體與晶態相比較，其中存在大量的缺陷。這些缺陷在禁帶之中引入一系列局域能級，它們對非晶態半導體的電學和光學性質有著重要的影響。四面體鍵非晶態半導體和硫系玻璃，這兩類非晶態半導體的缺陷有著顯著的差別。
非晶矽中的缺陷主要是空位、微空洞。矽原子外層有四個價電子，正常情況應與近鄰的四個矽原子形成四個共價鍵。存在有空位和微空洞使得有些矽原子周圍四個近鄰原子不足，而產生一些懸掛鍵，在中性懸掛鍵上有一個未成鍵的電子。懸掛鍵還有兩種可能的帶電狀態：釋放未成鍵的電子成為正電中心，這是施主態；接受第二個電子成為負電中心，這是受主態。它們對應的能級在禁帶之中，分別稱為施主和受主能級。因為受主態表示懸掛鍵上有兩個電子佔據的情況，兩個電子間的庫侖排斥作用，使得受主能級位置高於施主能級，稱為正相關能。因此在一般情況下，懸掛鍵保持只有一個電子佔據的中性狀態，在實驗中觀察到懸掛鍵上未配對電子的自旋共振。1975年斯皮爾等人利用矽烷輝光放電的方法，首先實現非晶矽的摻雜效應，就是因為用這種辦法制備的非晶矽中含有大量的氫，氫與懸掛鍵結合大大減少了缺陷態的數目。這些缺陷同時是有效的複合中心。為了提高非平衡載流子的壽命，也必須降低缺陷態密度。因此，控制非晶矽中的缺陷，成為目前材料製備中的關鍵問題之一。
硫系玻璃中缺陷的形式不是簡單的懸掛鍵，而是“換價對”。最初，人們發現硫系玻璃與非晶矽不同，觀察不到缺陷態上電子的自旋共振，針對這表面上的反常現象，莫脫等人根據安德森的負相關能的設想，提出了MDS模型。當缺陷態上佔據兩個電子時，會引起點陣的畸變，若由於畸變降低的能量超過電子間庫侖排斥作用能，則表現出有負的相關能，這就意味著受主能級位於施主能級之下。用D、D、D分別代表缺陷上不佔有、佔有一個、佔有兩個電子的狀態，負相關能意味著：
2D—→D+D
是放熱的。因而缺陷主要以D、D形式存在，不存在未配對電子，所以沒有電子的自旋共振。不少人對D、D、D缺陷的結構作了分析。以非晶態硒為例，硒有六個價電子，可以形成兩個共價鍵，通常呈鏈狀結構，另外有兩個未成鍵的p電子稱為孤對電子。在鏈的端點處相當於有一箇中性懸掛鍵，這個懸掛鍵很可能發生畸變，與鄰近的孤對電子成鍵並放出一個電子(形成D)，放出的電子與另一懸掛鍵結合成一對孤對電子(形成D)，如圖5硫系玻璃的換價對所示。因此又稱這種D、D為換價對。由於庫侖吸引作用，使得D、D通常是成對地緊密靠在一起，形成緊密換價對。硫系玻璃中成鍵方式只要有很小變化就可以形成一組緊密換價對，如圖6換價對的自增強效應所示，它只需很小的能量，有自增強效應，因而這種缺陷的濃度通常是很高的。利用換價對模型可以解釋硫屬非晶態半導體的光致發光光譜、光致電子自旋共振等一系列實驗現象。
應用非晶態半導體在技術領域中的應用存在著很大的潛力，非晶硫早已廣泛應用在影印技術中，由S.R.奧夫辛斯基首創的As-Te-Ge-Si系玻璃半導體制作的電可改寫主讀儲存器已有商品生產，利用光脈衝使碲微晶薄膜玻璃化這種性質製作的光儲存器正在研製之中。對於非晶矽的應用目前研究最多的是太陽能電池。非晶矽比晶體矽製備工藝簡單，易於做成大面積，非晶矽對於太Sunny的吸收效率高，器件只需大約1微米厚的薄膜材料，因此，可望做成一種廉價的太陽能電池，現已受到能源專家的重視。最近已有人試驗把非晶矽場效應電晶體用於液晶顯示和積體電路。
以非晶態半導體材料為主體制成的固態電子器件。非晶態半導體雖然在整體上分子排列無序，但是仍具有單晶體的微觀結構，因此具有許多特殊的性質。1975年，英國W.G.斯皮爾在輝光放電分解矽烷法制備的非晶矽薄膜中摻雜成功，使非晶矽薄膜的電阻率變化10個數量級，促進非晶態半導體器件的開發和應用。同單晶材料相比，非晶態半導體材料製備工藝簡單，對襯底結構無特殊要求，易於大面積生長，摻雜後電阻率變化大，可以製成多種器件。非晶矽太陽能電池吸收係數大，轉換效率高，面積大，已應用到計算器、電子錶等商品中。非晶矽薄膜場效電晶體陣列可用作大面積液晶平面顯示屏的定址開關。利用某些硫系非晶態半導體材料的結構轉變來記錄和儲存光電資訊的器件已應用於計算機或控制系統中。利用非晶態薄膜的電荷儲存和光電導特性可製成用於靜態影象光電轉換的靜電覆印機感光體和用於動態影象光電轉換的電視攝像管的靶面。
具有半導體性質的非晶態材料。非晶態半導體是半導體的一個重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人開始了對硫系玻璃的研究，當時很少有人注意，直到1968年S.R.奧弗申斯基關於用硫系薄膜製作開關器件的專利發表以後，才引起人們對非晶態半導體的興趣。1975年W.E.斯皮爾等人在矽烷輝光放電分解制備的非晶矽中實現了摻雜效應，使控制電導和製造PN接面成為可能，從而為非晶矽材料的應用開闢了廣闊的前景。在理論方面，P.W.安德森和莫脫，N.F.建立了非晶態半導體的電子理論，並因而榮獲1977年的諾貝爾物理學獎。目前無論在理論方面，還是在應用方面，非晶態半導體的研究正在很快地發展著。
分類目前主要的非晶態半導體有兩大類。
硫系玻璃。含硫族元素的非晶態半導體。例如As-Se、As-S，通常的製備方法是熔體冷卻或汽相沉積。
四面體鍵非晶態半導體。如非晶Si、Ge、GaAs等，此類材料的非晶態不能用熔體冷卻的辦法來獲得，只能用薄膜澱積的辦法(如蒸發、濺射、輝光放電或化學汽相澱積等)，只要襯底溫度足夠低，澱積的薄膜就是非晶態結構。四面體鍵非晶態半導體材料的性質，與製備的工藝方法和工藝條件密切相關。圖1不同方法制備非晶矽的光吸收係數給出了不同製備工藝的非晶矽光吸收係數譜，其中a、b製備工藝是矽烷輝光放電分解，襯底溫度分別為500K和300K，c製備工藝是濺射，d製備工藝為蒸發。非晶矽的導電性質和光電導性質也與製備工藝密切相關。其實，矽烷輝光放電法制備的非晶矽中，含有大量H，有時又稱為非晶的矽氫合金；不同工藝條件，氫含量不同，直接影響到材料的性質。與此相反，硫系玻璃的性質與製備方法關係不大。圖2汽相澱積濺射薄膜和熔體急冷成塊體AsSeTe的光吸收係數譜給出了一個典型的例項，用熔體冷卻和濺射的辦法制備的AsSeTe樣品，它們的光吸收係數譜具有相同的曲線。
非晶態半導體的電子結構非晶態與晶態半導體具有類似的基本能帶結構，也有導帶、價帶和禁帶(見固體的能帶)。材料的基本能帶結構主要取決於原子附近的狀況，可以用化學鍵模型作定性的解釋。以四面體鍵的非晶Ge、Si為例，Ge、Si中四個價電子經sp雜化，近鄰原子的價電子之間形成共價鍵，其成鍵態對應於價帶；反鍵態對應於導帶。無論是Ge、Si的晶態還是非晶態，基本結合方式是相同的，只是在非晶態中鍵角和鍵長有一定程度的畸變，因而它們的基本能帶結構是相類似的。然而，非晶態半導體中的電子態與晶態比較也有著本質的區別。晶態半導體的結構是週期有序的，或者說具有平移對稱性，電子波函式是布洛赫函式，波矢是與平移對稱性相聯絡的量子數，非晶態半導體不存在有周期性，不再是好的量子數。晶態半導體中電子的運動是比較自由的，電子運動的平均自由程遠大於原子間距；非晶態半導體中結構缺陷的畸變使得電子的平均自由程大大減小，當平均自由程接近原子間距的數量級時，在晶態半導體中建立起來的電子漂移運動的概念就變得沒有意義了。非晶態半導體能帶邊態密度的變化不像晶態那樣陡，而是拖有不同程度的帶尾(如圖3非晶態半導體的態密度與能量的關係所示)。非晶態半導體能帶中的電子態分為兩類：一類稱為擴充套件態，另一類為局域態。處在擴充套件態的每個電子，為整個固體所共有，可以在固體整個尺度內找到；它在外場中運動類似於晶體中的電子；處在局域態的每個電子基本侷限在某一區域，它的狀態波函式只能在圍繞某一點的一個不大尺度內顯著不為零，它們需要靠聲子的協助，進行跳躍式導電。在一個能帶中，帶中心部分為擴充套件態，帶尾部分為局域態，它們之間有一分界處，如圖4非晶態半導體的擴充套件態、局域態和遷移率邊中的和，這個分界處稱為遷移率邊。1960年莫脫首先提出了遷移率邊的概念。如果把遷移率看成是電子態能量的函式，莫脫認為在分界處和存在有遷移率的突變。局域態中的電子是跳躍式導電的，依靠與點陣振動交換能量，從一個局域態跳到另一個局域態，因而當溫度趨向0K時，局域態電子遷移率趨於零。擴充套件態中電子導電類似於晶體中的電子，當趨於0K時，遷移率趨向有限值。莫脫進一步認為遷移率邊對應於電子平均自由程接近於原子間距的情況，並定義這種情況下的電導率為最小金屬化電導率。然而，目前圍繞著遷移率邊和最小金屬化電導率仍有爭論。
缺陷非晶態半導體與晶態相比較，其中存在大量的缺陷。這些缺陷在禁帶之中引入一系列局域能級，它們對非晶態半導體的電學和光學性質有著重要的影響。四面體鍵非晶態半導體和硫系玻璃，這兩類非晶態半導體的缺陷有著顯著的差別。
非晶矽中的缺陷主要是空位、微空洞。矽原子外層有四個價電子，正常情況應與近鄰的四個矽原子形成四個共價鍵。存在有空位和微空洞使得有些矽原子周圍四個近鄰原子不足，而產生一些懸掛鍵，在中性懸掛鍵上有一個未成鍵的電子。懸掛鍵還有兩種可能的帶電狀態：釋放未成鍵的電子成為正電中心，這是施主態；接受第二個電子成為負電中心，這是受主態。它們對應的能級在禁帶之中，分別稱為施主和受主能級。因為受主態表示懸掛鍵上有兩個電子佔據的情況，兩個電子間的庫侖排斥作用，使得受主能級位置高於施主能級，稱為正相關能。因此在一般情況下，懸掛鍵保持只有一個電子佔據的中性狀態，在實驗中觀察到懸掛鍵上未配對電子的自旋共振。1975年斯皮爾等人利用矽烷輝光放電的方法，首先實現非晶矽的摻雜效應，就是因為用這種辦法制備的非晶矽中含有大量的氫，氫與懸掛鍵結合大大減少了缺陷態的數目。這些缺陷同時是有效的複合中心。為了提高非平衡載流子的壽命，也必須降低缺陷態密度。因此，控制非晶矽中的缺陷，成為目前材料製備中的關鍵問題之一。
硫系玻璃中缺陷的形式不是簡單的懸掛鍵，而是“換價對”。最初，人們發現硫系玻璃與非晶矽不同，觀察不到缺陷態上電子的自旋共振，針對這表面上的反常現象，莫脫等人根據安德森的負相關能的設想，提出了MDS模型。當缺陷態上佔據兩個電子時，會引起點陣的畸變，若由於畸變降低的能量超過電子間庫侖排斥作用能，則表現出有負的相關能，這就意味著受主能級位於施主能級之下。用D、D、D分別代表缺陷上不佔有、佔有一個、佔有兩個電子的狀態，負相關能意味著：
2D—→D+D
是放熱的。因而缺陷主要以D、D形式存在，不存在未配對電子，所以沒有電子的自旋共振。不少人對D、D、D缺陷的結構作了分析。以非晶態硒為例，硒有六個價電子，可以形成兩個共價鍵，通常呈鏈狀結構，另外有兩個未成鍵的p電子稱為孤對電子。在鏈的端點處相當於有一箇中性懸掛鍵，這個懸掛鍵很可能發生畸變，與鄰近的孤對電子成鍵並放出一個電子(形成D)，放出的電子與另一懸掛鍵結合成一對孤對電子(形成D)，如圖5硫系玻璃的換價對所示。因此又稱這種D、D為換價對。由於庫侖吸引作用，使得D、D通常是成對地緊密靠在一起，形成緊密換價對。硫系玻璃中成鍵方式只要有很小變化就可以形成一組緊密換價對，如圖6換價對的自增強效應所示，它只需很小的能量，有自增強效應，因而這種缺陷的濃度通常是很高的。利用換價對模型可以解釋硫屬非晶態半導體的光致發光光譜、光致電子自旋共振等一系列實驗現象。
應用非晶態半導體在技術領域中的應用存在著很大的潛力，非晶硫早已廣泛應用在影印技術中，由S.R.奧夫辛斯基首創的As-Te-Ge-Si系玻璃半導體制作的電可改寫主讀儲存器已有商品生產，利用光脈衝使碲微晶薄膜玻璃化這種性質製作的光儲存器正在研製之中。對於非晶矽的應用目前研究最多的是太陽能電池。非晶矽比晶體矽製備工藝簡單，易於做成大面積，非晶矽對於太Sunny的吸收效率高，器件只需大約1微米厚的薄膜材料，因此，可望做成一種廉價的太陽能電池，現已受到能源專家的重視。最近已有人試驗把非晶矽場效應電晶體用於液晶顯示和積體電路。