穩頻的方法可分為兩類： 被動式穩頻： 利用熱膨脹係數低的材料製作諧振腔的間隔器；或將熱膨脹係數為負值的材料與熱膨脹係數為正值的材料按一定長度配合，以使熱膨脹互相抵消。實現穩頻。這種方法一般用於工程上對穩頻精度要求不高的場合。當然在精密控溫的實驗室內，再加上效能極好的聲熱隔離裝置，也可達到很高的穩定度。例如，在幾十毫秒輸出波長為632.8nm的氦氖鐳射器，頻率變化曾達到小於20Hz，短期穩定度達到10負13次方。 主動式穩頻： 目前採用的主動穩頻方法的基本原理大體相同，即把單頻鐳射器的頻率與某個穩定的參考頻率相比較，當振盪頻率偏離參考頻率時，鑑別器就產生一個正比於偏離量的誤差訊號。這個誤差訊號經放大後又透過反饋系統返回來控制腔長，使振盪頻率回到標準的參考頻率上，實現穩頻。 依據選擇參考頻率的方法的不同，這種穩頻的方法又可分為兩大類。一類是把鐳射器中原子躍遷的中心頻率作為參考頻率。把鐳射頻率鎖定到躍遷的中心頻率上。屬於這類方法的有：蘭姆凹陷法、塞曼效應法、功率最大值法等。這類方法簡便易行，可以得到10的負9次方的穩定度，能夠滿足一般精密測量的需要。但是復現度不高，只有10的負7次方。另一類方法是把振盪頻率鎖定在外界的參考頻率上，例如用分子或原子的吸收線作為參考頻率，這是目前水平最高的一種穩頻方法。所選取得吸收物質的吸收頻率必須與鐳射頻率相重合。例如，目前已發現的碘分子對於He-Ne鐳射器的632.8nm譜線附近有強烈的吸收，甲烷分子對於He-Ne鐳射器的3.39um譜線附近有強烈的吸收。這種穩頻方法較為複雜，但可以得到較高的穩定度和復現度（均可在10的負11次方以上，有的甚至短期穩定度達到510的負15次方，復現度3*10的負14次方）