感覺還是不完全相信的好！真的被中國晶片產業嚇怕了！

從漢芯開始，最後證明是造假。到上次20nm光刻機，最後有專家出來說此光刻機非彼光刻機，要刻制晶片還有有很多路要走。。。

中國目前連20的光刻機還不能造出來，你說你推出了世界最領先的5奈米光刻機。。。你能不能先生產出一臺20奈米光刻機賣出去啊？中國買家很多的。

我寧願相信，這個是5奈米光刻機外圍輔助系統，不應該是核心部分。或者，這個訊息本身就是個假訊息。

就像中國不能生產出尖端計算機用晶片，但是中國超算計算機一直處於世界領先。我們能把整個系統和構架做到最好，能發揮出每個晶片的最大能力。

個人不是搞這個的，不是太懂，只是興趣而關心而已。說錯的地方，可噴可批評，我又不是磚家。

如果把在矽晶體上的施工比成木匠活的話，光刻機的作用相當於木匠在木料上用墨斗劃線，刻蝕機的作用相當於木匠在木料上用鋸子、鑿子、斧子、刨子等施工。現在的手機晶片，如海思麒麟970，高通驍龍845都是臺積電的10奈米技術。10奈米有多小呢？打個比方。如果把一根直徑是0.05毫米頭髮絲，按軸向平均剖成5000片，每片的厚度大約就是10奈米。我們刻蝕機技術已經突破，5奈米的刻蝕機我們也能自主生產，現在卡脖子的是光刻機。在晶片加工過程中，光刻機放樣，刻蝕機施工，清洗機清洗。然後反覆迴圈幾十次，一般要500道左右的工序，放樣達不到精度刻蝕機就失去用武之地了。世界上最先進的光刻機是荷蘭的ASML公司最小到10奈米。臺積電買的都是它的光刻機。ASML公司實際上是美國、荷蘭、德國等多個國家技術合作的結果。因為這方面的研究難度太大單個國家完成不了。除了ASML，世界上只有我們還在高階光刻機上努力研發。我們是受到技術禁運的不能買他最先進的產品，國內上海量產的是90奈米的光刻機技術上有差距。2017年長春光機所“極紫外光”技術獲得突破，預計能達到22-32奈米技術差距縮小，所謂光刻機原理實際上跟照相機差不多，不過它的底片是塗滿光敏膠（也叫光刻膠）的矽片。各種電路圖案經鐳射縮微投影曝光到光刻膠上，光刻膠的曝光部分與矽片進行反應，將其永久的刻在矽片上，這是晶片生產的最關鍵步驟。 由於光刻機在晶片最後的封裝，以及平板顯示器件生產都可以用到，所以這裡的光刻機一般特指晶片生產的前道光刻機。由於前道光刻機技術極端複雜，目前由原荷蘭飛利浦公司發展而來的ASML（阿斯麥）公司一家獨大，日本的尼康和佳能基本上已退出光刻機市場，就連科技最發達的美國目前也不能獨自完整生產出前道光刻機 ，只要求掌握最關鍵技術，和擁有ASML（阿斯麥）公司關鍵控股權。中國半導體工藝為啥提升不上去光刻機被禁售是一個主要因素”。實際上早在1971年中國清華大學精儀系就成功研製出前道步進光刻機原型。那時現在的光刻機巨頭ASML還未創立可以說跟歐美光刻技術處於同一水平，進入80年代後中國放慢了對半導體工業支援的腳步被遠遠甩在了後面。進入21世紀後才成立上海微電子裝備有限公司。當時國外說，“即使把圖紙和元器件全部給你們也裝配不出來”。經過不懈努力上海微電子裝備有限公司終於於2007年研製出了中國首臺90奈米高階投影光刻機成為世界上第四家掌握高階光刻機的國家，但前道光刻機不能自主生產只能生產技術含量較低的後道封裝光刻機和平板顯示光刻機關鍵難題並沒有解決。第一道難關是光刻機的曝光光學系統，其光學零件精度控制在幾個奈米以內，ASML公司的鏡頭組由德國蔡司獨家生產。該項技術由長春光機所和國防科技大學等聯合攻關成功研製了含有非球面光學元件的投影光刻曝光光學系統，並在上海微電子90nm光刻機整機上獲得了滿足光刻工藝要求的85nm極限曝光解析度的成果，並全面掌握了浸沒式28nm光刻機以及更高水平的光刻機曝光光學系統，已批次生產110nm節點KrF曝光光學系統，使更短波長的極紫外EUV投影光刻機曝光光學系統也成功突破獲得EUV 投影光刻32 nm 線寬的光刻膠曝光圖形。第二道難關是光刻機的鐳射光源，上海微電子的光刻機光源沒有中國產化被西方公司卡脖子導致無法商用。光刻用準分子鐳射器光源需要窄線寬、大能量和高脈衝頻率，這些引數互相矛盾研製難度極大，經兼併組合後全世界唯一一家能獨立生產光源的日本公司也被荷蘭收購，中國經9年努力已完成國內首臺 “65奈米 ArF 步進掃描雙工件臺光刻機曝光光源”製造任務和 “45奈米以下浸沒式曝光光源研製與小批次產品生產能力建設”任務。以及20-40瓦 90奈米光刻機 ArF曝光光源批次化生產任務。第三道難關是光刻機工件臺，為將設計圖形制作到矽片上，並能在2~3平方釐米的方寸之地整合數十億隻電晶體， 光刻機工件臺在高速運動下需達到2nm（相當於頭髮絲直徑的三萬分之一）的運動精度。中國的清華大學等單位經努力攻關不僅做出了滿足90奈米光刻需要的工件臺，針對28至65奈米光刻配套的雙工件臺也已研製成功，使中國成為世界上第二個研製出光刻機雙工件臺的國家。第四道難關是光刻機浸液系統，進入65奈米以下製程後，曝光光學系統已不能滿足需要，急需新的技術。臺積電技術人員經研究提出採用以水為透鏡鐳射光束透過“水”為中介縮短成更短波長，並與ASML公司合作研製出45奈米浸沒式光刻機。就是這項發明使原有193奈米波長光刻機不斷延續晶片製程最低可達7到14奈米，中國浙江大學經多年研究已研製出浸液控制系統樣機

5nm蝕刻應該是目前全球最頂尖蝕刻技術的極限值，能在這一晶片重要技術環節達到頂峰是一個振奮人心的訊息，向著華人全自主生產高階核心晶片的方向邁出了一大步。

12月初華人已突破了22奈米的光刻技術，接下來是5nm的蝕刻，可以預見到在接下來的2019年，晶片製造的全流程製造難點會一一攻克，自主晶片製造、自主高階ai晶片的設計、製造與應用將會高效加速中國在科技應用更快速的發展，突破國際上的種種技術封鎖。

前段時間國內研發成功紫外超分辨SP光刻機的訊息刷屏了，使用365nm波長就能實現單次曝光最高線寬分辨力達到22nm，它打破了傳統光學光刻分辨力受限於光源波長及鏡頭數值孔徑的傳統路線格局，而且這套裝置的價格只要1000-2000萬元，不到EUV光刻機的2%。不過這套SP光刻機技術突破意義雖大，但並不能取代現有的光刻機，只適合特種工藝，不適合大規模量產。除了光刻機之外，半導體生產還需要其他裝置，比如刻蝕機，國內的中微電子已經研發成功5nm等離子刻蝕機，並通過了臺積電的認證，將用於全球首條5nm工藝。

在半導體制造過程中，光刻機是決定工藝水平的關鍵，所以光刻機在媒體上的曝光率很高，不過現在的的半導體工藝涉及數百道工序，除了最核心的光刻之外，刻蝕也是很重要的一個過程——將晶圓浸入內含蝕刻藥劑的特製刻蝕槽內，可以溶解掉暴露出來的晶圓部分，而剩下的光刻膠保護著不需要蝕刻的部分。

刻蝕機就是處理這部分工藝的，與光刻機相比，刻蝕機的價格就要低多了，通常在500萬美元以內，不過需要的數量比光刻機更多，所以也是非常重要的半導體制造裝備，全球領先的刻蝕機裝置公司主要還是LAM、AMAT應用材料等半導體裝置巨頭，國內主要是中微電子AMEC及北方華創兩家。

說完背景知識，現在報道的這個5nm等離子刻蝕機就是中微電子生產的，實際上這件事已經是舊聞了，2017年3月11日中微電子就透過央視CCTV2頻道宣佈研發成功5nm等離子刻蝕機，現在則是刻蝕機通過了大客戶臺積電的驗證，可以用於5nm生產線了，只不過臺積電的5nm工藝還在研發中，明年才會試產，量產至少是2020年的事了。

考慮到它帶有5nm這樣的先進工藝字眼，估計今天這篇新聞又要被刷屏了，不過了解下基本知識的話就不用激動了，這個5nm其實跟刻蝕機無關，刻蝕機並不決定半導體的製造工藝。當然，技術進步還是值得表揚的，畢竟也是全球第一個5nm刻蝕機，能打進臺積電的供應鏈也不容易，中微電子在刻蝕機以及其他半導體裝置上的進展也有助於提升國內的半導體技術水平。

登頂從來都不是一步完成的，但是我們華人有韌勁兒，我們從不停歇，就像龜兔賽跑中的烏龜，儘管步伐不快，但是一步一個腳印，終會成功。

這裡說的是“蝕刻機”或者說是“刻蝕機”，這種機器跟光刻機是兩個完全不同的東西！

晶片的生產過程如下圖所示，其中最重要的就是“光刻”和“蝕刻”兩個過程【圖中的顯影和刻蝕】，用的機器就是所謂的光刻機和蝕刻機。光刻機就是把電路圖用光的形式打到一塊塗了對光很敏感的物質的晶圓上，而蝕刻機則是用種種方法根據剛剛顯影的電路圖，在晶圓上真正刻出來電路圖。

這個過程可以用拍照來做比喻，光刻就是光投射到底片上、讓底片成像的過程，而蝕刻就是洗照片、讓底片上起反應的物質顯現出影象的過程【如下圖所示就是蝕刻機的工作過程，把電路板上多餘的材料給腐蝕掉，剩下來的就是複雜的電路了】。

所以說光刻機和蝕刻機是晶片製造的兩條腿【當然，光刻機肯定更加重要一些】，中國剛剛透過驗收的是蝕刻機，這方面中國實力強勁。

中國的中微電子在蝕刻機技術上可以說是實力強勁，透過最先進的等離子蝕刻技術，可以實現對7nm乃至於5nm製程晶片的蝕刻。這在世界上都是屬於領先水平【如下圖所示，早在大國重器欄目中，就已經說了當時已經可以製造7nm蝕刻機】。

如下圖所示，就是正在進行等離子蝕刻的晶圓。

而這次中微電子更進一步，拿出的不僅僅是一個實驗裝置，而是真正的商品，經受住了實際生產的考驗。

我們知道，現在很多技術只能夠停留在實驗室裡，而由於各種各樣的原因沒有辦法真正走到現實的工業生產中。而這一次的中微電子，可不是拿出來什麼實驗裝置，而是真正的商品：

近日，臺積電對外宣佈，將在2019年第二季度進行5nm製程風險試產，預計2020年量產。與此同時，中微半導體也向“上觀新聞”透露了一個重磅訊息，其自主研發的5nm等離子體刻蝕機經臺積電驗證，效能優良，將用於全球首條5nm製程生產線。

簡單說，中微電子已經生產出來產品了，還賣出去了，而且買的使用者是世界上最頂尖的使用者、拿來做最高階的產品，這個使用者用完了之後豎拇指說這個商品好，那你說這個技術厲不厲害？

當然了，光刻機方面，中國的技術還離世界先進水平差的很遠，不過蝕刻機方面的優秀技術也算是爭了一口氣，這點毋庸置疑。

所以說那些眼睛有毛病的人還在一個勁兒地說“這就是吹牛”，真的是不知道哪兒來的自信，真的是以為自己比臺積電還懂。

這些年新聞上一直都在吹中國產技術的突破，從龍芯到漢芯，從飛發到新能源車，從數控機床到刻蝕機。這些新聞上的領先往往都是騙局或者噱頭，有些也只是把區域性的趕超誇大為全面的領先，而真正技術領先的卻基本上都不會上新聞，例如海康、大疆，例如國家電網的超高壓電技術，就算華為也只是這幾年才進入民眾視野，華為一直注重技術，但往前數10年，試問有幾人能認識任正非？

信威集團的烏克蘭大飛機和專家組曾經轟炸媒體，巴鐵轟炸過媒體，樂視的生態也轟炸過媒體。。

這事我認為十有八九不靠譜，因為技術的突破有一個積累的過程，冷不丁的成為世界最領先，事出反常必有妖，有可能是透過炒作達到圈錢的目的。還是等這個產品商用吧，拭目以待

對應印刷電路板生產，光刻機是製版機，刻蝕機就是裝了三氯化鐵液的槽子。光刻機作母版，用母版曝光印在覆銅板上，然後放三氯化鐵槽子裡腐蝕，所以這是工藝線上最簡單的一項。晶片是光刻機由軟體控制制各層母版，母版在曝光機裡面多次印多層掩膜，印一次刻蝕一次，最後出大片，然後分割，測試，封裝出產品。光刻機最難，軟體設計次之，曝光裝置再次，然後刻蝕。

我能怎麼說，這是要逼死西方啊

能被臺積電釆購，說明蝕刻機水平己達國際頂尖水平，這點毋庸置疑。

晶片，光刻僅是一部分。還有設計，封壓...

只要國家支援、只要政策傾斜、只要銀行投資、只要萬眾一心世界上最精密的光刻機10年以內必在中國誕生！

這要與5nm的光刻機配套使用，就等著中中國產5nm光刻機了。

人家自己都出來闢謠了，等離子技術根本不是做CPU的。只是都叫光刻機，被誤讀了