區別：
快恢復二極體：正向壓降高於普通二極體（0.5-2V），反向耐壓多在1200V以 下。
普通二極體：具有正向壓降低（0.4--1.0V）、反向恢復時間很短（2-10ns納秒），而且反向漏電 流較大，耐壓低，一般低於150V，多用於低電壓場合。
快恢復二極體：
快恢復二極體（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極體，主要應用於開關電源、PWM脈寬調製器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極體、續流二極體或阻尼二極體使用。快恢復二極體的內部結構與普通PN接面二極體不同，它屬於PIN結型二極體，即在P型矽材料與N型矽材料中間增加了基區I，構成PIN矽片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極體的反向恢復時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。
二極體是電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體（Varicap Diode）則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極體最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向透過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。
區別：
快恢復二極體：正向壓降高於普通二極體（0.5-2V），反向耐壓多在1200V以 下。
普通二極體：具有正向壓降低（0.4--1.0V）、反向恢復時間很短（2-10ns納秒），而且反向漏電 流較大，耐壓低，一般低於150V，多用於低電壓場合。
快恢復二極體：
快恢復二極體（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極體，主要應用於開關電源、PWM脈寬調製器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極體、續流二極體或阻尼二極體使用。快恢復二極體的內部結構與普通PN接面二極體不同，它屬於PIN結型二極體，即在P型矽材料與N型矽材料中間增加了基區I，構成PIN矽片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極體的反向恢復時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。
二極體是電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體（Varicap Diode）則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極體最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向透過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。