學得好不好,能否解決實際問題是王道!
先來看一看類比電子技術第一章BJT原理,以下10個基本的實際問題,學完模電能答上來幾道:
(1) 矽自由PN接面內電場內建電勢(接觸電勢)Uho究竟是多大?
(2) 導通PN接面究竟還有沒有殘餘內電場?
(3) 導通PN接面的殘餘內電場勢壘U究竟多大(以矽為例)?
(4) 導通PN接面(二極體)的正向壓降為何大體上是常數?
(5) 矽二極體正向壓降名義值為何是0.7V?
(6) 為何測試電流1mA條件相同,矽二極體正向壓降實值分佈在0.4~0.9V寬範圍內?
(7) 為何金屬封裝螺栓二極體通常引線做成為負極,金屬螺栓做成正極?
(8) 為何光電二極體電路備有電源,但電源失效時還有一定的的光探測能力?
(9) 為何發光二極體(LED)流過反向電流時不能發光?
(10)為何JFET傳輸特性曲線實際分佈在雙象限?
就知道類比電子技術這門課有幾個人學的比較好了!
不要怨某一個人。要說罪魁禍首,還是老舊類比電子技術教科書。
常言說,教科書時第二老師。上述10個基本問題,老舊類比電子技術教科書都沒有提到,讀者只能望天興嘆了!
學得好不好,能否解決實際問題是王道!
先來看一看類比電子技術第一章BJT原理,以下10個基本的實際問題,學完模電能答上來幾道:
(1) 矽自由PN接面內電場內建電勢(接觸電勢)Uho究竟是多大?
(2) 導通PN接面究竟還有沒有殘餘內電場?
(3) 導通PN接面的殘餘內電場勢壘U究竟多大(以矽為例)?
(4) 導通PN接面(二極體)的正向壓降為何大體上是常數?
(5) 矽二極體正向壓降名義值為何是0.7V?
(6) 為何測試電流1mA條件相同,矽二極體正向壓降實值分佈在0.4~0.9V寬範圍內?
(7) 為何金屬封裝螺栓二極體通常引線做成為負極,金屬螺栓做成正極?
(8) 為何光電二極體電路備有電源,但電源失效時還有一定的的光探測能力?
(9) 為何發光二極體(LED)流過反向電流時不能發光?
(10)為何JFET傳輸特性曲線實際分佈在雙象限?
就知道類比電子技術這門課有幾個人學的比較好了!
不要怨某一個人。要說罪魁禍首,還是老舊類比電子技術教科書。
常言說,教科書時第二老師。上述10個基本問題,老舊類比電子技術教科書都沒有提到,讀者只能望天興嘆了!