高壓矽堆又叫矽柱。它是一種矽高頻高壓整流二極體。工作電壓在幾千伏至幾萬伏之間。常用於黑白電視機或其他電子儀器中作高頻高壓整流。它之所以能有如此高的耐壓本領，是因為它的內部是由若干個矽高頻二極體的管心串聯起來組合而成的。外面用高頻陶瓷進行封裝。
高壓矽堆具有體積小、重量輕、機械強度高、使用簡便和無輻射等優點，普遍用於直流高壓裝置中作為基本的整流元件。實際上一個矽堆常由數個至數十個矽整流二極體串聯封裝而成。具有單向導電性的矽二極體的正反向伏安特性下圖所示，由下圖可知當二極體上外加正向電壓U很小時正向電流很小，但當U大於某一值U後正向電流I，則隨U的增大而迅速增大，通常稱U為“死角電壓”，對於高壓矽整流二極體U約為0.4 V~0.6 V。又當外加反壓U於二極管時則二極體呈現很大阻抗，其反向電流I很小(約幾微安)，並隨反壓增加而稍有增長，但當反壓超過某一值U後I則急劇增，則U稱為擊穿電壓，高壓矽整流二極體的U可達數千伏至上萬伏。
矽二極體和矽堆基本技術引數如下：
1.額定整流電流I—指的是透過二極體的正向電流在一個週期內的平均值。在選擇整流元件時顯然應使其I≥I，即執行中透過二極體的電流不應大於I。
2.正向壓降U—當二極體透過的正向電流為額定值If時在管子兩端的壓降。
3.額定反峰電壓值U一即二極體截止時在管子兩端允許出現的最高反向工作電壓峰值。它是電容器上電壓和變壓器輸出電壓之差，它的波形基本上相當於一個帶直流分量的正弦波。在選擇整流元件時應使U滿足下式：
高壓矽堆式中，U—工頻試驗變壓器T的輸出電壓(有效值) ；
S—紋波因數；
U—輸出直流電壓算數平均值。
否則管子可能出現反向擊穿。一般U選為它的擊穿電壓的1/2～2/3，即Ur=(1/2～2/3)U。
4.反向平均電流I—在最高反向工作電壓作用下流過管子的反向電流平均值。
使用矽堆時還應掌握它的過載特性，一般矽堆的正向損壞是由於二極體PN接面的熱擊穿造成的，根據大功率矽整流元件技術標準規定，PN接面的最高允許工作溫度為140℃
因此在正常工作時結溫必須低於140℃，不然會引起矽堆特性變壞和加速封裝矽堆的絕緣介質的老化，從而影響矽堆使用壽命。為了在正常工作狀態下保證PN接面的溫度不超過允許溫度，必須注意以下幾點：
1.所用矽堆的額定正向整流電流峰值，應不小於其在正常實際工作狀態中的電流最大值。特別是對一些正常工作狀態下負載側經常發生閃絡或擊穿的直流高壓裝置(例如靜電除塵器中)的矽堆，If值應適當選大一些。此外所規定的額定整流電流值If，一般是指在自然對流冷卻下的允許使用值，如果採用油冷，則整流電流大約可提高一倍。
2.根據高壓矽堆的頻率特性可分工頻高壓矽堆(用2DL表示)和高頻高壓矽堆(用2DGL表示)。工頻高壓矽堆所整流的電流頻率應在3 kHz以下，高頻高壓矽堆所整流的電流頻率可在3 kHz以上。對於高頻電壓的整流應使用相應的高頻高壓矽堆。
3.高壓矽堆所標稱的額定整流電流值是指在使用環境溫度為室溫時的平均整流電流值。如在較高的環境溫度下工作時，所允許的整流電流值應相應地減小。下圖為環境溫度與被允許的平均整流電流百分比的關係曲線。
4.高壓矽堆的結溫是由於PN接面的功率損耗對結部加熱所致，而結功率損耗還與整流電流的波形和施加的反向電壓有關。例如，當波形為非正弦波而是矩形波時，矽堆的整流電流值應減小。當反向電壓較高時尚需考慮反向功率損耗(一般情況下可忽略)，務必使其不要超過元件允許值。
但是在事故狀態下，例如試品發生擊穿或閃絡，則矽堆有可能流過很大的正向電流，此時結溫允許在一短時間內超過額定最高允許結溫，若時間很短則尚不致造成損壞。但若在某一給定的時間問隔內，電流值超過了相應的某一限度，則PN接面可能因過流而使元件燒燬。另外，即使電流值不超過這個限度，這種過電流的衝擊次數在矽堆的整個使用壽命期間也不能太多(大約在幾百次)。表示矽堆在多長的時間間隔內，允許流過多大的故障電流的特性，稱為過載特性(此時結溫不能超過160℃)，而該允許的電流值稱為過載電流額定值。下圖分別為額定整流電流為150 mA和0.5A矽堆的過載特性曲線。
為了保護矽堆必須保證流過矽堆的事故電流(峰值)不超過允許的過載電流(峰值)，一般只需在高壓回路選用合適的限流電阻R即可。但在一些額定電流較大、持續執行時間較長的直流高壓裝置中，為了避免電阻會增加裝置在正常工作狀態下的功率損耗，常不採用R而選用閘流體、過流繼電器和快速熔斷器等元件作為過電流保護。
高壓矽堆的修復使用
黑白電視機遇潮溼天氣在高壓包腔內容易產生高壓打火的現象。火花將高壓矽堆圓柱體表面擊刻成條條溝槽，使矽堆在高電壓下，外表面拉弧導通，映象管第二陽極無高壓，造成電視無光柵。
這時，可把高壓矽堆圓柱表面的碳化物用刀刮除，再用砂紙打磨乾淨，只要用表測量矽堆的效能仍屬好的，即可在它的表面塗敷一層環氧樹脂，待固化後即可使用。
高壓矽堆又叫矽柱。它是一種矽高頻高壓整流二極體。工作電壓在幾千伏至幾萬伏之間。常用於黑白電視機或其他電子儀器中作高頻高壓整流。它之所以能有如此高的耐壓本領，是因為它的內部是由若干個矽高頻二極體的管心串聯起來組合而成的。外面用高頻陶瓷進行封裝。
高壓矽堆具有體積小、重量輕、機械強度高、使用簡便和無輻射等優點，普遍用於直流高壓裝置中作為基本的整流元件。實際上一個矽堆常由數個至數十個矽整流二極體串聯封裝而成。具有單向導電性的矽二極體的正反向伏安特性下圖所示，由下圖可知當二極體上外加正向電壓U很小時正向電流很小，但當U大於某一值U後正向電流I，則隨U的增大而迅速增大，通常稱U為“死角電壓”，對於高壓矽整流二極體U約為0.4 V~0.6 V。又當外加反壓U於二極管時則二極體呈現很大阻抗，其反向電流I很小(約幾微安)，並隨反壓增加而稍有增長，但當反壓超過某一值U後I則急劇增，則U稱為擊穿電壓，高壓矽整流二極體的U可達數千伏至上萬伏。
矽二極體和矽堆基本技術引數如下：
1.額定整流電流I—指的是透過二極體的正向電流在一個週期內的平均值。在選擇整流元件時顯然應使其I≥I，即執行中透過二極體的電流不應大於I。
2.正向壓降U—當二極體透過的正向電流為額定值If時在管子兩端的壓降。
3.額定反峰電壓值U一即二極體截止時在管子兩端允許出現的最高反向工作電壓峰值。它是電容器上電壓和變壓器輸出電壓之差，它的波形基本上相當於一個帶直流分量的正弦波。在選擇整流元件時應使U滿足下式：
高壓矽堆式中，U—工頻試驗變壓器T的輸出電壓(有效值) ；
S—紋波因數；
U—輸出直流電壓算數平均值。
否則管子可能出現反向擊穿。一般U選為它的擊穿電壓的1/2～2/3，即Ur=(1/2～2/3)U。
4.反向平均電流I—在最高反向工作電壓作用下流過管子的反向電流平均值。
使用矽堆時還應掌握它的過載特性，一般矽堆的正向損壞是由於二極體PN接面的熱擊穿造成的，根據大功率矽整流元件技術標準規定，PN接面的最高允許工作溫度為140℃
因此在正常工作時結溫必須低於140℃，不然會引起矽堆特性變壞和加速封裝矽堆的絕緣介質的老化，從而影響矽堆使用壽命。為了在正常工作狀態下保證PN接面的溫度不超過允許溫度，必須注意以下幾點：
1.所用矽堆的額定正向整流電流峰值，應不小於其在正常實際工作狀態中的電流最大值。特別是對一些正常工作狀態下負載側經常發生閃絡或擊穿的直流高壓裝置(例如靜電除塵器中)的矽堆，If值應適當選大一些。此外所規定的額定整流電流值If，一般是指在自然對流冷卻下的允許使用值，如果採用油冷，則整流電流大約可提高一倍。
2.根據高壓矽堆的頻率特性可分工頻高壓矽堆(用2DL表示)和高頻高壓矽堆(用2DGL表示)。工頻高壓矽堆所整流的電流頻率應在3 kHz以下，高頻高壓矽堆所整流的電流頻率可在3 kHz以上。對於高頻電壓的整流應使用相應的高頻高壓矽堆。
3.高壓矽堆所標稱的額定整流電流值是指在使用環境溫度為室溫時的平均整流電流值。如在較高的環境溫度下工作時，所允許的整流電流值應相應地減小。下圖為環境溫度與被允許的平均整流電流百分比的關係曲線。
4.高壓矽堆的結溫是由於PN接面的功率損耗對結部加熱所致，而結功率損耗還與整流電流的波形和施加的反向電壓有關。例如，當波形為非正弦波而是矩形波時，矽堆的整流電流值應減小。當反向電壓較高時尚需考慮反向功率損耗(一般情況下可忽略)，務必使其不要超過元件允許值。
但是在事故狀態下，例如試品發生擊穿或閃絡，則矽堆有可能流過很大的正向電流，此時結溫允許在一短時間內超過額定最高允許結溫，若時間很短則尚不致造成損壞。但若在某一給定的時間問隔內，電流值超過了相應的某一限度，則PN接面可能因過流而使元件燒燬。另外，即使電流值不超過這個限度，這種過電流的衝擊次數在矽堆的整個使用壽命期間也不能太多(大約在幾百次)。表示矽堆在多長的時間間隔內，允許流過多大的故障電流的特性，稱為過載特性(此時結溫不能超過160℃)，而該允許的電流值稱為過載電流額定值。下圖分別為額定整流電流為150 mA和0.5A矽堆的過載特性曲線。
為了保護矽堆必須保證流過矽堆的事故電流(峰值)不超過允許的過載電流(峰值)，一般只需在高壓回路選用合適的限流電阻R即可。但在一些額定電流較大、持續執行時間較長的直流高壓裝置中，為了避免電阻會增加裝置在正常工作狀態下的功率損耗，常不採用R而選用閘流體、過流繼電器和快速熔斷器等元件作為過電流保護。
高壓矽堆的修復使用
黑白電視機遇潮溼天氣在高壓包腔內容易產生高壓打火的現象。火花將高壓矽堆圓柱體表面擊刻成條條溝槽，使矽堆在高電壓下，外表面拉弧導通，映象管第二陽極無高壓，造成電視無光柵。
這時，可把高壓矽堆圓柱表面的碳化物用刀刮除，再用砂紙打磨乾淨，只要用表測量矽堆的效能仍屬好的，即可在它的表面塗敷一層環氧樹脂，待固化後即可使用。