卡爾遜靜電覆印的過程本質上是一種光電過程，它所產生的潛像是一個由靜電荷組成的靜電像，其充電、顯影和轉印過程都是基於靜電吸引原理來實現的。由於其靜電潛像是在光照下光導層電阻降低而引起充電膜層上電荷放電形成的，所以卡爾遜靜電覆印法對感光鼓有如下要求：具有非常高的暗電阻率。這種感光鼓在無光照的情況下，表面一旦有電荷存在，能較長時間地儲存這些電荷；而在光照的情況上，感光鼓的電阻率應很快下降，即成為電的良導體，使得感鼓表面電荷很快釋放而消失。卡爾遜靜電覆印法所使用的感光鼓主要由硒及硒合金、氧化鋅、有機光電導材料等構成，一般是在導電基體上（如鋁板或其它金屬板）直接塗敷或蒸鍍一薄層光電導材料。其結構是上面是光導層，下面是導電基體。

卡爾遜靜電覆印法大致可分為充電、曝光、顯影、轉印、分離、定影、清潔、消電8個基本步驟。 充電就是使感光鼓在暗處，並處在某一極性的電場中，使其表面均勻地帶上一定極性和數量的靜電荷，即具有一定表面電位的過程， 這一過程實際上是感光鼓的敏化過程，使原來不具備感光性的感光鼓具有較好的感光性。充電過程只是為感光鼓接受影象資訊準備的，是不依賴原稿影象資訊的預過程，但這是在感光鼓表面形成靜電潛像的前提和基礎。

當在暗處給感光鼓表面充上一層均勻的靜電荷時，由於感光鼓在暗處具有較高的電阻，所以靜電荷被保留在感光鼓表面，即感光鼓保持有一定的電位並具有感光性。對於不同性質的光電導材料制的感光鼓應充以不同極性的電荷，這是由半導體的導電性決定的，即只允許一種極性的電荷（空穴或電子）“注入”，而阻止另一種極性電荷（電子或空穴）的“注入”。因此對於N型半導體，表面應充負電；而對P型半導體，則應充正電。當用正電暈對P型感光鼓充正電時，由於P型半導體中負電荷不能移動，因此光導層表面的正電荷與介面上的負電荷，只能相互吸引，而不會中和。倘若用負電暈對P型感光鼓充負電，則由於光導層及共介面處，感應產生的是正電荷，而P 型半導體的主要載流子是“空穴”，自由移動交為容易（或稱為“注入”），易與感光鼓表面的負電荷中和。這樣，對P型感光鼓充負電時，其充電效率是相當低的。對於N型感光鼓，則由於其主要載流子是電子，若對其充正電時，其充電效率也是極其低的。目前靜電覆印機中通常採用電暈裝置對感光鼓進行充電。 消電就是消除感光鼓表面殘餘電荷的過程。由於充電時在感光鼓表面沉積的靜電荷 ，並不因所吸附的色粉微粒轉移而消失，在轉印後仍留在感光鼓表面，如果不及時清除，會影響後續影印過程。因此，在進行第二次影印前必須對感光鼓進行消電，使感光鼓表面電位恢復到原來狀態。靜電覆印機中一般採用曝光裝置來對感光鼓進行全面曝光，或用消電電暈裝置對感光鼓進行反極性充電，以消除感光鼓上的殘餘電荷。